Figure 1-9 shows a typical CRYSTAL

Figure 1-9 shows a typical CRYSTAL FURNACE. The seed crystal is lowered until it comes in contact with the molten material-silicon in this case. It is then rotated and raised very slowly. The seed crystal is at a lower temperature than the molten material. When the molten material is in contact with the seed, it solidifies around the seed as the seed is lifted. This process continues until the grown crystal is of the desired length. A typical crystal is about 2 inches in diameter and 10 to 12 inches long. Larger diameter crystals can be grown to meet the needs of the industry. The purity of the material is strictly
controlled to maintain specific semiconductor properties. Depending on the need, n or p impurities are added to produce the desired characteristics. Several other methods of growing crystals exist, but the basic concept of crystal production is the same.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

รูปที่ 1-9 แสดงเตาไฟคริสตัลทั่วไป เดอะคริสตัลเมล็ดจะลดลงจนมันมาสัมผัสกับวัสดุซิลิคอนหลอมเหลวในกรณีนี้ แล้วหมุน และยกช้ามาก คริสตัลเมล็ดอยู่ที่อุณหภูมิต่ำกว่าวัสดุหลอมเหลว เมื่อสัมผัสกับเมล็ดพันธุ์วัสดุหลอม มันแข็งรอบ ๆ เมล็ดเป็นเมล็ดถูกยกขึ้น อยู่อย่างนี้จนกว่าคริสตัลเติบโตมีความยาวที่ต้องการ เป็นคริสตัลทั่วไปคือประมาณ 2 นิ้วเส้นผ่านศูนย์กลาง และความยาว 10-12 นิ้ว ผลึกขนาดใหญ่เส้นผ่าศูนย์กลางสามารถปลูกเพื่อตอบสนองความต้องการของอุตสาหกรรม ความบริสุทธิ์ของวัสดุเป็นอย่างเคร่งครัดควบคุมการรักษาคุณสมบัติสารกึ่งตัวนำเฉพาะ ขึ้นอยู่กับความต้องการ n หรือ p สิ่งสกปรกจะถูกเพิ่มในการผลิตลักษณะที่ต้อง มีอยู่หลายวิธีของผลึกเติบโต แต่เป็นแนวคิดพื้นฐานของการผลิตคริสตัลเหมือนกัน

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

รูปที่ 1-9 แสดงให้เห็นเตา CRYSTAL ทั่วไป คริสตัลเมล็ดจะลดลงจนมันมาในการติดต่อกับหลอมเหลววัสดุซิลิกอนในกรณีนี้ มันจะหมุนแล้วและเติบโตช้ามาก คริสตัลเมล็ดพันธุ์ที่อุณหภูมิต่ำกว่าวัสดุหลอมเหลว เมื่อวัสดุหลอมเหลวอยู่ในการติดต่อกับเมล็ดมันแข็งตัวรอบเมล็ดเป็นเมล็ดพันธุ์จะถูกยกขึ้น กระบวนการนี้ต่อไปจนกว่าคริสตัลเติบโตขึ้นเป็นความยาวที่ต้องการ คริสตัลทั่วไปคือประมาณ 2 นิ้วและมีขนาดเส้นผ่าศูนย์กลาง 10-12 นิ้วยาว ขนาดใหญ่เส้นผ่าศูนย์กลางผลึกสามารถปลูกเพื่อสนองความต้องการของอุตสาหกรรม ความบริสุทธิ์ของวัสดุที่เป็นอย่างเคร่งครัด
ควบคุมเพื่อรักษาคุณสมบัติเฉพาะเซมิคอนดักเตอร์ ทั้งนี้ขึ้นอยู่กับความจำเป็นที่ N หรือ P สิ่งสกปรกที่มีการเพิ่มการผลิตลักษณะที่ต้องการ วิธีการอื่น ๆ อีกหลายของผลึกการเจริญเติบโตอยู่ แต่แนวคิดพื้นฐานของการผลิตผลึกเหมือนกัน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

รูปที่ 9 แสดงเตาหลอมผลึกทั่วไป เม็ดคริสตัลจะลดลง จนกว่าจะมาติดต่อกับซิลิคอนเป็นวัสดุหลอมเหลวในคดีนี้ มันก็หมุนและโตช้ามาก เม็ดคริสตัลที่อุณหภูมิต่ำกว่าวัสดุหลอม เมื่อวัสดุหลอมเหลวอยู่ในการติดต่อกับเมล็ด มันรวมตัวกันรอบ ๆเมล็ด เช่น เมล็ดจะถูกยกเลิก กระบวนการนี้อย่างต่อเนื่องจนโต คริสตัลของความยาวที่ต้องการ คริสตัลโดยทั่วไปมีเส้นผ่าศูนย์กลางประมาณ 2 นิ้ว ยาว 12 นิ้ว และ 10 . ผลึกขนาดเส้นผ่าศูนย์กลางขนาดใหญ่สามารถพัฒนาเพื่อตอบสนองความต้องการของอุตสาหกรรม ความบริสุทธิ์ของวัสดุเป็นอย่างเคร่งครัดการควบคุมการรักษาคุณสมบัติของสารกึ่งตัวนำที่เฉพาะเจาะจง ทั้งนี้ขึ้นอยู่กับความต้องการ , N หรือ P สิ่งสกปรกจะถูกเพิ่มในการผลิตคุณลักษณะที่พึงประสงค์ . หลายวิธีการอื่น ๆของการปลูกผลึกอยู่ แต่แนวคิดพื้นฐานของการผลิตผลึกเป็นแบบเดียวกัน