The slow decrease of the device eff

The slow decrease of the device efficiency with time is attributed to the increased charge transport resistance in Spiro-MeOTAD layer and the increased recombination rate

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ประสิทธิภาพอุปกรณ์เวลาลดช้าเกิดจากความต้านทานเพิ่มค่าขนส่งในชั้น Spiro MeOTAD และอัตราเพิ่มขึ้นรวมตัวกัน

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

การลดลงช้าของประสิทธิภาพการใช้อุปกรณ์ที่มีเวลาจะมาประกอบกับความต้านทานการขนส่งค่าใช้จ่ายที่เพิ่มขึ้นในชั้น Spiro-MeOTAD และอัตราการรวมตัวกันที่เพิ่มขึ้น

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ช้าลดลงของอุปกรณ์ที่มีประสิทธิภาพเวลา ประกอบกับค่าใช้จ่ายในการขนส่งเพิ่มขึ้นความต้านทานโร meotad ชั้นและอัตราการเพิ่มขึ้น