[16] reported the using of metallo-

[16] reported the using of metallo-dielectric multiple layers to tune the SP mode for emission enhancement. Alternatively, Wilson et al. studied the effect on a fluorescent molecule of being approached to plasmonic nanostructure, allowing the progress of fluorescent detection of biological molecules [14]. Except for by incorporating a specific chemical moiety (polymer, dendrimer, etc.) on the surface to improve the fluorescence enhancement, double-stranded (ds) DNA has also been widely used as a bridge or scaffold to monitor the interactions on the plasmonic metal/fluorophore interface, due to its well-defined structures and selective recognition 0025, 0065, 0085, 0090 and 0095.

On the other hand, semiconductor nanomaterials are emerging as important building blocks for photoelectric devices, because their PL can be tuned by varying their composition, sizeand shape [20]. As known, Gallium Arsenide (GaAs) exhibits near-infrared (nIR) PL without photo-bleaching [21]. The use of GaAs as nIR optical sensors is of particular interest in clinical or medical settings because PL occurs in a region of the electromagnetic spectrum in which blood and tissue are particularly transparent 0110 and 0115. Currently, the nanostructured gold on GaAs has been synthesized, and the investigation of the PL properties of GaAs suggested that the gold nanostructures can influence the emission properties of the semiconductor 0085, 0120 and 0125. More recently, [23]. we reported that DNA could have the selective modulation of GaAs PL with combination of DNA hybridization activity. And we also demonstrated that DNA-decorated gold nanoparticles (GNPs) could enhance PL emission of GaAs, resulting in an ultrasensitive DNA detection. Despite these progresses, the tunable controlling GNPs-induced plasmonic enhancement with DNA molecules remains to be further explored and understood. Moreover, to the best of our knowledge, there is little effort to expend on using the DNA to develop nanoplasmonic molecular ruler on nIR photoluminescent semiconducting platform.

In this article, we report the use of DNA molecular ruler to modulate the PL emission of GaAs with SP enhancement. A well-defined GNPs/GaAs hybrid surface with DNA junction has been designed and demonstrated, as schematically represented in Fig. 1. This experimental approach was based on sequential steps of DNA functionalization, DNA hybridization and GNPs self-assembly on GaAs, which comprises two steps of thiol-chemistry reaction (Au-S, Ga-S or As-S) appended a relatively rigid dsDNA onto GaAs and GNPs, respectively [23]. This simple method offers a facile nonlithograhic strategy to modify large flat GaAs substrates with GNPs. Next, we found that the DNA-mediated self-assembly of GNPs onto GaAs could enhance the PL emission from GaAs. It is proposed that the DNA-length dependent PL enhancement is resulted from the known as the mechanism of metal-enhanced fluorescence.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

