tSiOC and SiZrOC ceramics were obta

tSiOC and SiZrOC ceramics were obtained starting from the hydrosilane system without and with zirco-nium n-propoxide (Zr(OnPr)4) by sol–gel route. The precursor architectures indicated that the presenceof Si H bonds leads to a different cross-linking mechanism of SiZrOC precursor, where the Si H bondswere involved in the formation of Si O Zr bonds. The presence of Zr caused a lower content of sp3carbonin SiZrOC ceramics. At above 1400◦C, the sp3-C/Si ratio in both ceramics increased due to carbothermalreduction, especially rapidly for SiOC ceramics, suggesting the carbothermal reduction in SiZrOC ceramicshas been strongly suppressed with the presence of ZrO2. Raman spectroscopy showed the graphitiza-tion degree of free carbon increased with temperature in both ceramics, but was always lower in SiZrOCceramics. The SiZrOC ceramics has been found to exhibit remarkably high temperature stability withrespect to carbothermal decomposition up to 1600◦C in comparison with the SiOC ceramics.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

tSiOC และ SiZrOC เซรามิกรับเริ่มต้นจากระบบ hydrosilane และไม่ มี zirco nium n-propoxide (Zr(OnPr)4) โดยกระบวนการโซลเจล สถาปัตยกรรมของสารตั้งต้นแสดงว่า presenceof Si H พันธบัตรไปสู่กลไก cross-linking ต่าง ๆ ของสารตั้งต้น SiZrOC ที่ bondswere Si H ที่เกี่ยวข้องในการก่อตัวของ Si O Zr พันธบัตร การปรากฏตัวของ Zr เกิดจากเนื้อหาด้านล่างของเครื่องเคลือบ SiZrOC sp3carbonin ที่เหนือ 1400◦C อัตราส่วน sp3-C/Si ในเซรามิกทั้งสองเพิ่มขึ้นเนื่องจาก carbothermalreduction อย่างรวดเร็วโดยเฉพาะอย่างยิ่งสำหรับ SiOC เซรามิก แนะนำการลด carbothermal SiZrOC ceramicshas การขอระงับ มี ZrO2 รามิกแสดงระดับ graphitiza-ทางการค้าของคาร์บอนและเพิ่มอุณหภูมิในเซรามิกทั้ง แต่ก็ต่ำกว่าใน SiZrOCceramics เสมอ พบว่าเซรามิกส์ SiZrOC มี withrespect เสถียรภาพอุณหภูมิสูงอย่างน่าทึ่งเพื่อแยกส่วนประกอบของ carbothermal จนถึง 1600◦C เมื่อเปรียบเทียบกับเซรามิก SiOC

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

tSiOC และ SiZrOC เซรามิกส์ที่ได้รับการเริ่มต้นจากระบบโดยไม่ต้อง hydrosilane และ Zirco-N-nium propoxide (Zr (OnPr) 4) โดยเส้นทางโซลเจล สถาปัตยกรรมปูชนียบุคคลชี้ให้เห็นว่า presenceof ศรี H พันธบัตรจะนำไปสู่​​กลไกการเชื่อมโยงข้ามที่แตกต่างกันของ SiZrOC ปูชนียบุคคลที่ศรี H bondswere มีส่วนร่วมในการก่อตัวของพันธบัตรศรี O เซอร์โคเนียม การปรากฏตัวของ Zr ที่เกิดจากการลดลงของเนื้อหา sp3carbonin เซรามิก SiZrOC ที่ดังกล่าวข้างต้น1400◦Cที่ SP3-C อัตราส่วนทั้งในเซรามิก / ศรีเพิ่มขึ้นเนื่องจากการ carbothermalreduction โดยเฉพาะอย่างยิ่งสำหรับเซรามิกอย่างรวดเร็ว SiOC แนะนำการลด carbothermal ใน SiZrOC ceramicshas ถูกปราบปรามอย่างยิ่งกับการปรากฏตัวของ ZrO2 สเปกรามันแสดงให้เห็นว่าการศึกษาระดับปริญญา graphitiza-การของคาร์บอนฟรีเพิ่มขึ้นตามอุณหภูมิทั้งในเซรามิก แต่ก็มักจะต่ำกว่าใน SiZrOCceramics เซรามิกส์ SiZrOC ได้รับพบว่าแสดงอุณหภูมิ withrespect ความมั่นคงสูงอย่างน่าทึ่งในการสลายตัว carbothermal ถึง1600◦Cในการเปรียบเทียบกับเซรามิก SiOC

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

tsioc sizroc เซรามิกและได้เริ่มต้นจากระบบ hydrosilane มี zirco Condo n-propoxide ( ZR ( onpr ) 4 ) โดยโซลเจลและเส้นทาง สารตั้งต้น ( พบว่า มีจังหวัด H พันธบัตรนำไปสู่กลไกของโมเลกุลที่แตกต่างกัน sizroc สารตั้งต้นที่ศรี H bondswere มีส่วนร่วมในการพัฒนาจังหวัด O ZR พันธบัตร การปรากฏตัวของ ZR ทำให้เนื้อหาที่ลดลงของ sp3carbonin sizroc เซรามิก ที่เหนือ◦ 1400 C , sp3-c / ศรีอัตราส่วนทั้งเซรามิกเพิ่มขึ้นเนื่องจาก carbothermalreduction โดยเฉพาะอย่างยิ่งอย่างรวดเร็วสำหรับ sioc เซรามิก , แนะนําคาร์โบเทอร์มอลรีดักชั่นใน sizroc ceramicshas ถูกขอระงับด้วยการแสดงตนของ ZrO2 . รามานสเปกโทรสโกปี พบว่าระดับของคาร์บอน graphitiza tion ฟรีอุณหภูมิทั้งเซรามิก แต่ก็มักจะลดลงใน sizrocceramics . การ sizroc เซรามิกที่ได้รับพบว่ามีอุณหภูมิสูงอย่างน่าทึ่งเพื่อความมั่นคงในส carbothermal การย่อยสลายได้ถึง 1600 ◦ C ในการเปรียบเทียบกับ sioc เซรามิก