In this work, F-T film was used ins

In this work, F-T film was used instead of TiO2 as the photoanode. Redox-inactive Al2O3 was examined as a blocking layer on F-T for elimination of electron shunting.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ในงานนี้ ฟิล์ม F-T ใช้แทน TiO2 เป็น photoanode Al2O3 redox ไม่ถูกตรวจสอบเป็นชั้นบล็อกบน F-T สำหรับการตัดออกของอิเล็กตรอน shunting

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ในงานนี้ฟิล์ม FT ถูกนำมาใช้แทนการ TiO2 เป็น photoanode Al2O3-อกซ์ไม่ได้ใช้งานได้ตรวจสอบเป็นชั้นในการปิดกั้น FT สำหรับการกำจัดของอิเล็กตรอนแบ่ง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ในงานนี้ f-t ฟิล์มถูกใช้แทนของ TiO2 เป็น photoanode . รีดอกซ์ที่ Al2O3 ตรวจสอบเป็นบล็อคชั้น f-t สำหรับการกำจัดอิเล็กตรอนแบ่ง .