[16] รายงานการใช้ metallo เป็นฉนวนหลายชั้นการปรับแต่งโหมด SP สำหรับการเพิ่มประสิทธิภาพการปล่อย อีกวิธีหนึ่งคือ Wilson et al.ศึกษาผลกระทบต่อโมเลกุลของถูกทาบทามไป plasmonic nanostructure เรืองแสงให้ความคืบหน้าของการตรวจจับการเรืองแสงของโมเลกุลชีวภาพ [14] ยกเว้น โดยมีเฉพาะเคมี moiety (พอลิเมอร์ dendrimer ฯลฯ) บนพื้นผิวเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพของการเรืองแสง การปรับปรุงผสมผสานดีเอ็นเอคู่ควั่น (ds) ยังถูกอย่างกว้างขวางใช้เป็นสะพานหรือนั่งร้านเพื่อตรวจสอบการโต้ตอบบน plasmonic โลหะ/fluorophore อินเตอร์เฟซ เนื่องจากโครงสร้างที่ชัดเจนและการรับรู้ที่เลือก 0025, 0065, 0085, 0090 และ 0095บนมืออื่น ๆ ดัก nanomaterials กำลังเกิดขึ้นเป็นส่วนประกอบสำคัญสำหรับอุปกรณ์ photoelectric เนื่องจาก PL ของพวกเขาสามารถปรับแต่ง ด้วยการปรับเปลี่ยนองค์ประกอบของพวกเขา รูปร่าง sizeand [20] เป็นที่รู้จักกัน แกลเลียม Arsenide (GaAs) จัดแสดงนิทรรศการใกล้อินฟราเรด (nIR) PL ไม่ฟอกภาพ [21] การใช้ GaAs เป็นเซ็นเซอร์ nIR จะสนใจในการตั้งค่าทางคลินิก หรือทางการแพทย์เนื่องจาก PL ที่เกิดขึ้นในภูมิภาคของสเปกตรัมแม่เหล็กไฟฟ้าที่เลือดและเนื้อเยื่อความโปร่งใสโดยเฉพาะอย่างยิ่ง 0110 0115 ในปัจจุบัน nanostructured บน GaAs ทองได้รับการสังเคราะห์ และการตรวจสอบคุณสมบัติ PL ของ GaAs แนะนำว่า nanostructures ทองสามารถมีอิทธิพลต่อการปล่อยคุณสมบัติของสารกึ่งตัวนำ 0085, 0120 และ 0125 เพิ่มเติมเมื่อเร็ว ๆ นี้, [23] เรารายงานว่า ดีเอ็นเออาจมีการปรับเลือก PL GaAs ด้วยชุดของ DNA hybridization กิจกรรม และเรายังแสดงให้เห็นว่า DNA ตกแต่งทองเก็บกัก (GNPs) สามารถเพิ่มประสิทธิภาพการปล่อย PL ของ GaAs ผลการตรวจดีเอ็นเอ ultrasensitive แม้เหล่านี้ดำเนินไป เทคโนโลยีควบคุมเกิด GNPs plasmonic ปรับปรุงที่ มีซากโมเลกุลดีเอ็นเอจะเพิ่มเติมสำรวจ และเข้าใจ นอกจากนี้ ที่สุดของความรู้ของเรา มีความพยายามน้อยการใช้จ่ายในการใช้ดีเอ็นเอเพื่อพัฒนาบนแพลตฟอร์มโลหะผง nIR ปกครองโมเลกุล nanoplasmonicในบทความนี้ เรารายงานการใช้ไม้บรรทัดโมเลกุลดีเอ็นเอควบคุมการปล่อย PL ของ GaAs ด้วยเพิ่ม SP Surface ไฮบริ GNPs/GaAs ที่ชัดเจน มีแยกดีเอ็นเอมีการออกแบบ และแสดงให้เห็น แสดงเป็น schematically ในรูปที่ 1 วิธีการทดลองนี้ตามขั้นตอนตามลำดับของ functionalization ดีเอ็นเอ DNA hybridization และ GNPs ประกอบด้วยตัวเองบน GaAs ซึ่งประกอบด้วยสองขั้นตอนของปฏิกิริยาเคมี thiol (Au-S, Ga-S หรือเป็น S) ผนวก dsDNA ค่อนข้างแข็งบน GaAs และ GNPs ตามลำดับ [23] วิธีนี้ง่ายให้ร่ม nonlithograhic กลยุทธ์การปรับเปลี่ยนพื้นผิว GaAs แบนขนาดใหญ่ ด้วย GNPs ถัดไป เราพบว่า ในดีเอ็นเอสื่อประกอบด้วยตัวเองของ GNPs บน GaAs สามารถเพิ่มประสิทธิภาพการปล่อย PL จาก GaAs มีเสนอว่า ความยาวดีเอ็นเอขึ้น PL เพิ่มผลจากรู้จักกันเป็นกลไกการเพิ่มโลหะเรืองแสง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

[16] รายงานการใช้ Metallo-อิเล็กทริกหลายชั้นในการปรับแต่งโหมด SP สำหรับการเพิ่มประสิทธิภาพการปล่อยก๊าซ อีกวิธีหนึ่งคือวิลสัน, et al การศึกษาผลกระทบต่อโมเลกุลเรืองแสงของการถูกทาบทามให้โครงสร้างระดับนาโน plasmonic ที่ช่วยให้การตรวจสอบความคืบหน้าของการเรืองแสงของโมเลกุลชีวภาพ [14] ยกเว้นโดยผสมผสานครึ่งหนึ่งเฉพาะสารเคมี (พอลิเมอ dendrimer ฯลฯ ) บนพื้นผิวในการปรับปรุงการเพิ่มประสิทธิภาพของการเรืองแสงเกลียวคู่ (DS) ดีเอ็นเอยังได้ถูกนำมาใช้อย่างกว้างขวางว่าเป็นสะพานหรือนั่งร้านในการตรวจสอบการโต้ตอบในโลหะ plasmonic / อินเตอร์เฟซสารเรืองแสงเนื่องจากโครงสร้างที่ดีที่กำหนดและการรับรู้การคัดเลือก 0025, 0065, 0085, 0090 และ 0095.

