4. ConclusionIn summary, the growth of AlN/GaN/AlN heterostruc-tures o การแปล - 4. ConclusionIn summary, the growth of AlN/GaN/AlN heterostruc-tures o ไทย วิธีการพูด

4. ConclusionIn summary, the growth

4. Conclusion

In summary, the growth of AlN/GaN/AlN heterostruc-
tures on silicon substrate has been successfully performed
using plasma-assisted MBE. The microstructures and opti-
cal properties of the sample have been revealed by using
HR-XRD, photoluminescence, Raman, TEM, SAED, DF STEM
and HAADF STEM. XRD spectrum confirmed that the
sample was hexagonal structure. Raman spectrum showed
all four Raman-active modes inside the sample. The MSM
UV photodetector fabricated on AlN/GaN/AlN heterostruc-
tures has also been presented. A good photoresponse
result indicates that the device can detect UV light to
produce photo-current response.
0/5000
จาก: -
เป็น: -
ผลลัพธ์ (ไทย) 1: [สำเนา]
คัดลอก!
4. บทสรุปในสรุป การเจริญเติบโตของ AlN/ย่าน/AlN heterostruc-ดำเนินการ tures บนพื้นผิวซิลิกอนที่เรียบร้อยแล้ว ใช้พลาสม่าช่วย MBE Microstructures กับ opti-cal คุณสมบัติของตัวอย่างได้รับการเปิดเผยโดย HR-XRD, photoluminescence รามัน ยการ SAED ก้าน DF และ ก้าน HAADF สเปกตรัม XRD ยืนยันว่า การ ตัวอย่างโครงสร้างหกเหลี่ยมได้ พบสเปกตรัมรามัน รามันใช้งานสี่ทุกโหมดภายในตัวอย่าง MSM หลังสร้างบน AlN/ย่าน/AlN heterostruc - photodetector UVนอกจากนี้ยังได้ถูกนำเสนอ tures Photoresponse ดี ผลลัพธ์บ่งชี้ว่า อุปกรณ์สามารถตรวจจับแสง UV ผลิตตอบสนองภาพปัจจุบัน
การแปล กรุณารอสักครู่..
ผลลัพธ์ (ไทย) 2:[สำเนา]
คัดลอก!
4. สรุปในการสรุปการเจริญเติบโตของ ALN / กาน / ALN heterostruc- Tures บนพื้นผิวซิลิกอนได้รับการดำเนินการประสบความสำเร็จในการใช้พลาสม่า MBE ช่วย จุลภาคและปรับปรุงคุณสมบัติ cal ของกลุ่มตัวอย่างที่ได้รับการเปิดเผยโดยใช้HR-XRD, สเซนต์, รามัน TEM, SAED, DF STEM และ STEM HAADF สเปกตรัม XRD ยืนยันว่ากลุ่มตัวอย่างที่เป็นโครงสร้างหกเหลี่ยม สเปกตรัมรามันแสดงให้เห็นว่าทั้งสี่โหมดรามันใช้งานภายในตัวอย่าง MSM photodetector UV ประดิษฐ์ใน ALN / กาน / ALN heterostruc- ตูเรสยังได้รับการเสนอ photoresponse ดีผลการวิจัยพบว่าอุปกรณ์ที่สามารถตรวจจับแสงยูวีที่จะผลิตการตอบสนองภาพปัจจุบัน













การแปล กรุณารอสักครู่..
ผลลัพธ์ (ไทย) 3:[สำเนา]
คัดลอก!
4 . สรุป

สรุปแล้ว การเจริญเติบโตของ ALN / กัน / ALN heterostruc -
ตูเรสซิลิคอนได้ดำเนินการ
ใช้พลาสมาช่วย MBE . โครงสร้าง และ OPTI -
แคลคุณสมบัติของตัวอย่างที่ได้รับการเปิดเผยโดยการใช้แบบ hr-xrd
, ,
saed รามัน , เต็ม , ต้น , df haadf และก้าน วิเคราะห์สเปกตรัมยืนยันว่า
ตัวอย่างโครงสร้างหกเหลี่ยม รามานสเปกตรัมพบ
ทั้งหมดสี่รามันโหมดการใช้งานภายในตัวอย่าง MSM
ยูวีโฟโตดีเทกเตอร์ฟิล์ม ALN / กัน / ALN heterostruc -
ตูเรส ยังได้รับการเสนอ ผล photoresponse
ดีแสดงว่าอุปกรณ์ที่สามารถตรวจจับแสงยูวี เพื่อผลิตกระแสตอบรับภาพ

.
การแปล กรุณารอสักครู่..
 
ภาษาอื่น ๆ
การสนับสนุนเครื่องมือแปลภาษา: กรีก, กันนาดา, กาลิเชียน, คลิงออน, คอร์สิกา, คาซัค, คาตาลัน, คินยารวันดา, คีร์กิซ, คุชราต, จอร์เจีย, จีน, จีนดั้งเดิม, ชวา, ชิเชวา, ซามัว, ซีบัวโน, ซุนดา, ซูลู, ญี่ปุ่น, ดัตช์, ตรวจหาภาษา, ตุรกี, ทมิฬ, ทาจิก, ทาทาร์, นอร์เวย์, บอสเนีย, บัลแกเรีย, บาสก์, ปัญจาป, ฝรั่งเศส, พาชตู, ฟริเชียน, ฟินแลนด์, ฟิลิปปินส์, ภาษาอินโดนีเซี, มองโกเลีย, มัลทีส, มาซีโดเนีย, มาราฐี, มาลากาซี, มาลายาลัม, มาเลย์, ม้ง, ยิดดิช, ยูเครน, รัสเซีย, ละติน, ลักเซมเบิร์ก, ลัตเวีย, ลาว, ลิทัวเนีย, สวาฮิลี, สวีเดน, สิงหล, สินธี, สเปน, สโลวัก, สโลวีเนีย, อังกฤษ, อัมฮาริก, อาร์เซอร์ไบจัน, อาร์เมเนีย, อาหรับ, อิกโบ, อิตาลี, อุยกูร์, อุสเบกิสถาน, อูรดู, ฮังการี, ฮัวซา, ฮาวาย, ฮินดี, ฮีบรู, เกลิกสกอต, เกาหลี, เขมร, เคิร์ด, เช็ก, เซอร์เบียน, เซโซโท, เดนมาร์ก, เตลูกู, เติร์กเมน, เนปาล, เบงกอล, เบลารุส, เปอร์เซีย, เมารี, เมียนมา (พม่า), เยอรมัน, เวลส์, เวียดนาม, เอสเปอแรนโต, เอสโทเนีย, เฮติครีโอล, แอฟริกา, แอลเบเนีย, โคซา, โครเอเชีย, โชนา, โซมาลี, โปรตุเกส, โปแลนด์, โยรูบา, โรมาเนีย, โอเดีย (โอริยา), ไทย, ไอซ์แลนด์, ไอร์แลนด์, การแปลภาษา.

Copyright ©2024 I Love Translation. All reserved.

E-mail: