Depth profiles were carried out in

Depth profiles were carried out in the ‘non- interlaced’ mode, consisting of period of 3.28 s of 30 keV Bi5+ primary ions pulses for SIMS analysis followed by periods of 3.28 sof continuous Cs+ion sputtering.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

โพรไฟล์ลึกดำเนินการในโหมด 'ปลอด-อินเตอร์เลซ' ประกอบด้วยระยะเวลา 3.28 s 30 keV Bi5 + ไอออนหลักกะพริบสำหรับซิมส์วิเคราะห์ตาม ด้วยเวลา 3.28 sof Cs ต่อเนื่อง + ไอออนสปัตเตอร์

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

โปรไฟล์ลึกได้ดำเนินการในโหมด 'ไม่ใช่ interlaced' ประกอบด้วยระยะเวลา 3.28 ของวันที่ 30 keV Bi5 + ไอออนพัหลักสำหรับการวิเคราะห์ SIMS ตามระยะเวลา 3.28 SOF อย่างต่อเนื่องสปัตเตอร์ไอออน Cs +

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

โปรไฟล์ของความลึก พบว่าใน ' ' โหมด Non - Interlaced ประกอบด้วยระยะเวลาของการให้ S 30 เคฟ bi5 + หลักไอออนกะพริบสำหรับการวิเคราะห์ซิมส์ตามระยะเวลาการให้ตัวอย่างต่อเนื่อง CS + ไอออน Sputtering .