บนมืออื่น ๆ , วัสดุนาโนเซมิคอนดักเตอร์ที่เกิดขึ้นใหม่สร้างบล็อคเป็นสิ่งที่สำคัญสำหรับอุปกรณ์ตาแมวเพราะ PL ของพวกเขาสามารถปรับโดยการเปลี่ยนแปลงของพวกเขา องค์ประกอบ sizeand รูปร่าง [20] ในฐานะที่เป็นที่รู้จักกัน arsenide แกลเลียม (GaAs) การจัดแสดงนิทรรศการใกล้อินฟราเรด (NIR) โดยไม่ต้อง PL ภาพฟอกขาว [21] การใช้งานของ GaAs เป็น NIR เซ็นเซอร์แสงเป็นที่น่าสนใจโดยเฉพาะอย่างยิ่งในการตั้งค่าทางคลินิกหรือทางการแพทย์เพราะ PL เกิดขึ้นในภูมิภาคของสเปกตรัมแม่เหล็กไฟฟ้าที่เลือดและเนื้อเยื่อโดยเฉพาะอย่างยิ่งมีความโปร่งใส 0110 และ 0115. ปัจจุบันทองอิเล็กทรอนิคส์ใน GaAs ได้รับการสังเคราะห์ที่ และการตรวจสอบของ PL คุณสมบัติของ GaAs ชี้ให้เห็นว่าโครงสร้างนาโนทองคำจะมีผลต่อคุณสมบัติการปล่อยสารกึ่งตัวนำ 0085, 0120 และ 0125. เมื่อเร็ว ๆ นี้ [23] เรารายงานว่าดีเอ็นเออาจมีการปรับเลือกของ GaAs PL มีการรวมกันของกิจกรรมดีเอ็นเอ และเรายังแสดงให้เห็นว่าดีเอ็นเอตกแต่งอนุภาคนาโนทองคำ (GNPs) สามารถเพิ่มประสิทธิภาพของการปล่อยของ PL GaAs ส่งผลให้การตรวจสอบดีเอ็นเอ ultrasensitive แม้จะมีความคืบหน้าเหล่านี้พริ้งควบคุม GNPs เหนี่ยวนำให้เกิดการเพิ่มประสิทธิภาพ plasmonic กับโมเลกุลดีเอ็นเอยังคงที่จะสำรวจเพิ่มเติมและเข้าใจ นอกจากนี้ที่ดีที่สุดของความรู้ของเรามีความพยายามน้อยที่จะใช้จ่ายเกี่ยวกับการใช้ดีเอ็นเอเพื่อพัฒนาผู้ปกครองโมเลกุล nanoplasmonic ใน NIR แพลตฟอร์ม photoluminescent กึ่งตัวนำ.

ในบทความนี้เราจะรายงานผลการใช้ดีเอ็นเอไม้บรรทัดโมเลกุลเพื่อปรับการปล่อย PL ของ GaAs กับ การเพิ่มประสิทธิภาพของ SP ทั้งการกำหนดพื้นผิว GNPs / GaAs ไฮบริดที่มีการแยกดีเอ็นเอได้รับการออกแบบและแสดงให้เห็นเป็นตัวแทนของแผนผังในรูป 1. วิธีการทดลองนี้ขึ้นอยู่กับขั้นตอนตามลำดับของหมู่ฟังก์ชันดีเอ็นเอดีเอ็นเอและ GNPs ตนเองประกอบใน GaAs ซึ่งประกอบด้วยสองขั้นตอนของการเกิดปฏิกิริยาเคมี thiol (AU-S Ga-S หรือเป็น-S) ผนวกที่ค่อนข้างแข็ง dsDNA บน GaAs และ GNPs ตามลำดับ [23] วิธีนี้ง่ายมีกลยุทธ์ nonlithograhic สะดวกในการปรับเปลี่ยนพื้นผิวขนาดใหญ่ GaAs แบนพร้อม GNPs ต่อไปเราจะพบว่าดีเอ็นเอพึ่งตนเองประกอบของ GNPs บน GaAs สามารถเพิ่มประสิทธิภาพของการปล่อย PL จาก GaAs มันเป็นเรื่องที่เสนอว่าดีเอ็นเอที่มีความยาวเพิ่มประสิทธิภาพ PL ขึ้นเป็นผลมาจากการที่รู้จักกันเป็นกลไกของการเรืองแสงโลหะที่เพิ่มขึ้น

