Eq. (4) was used to calculate the c

Eq. (4) was used to calculate the crystal size using the (110) of α-
phase and (111) of γ-phase, and the results are shown in Table 5. The
table reveals that for as-grown thin films, α crystals are twice as large
as γ crystals. Annealing thin films at 500 °C causes a sharp increase in
the crystal size of both α and γ phases. However, increasing the annealing
temperature to 600 °C causes a slight decrease in the crystal size of
α-phase while the size of γ-phase crystals remains unchanged

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ใช้การคำนวณขนาดผลึก (110) ของα - ใช้ eq. (4)เฟสและ (111) ของγเฟส และผลลัพธ์จะถูกแสดงในตาราง 5 การตารางแสดงให้เห็นว่า โตเป็นฟิล์มบาง αผลึกอยู่สองขนาดใหญ่เป็นγผลึก ฟิล์มบางที่ 500 ° C ในการหลอมทำให้เพิ่มความคมชัดในคริสตัลขนาดของαและγ อย่างไรก็ตาม เพิ่มการหลอมอุณหภูมิถึง 600 ° C ทำให้เกิดการลดลง slight ขนาดคริสตัลเฟสαในขณะที่ขนาดของγเฟสผลึกยังคงไม่เปลี่ยนแปลง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

อีคิว (4) ถูกใช้ในการคำนวณขนาดของผลึกโดยใช้ (110) ของα-
เฟสและ (111) ของγเฟสและผลที่แสดงในตารางที่ 5
ตารางแสดงให้เห็นว่าสำหรับภาพยนตร์บางเป็นปลูกผลึกα เป็นสองเท่าขนาดใหญ่
ผลึกเป็นγ หลอมฟิล์มบางที่ 500 องศาเซลเซียสทำให้เกิดการเพิ่มมากขึ้นใน
ขนาดผลึกของทั้งαและขั้นตอนγ อย่างไรก็ตามการเพิ่มการอบ
ที่อุณหภูมิ 600 องศาเซลเซียสทำให้เกิดการลดลงเล็กน้อยในขนาดผลึกของ
αเฟสในขณะที่ขนาดของผลึกγเฟสยังคงไม่เปลี่ยนแปลง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

อีคิว ( 4 ) ถูกใช้เพื่อคำนวณขนาดผลึกที่ใช้ ( 110 ) ของแอลฟาเฟส ( 111 ) γ - เฟส และผลลัพธ์จะแสดงดังตารางที่ 5 ที่ตารางแสดงเป็นโต , ฟิล์มบางαผลึกมีขนาดใหญ่สองเท่าเป็นผลึกγ . การอบฟิล์มบางที่ 500 ° C สาเหตุที่เพิ่มมากขึ้นในคริสตัลขนาดของทั้งสองαและระยะγ . อย่างไรก็ตาม การเพิ่มการอบอ่อนอุณหภูมิ 600 องศา C สาเหตุลดลงเล็กน้อยในผลึก ขนาดของแอลฟา ( ในขณะที่ขนาดของผลึกγ - ระยะที่ยังคงไม่เปลี่ยนแปลง