The growth mechanism and structure

The growth mechanism and structure of thin films is to a large extent determined
by the substrate used.

Furthermore, the choice of the substrate material is
governed by the application involved.

For instance, for YBCO thin films used
in microwave applications, (001) LaA103 or (001) MgO substrate with its lower
dielectric constant is preferred over (001) SrTiO3 substrates,

which have a high dielectric constant.

However, twinning is commonly observed in LaA103 crystals.
It has been found that (100) is an active twin plane in LaA103 [73].

This twinning results in a rough crystal surface, strain and non-isotropic microwave properties
for (001) LaA103 wafers. To overcome the twinning problem, a new twin-free
substrate, Lao.gSro.7Alo.65Tao.3509 (LSAT), has been developed, which is a solid
solution of LaA103 and Sr2A1TaO6 [74, 75].

The dielectric constant and thermal
expansion coefficient of LSAT are comparable to those of LaA103 as seen from
Table 5.1.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

กลไกการเจริญเติบโตและโครงสร้างของฟิล์มบางจะไปกำหนดขอบเขตขนาดใหญ่โดยพื้นผิวที่ใช้ นอกจากนี้ เลือกวัสดุพื้นผิวเป็นภายใต้โปรแกรมประยุกต์ที่เกี่ยวข้อง สำหรับ YBCO ฟิล์มบางที่ใช้เช่นในแอพลิเคชันในไมโครเวฟ LaA103 (001) หรือพื้นผิว MgO (001) มีต่ำกว่านั้นdielectric ค่าคงคือต้องผ่านพื้นผิว SrTiO3 (001) ซึ่งมีค่าคง dielectric สูง อย่างไรก็ตาม twinning ทั่วไปย่อยในผลึก LaA103มันถูกพบที่ (100) เป็นเครื่องบินใช้งานคู่ใน LaA103 [73] Twinning นี้ผลผิวผลึกหยาบ ต้องใช้ และคุณสมบัติไมโครเวฟไม่ isotropicสำหรับ (001) LaA103 รับ เพื่อเอาชนะปัญหา twinning ตัวใหม่คู่ฟรีพื้นผิว Lao.gSro.7Alo.65Tao.3509 (LSAT), ได้รับการพัฒนา ซึ่งเป็นของแข็งของ LaA103 และ Sr2A1TaO6 [74, 75] Dielectric ค่าคงและความร้อนสัมประสิทธิ์การขยายตัวของ LSAT จะเปรียบเทียบได้กับของ LaA103 ที่เห็นจากตาราง 5.1

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

กลไกการเจริญเติบโตและโครงสร้างของฟิล์มบางเป็นระดับใหญ่กำหนดโดยพื้นผิวที่ใช้. นอกจากนี้การเลือกใช้วัสดุพื้นผิวที่มีการควบคุมโดยการประยุกต์ใช้ที่เกี่ยวข้อง. ตัวอย่างเช่นสำหรับฟิล์มบาง YBCO ใช้ในการใช้งานเครื่องไมโครเวฟ, (001) LaA103 หรือ (001) สารตั้งต้น MgO กับล่างคงที่อิเล็กทริกเป็นที่ต้องการมากกว่า(001) พื้นผิว SrTiO3, ที่มีค่าคงที่อิเล็กทริกสูง. แต่จับคู่เป็นที่สังเกตได้ทั่วไปในผลึก LaA103. จะได้รับพบว่า (100) เป็นเครื่องบินคู่ที่ใช้งาน ใน LaA103 [73]. นี้ผลการจับคู่ในพื้นผิวที่หยาบกร้านคริสตัลความเครียดและคุณสมบัติไมโครเวฟที่ไม่ isotropic สำหรับ (001) LaA103 เวเฟอร์ ที่จะเอาชนะปัญหาจับคู่เป็นคู่ใหม่ฟรีตั้งต้น Lao.gSro.7Alo.65Tao.3509 (โหลด) ได้รับการพัฒนาซึ่งเป็นของแข็งแก้ปัญหาของLaA103 และ Sr2A1TaO6 [74 75]. อิเล็กทริกคงที่และความร้อนค่าสัมประสิทธิ์การขยายตัวของการโหลดที่มีการเทียบเคียงกับของ LaA103 เท่าที่เห็นจากตารางที่5.1

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การเจริญเติบโตกลไกและโครงสร้างของฟิล์มบางเพื่อขอบเขตขนาดใหญ่กำหนด
โดยพื้นผิวที่ใช้

นอกจากนี้ การเลือกใช้วัสดุพื้นผิวเป็น
ควบคุมโดยโปรแกรมที่เกี่ยวข้อง

สำหรับอินสแตนซ์ ฟิล์มบางใช้งาน ybco
ในไมโครเวฟ ( 001 ) laa103 หรือ ( 001 ) MgO พื้นผิวของฉนวนลด
คงต้องผ่าน ( 001 ) srtio3 พื้นผิว

ซึ่งมีฉนวนสูงคงที่

แต่โอกาสมักพบใน laa103 รัตนากร .
ได้ ( 100 ) เป็นเครื่องบินที่ใช้งานใน laa103 แฝด [ 73 ]

นี่บิดผลลัพธ์ในผิวผลึกหยาบ ความเครียดและไม่มีคุณสมบัติแบบไมโครเวฟ
( 001 ) laa103 เวเฟอร์ เพื่อเอาชนะหลากหลายปัญหาใหม่ , คู่ฟรี
ตั้งต้น lao.gsro.7alo.65tao.3509 ( ISAT )ได้ถูกพัฒนาขึ้น ซึ่งเป็นสารละลายของแข็งและของ laa103
sr2a1tao6 [ 74 , 75 ]


อิเล็กทริกคงที่ และความร้อน สัมประสิทธิ์การขยายตัวของ ISAT เปรียบเทียบได้กับของ laa103 เท่าที่เห็นจาก

ตารางที่ 5.1