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

[ 16 ] รายงานการใช้เมทาโลฉนวนหลายชั้นเพื่อปรับโหมด SP เพื่อเพิ่มค่า อีกวิธีหนึ่งคือ วิลสัน et al . ศึกษาผลกระทบของโมเลกุลเรืองแสงของการเข้าหาโครงสร้างนาโน Plasmonic ช่วยให้ความคืบหน้าของการตรวจหาโมเลกุลทางชีวภาพ [ 14 ] การเรืองแสง ยกเว้นโดยรวมมีค่าเฉพาะสารเคมี ( พอลิเมอร์ เดนดริเมอร์ , ฯลฯ ) บนพื้นผิวเพื่อปรับปรุงการเพิ่มคู่ตีเกลียว ( DS ) ดีเอ็นเอยังได้รับการใช้กันอย่างแพร่หลายเป็นสะพานหรือนั่งร้าน เพื่อตรวจสอบการปฏิสัมพันธ์บนโลหะ Plasmonic / fluorophore อินเตอร์เฟซ เนื่องจากการกำหนดโครงสร้างและการรับรู้ 0025 0065 , , 0085 0090 0095 , และ .บนมืออื่น ๆ , nanomaterials สารกึ่งตัวนำจะเกิดขึ้นใหม่เป็นอาคารที่สำคัญสำหรับอุปกรณ์เกี่ยวกับไฟฟ้า เพราะคุณสามารถปรับโดยการเปลี่ยนแปลงองค์ประกอบของรูปร่างและขนาด [ 20 ] เป็นที่รู้จักกัน , แกลเลียมอาร์เซไนด์ ( GaAs ) การจัดแสดง อินฟราเรดใกล้ ( NIR ) [ 21 ] คุณโดยไม่ต้องฟอกขาว ภาพ ใช้แกลเลียมอาร์เซไนด์เป็นค่าแสงของเซ็นเซอร์มีความสนใจเฉพาะในการตั้งค่าทางคลินิกหรือแพทย์เพราะคุณเกิดขึ้นในภูมิภาคของสเปกตรัมแม่เหล็กไฟฟ้าที่เนื้อเยื่อเลือดและโดยเฉพาะอย่างยิ่งที่โปร่งใสและ 0110 0115 . ปัจจุบัน ทอง nanostructured บนนี้ได้สังเคราะห์และการตรวจสอบของคุณ คุณสมบัติของ GaAs ชี้ให้เห็นว่าทองคำนาโนสามารถมีอิทธิพลต่อการคุณสมบัติของสารกึ่งตัวนำ 0085 0120 0125 , และ . เมื่อเร็ว ๆ นี้ [ 23 ] เรารายงานดีเอ็นเออาจจะเลือกที่จะปรับในการทำกิจกรรม ดีเอ็นเอ และเรายังพบว่าดีเอ็นเอนาโนทองประดับ ( gnps ) สามารถเพิ่มประสิทธิภาพการปล่อยในที่จะส่งผลในการตรวจหาดีเอ็นเอ ultrasensitive . แม้จะมีความก้าวหน้าเหล่านี้ วงจรการควบคุมและการ gnps Plasmonic กับดีเอ็นเอของโมเลกุลยังคงที่จะสํารวจเพิ่มเติมและเข้าใจ นอกจากนี้เพื่อที่ดีที่สุดของความรู้ของเรา มีความพยายามเพียงเล็กน้อยที่จะใช้จ่ายในการใช้ DNA เพื่อพัฒนาโมเลกุลไม้บรรทัด nanoplasmonic NIR photoluminescent กึ่งตัวนำ บนแพลตฟอร์มในบทความนี้ , เรารายงานการใช้ไม้บรรทัดโมเลกุลดีเอ็นเอเพื่อปรับการปล่อยนี้กับคุณเพิ่ม SP . ต่อ gnps / GaAs ผิวแยกดีเอ็นเอไฮบริดได้รับการออกแบบ และแสดงเป็นแผนผังที่แสดงในรูปที่ 1 วิธีทดลองนี้ใช้ลําดับขั้นตอนของ functionalization DNA hybridization ดีเอ็นเอและ gnps ต่างๆบน GaAs ซึ่งประกอบด้วยสองขั้นตอนของปฏิกิริยาเคมี thiol ( au-s ga-s , หรือ as-s ) ผนวกเป็น dsdna แข็งและค่อนข้างบน GaAs gnps ตามลำดับ [ 23 ] วิธีง่าย ๆ มีการปรับเปลี่ยนกลยุทธ์ nonlithograhic ง่ายในพื้นผิวที่มีขนาดใหญ่แบน gnps . ต่อไป เราจะพบว่าพฤติกรรมต่างๆของดีเอ็นเอ gnps บนนี้สามารถเพิ่มประสิทธิภาพของการปล่อยจากคุณณ . ขอเสนอว่า ความยาวขึ้นอยู่กับการดีเอ็นเอที่จะเป็นผลจากที่รู้จักกันเป็นกลไกของโลหะ การเพิ่ม