Flash memory is an electronic non-v

Flash memory is an electronic non-volatile computer storage medium that can be electrically erased and reprogrammed.

Introduced by Toshiba in 1984, flash memory was developed from EEPROM (electrically erasable programmable read-only memory). There are two main types of flash memory, which are named after the NAND and NOR logic gates. The individual flash memory cells exhibit internal characteristics similar to those of the corresponding gates.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

หน่วยความจำแฟลชจะเป็นสื่อบันทึกข้อมูลอิเล็กทรอนิกส์คอมพิวเตอร์ไม่ระเหยที่สามารถนวดลบ และ reprogrammedนำ โดย Toshiba ใน 1984 หน่วยความจำแฟลชได้รับการพัฒนาจาก EEPROM (electrically erasable โปรแกรมรอม) มีหลักอยู่สองชนิดของหน่วยความจำแฟลช ซึ่งชื่อหลังจาก NAND และ NOR ตรรกะประตู เซลล์แต่ละหน่วยความจำแฟลชแสดงลักษณะภายในใกล้เคียงกับประตูตรงกัน

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

หน่วยความจำ Flash เป็นคอมพิวเตอร์ไม่ระเหยอิเล็กทรอนิกส์สื่อเก็บข้อมูลที่สามารถลบได้ด้วยระบบไฟฟ้าและปรับผัง. นำโดยโตชิบาในปี 1984 หน่วยความจำแฟลชได้รับการพัฒนาจาก EEPROM (ระบบไฟฟ้าบรรจุโปรแกรมหน่วยความจำอ่านอย่างเดียว) มีสองประเภทหลักของหน่วยความจำแฟลชที่มีการตั้งชื่อตาม NAND และ NOR ประตูตรรกะ เซลล์หน่วยความจำแฟลชของแต่ละบุคคลแสดงลักษณะภายในคล้ายกับบรรดาของประตูที่สอดคล้องกัน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

หน่วยความจำแฟลชเป็นอิเล็กทรอนิกส์ไม่ระเหยกระเป๋าคอมพิวเตอร์ขนาดกลางที่สามารถไฟฟ้าลบ และลงโปรแกรมใหม่

แนะนำโดยโตชิบา ใน ปี 1984 , หน่วยความจำแฟลชถูกพัฒนาจาก EEPROM ( ลบออกไฟฟ้าแบบอ่านอย่างเดียวหน่วยความจำ ) มีอยู่สองประเภทหลักของหน่วยความจำแฟลชซึ่งเป็นชื่อหลังจากที่ NAND และไม่มีประตูตรรกะแต่ละเซลล์หน่วยความจำแฟลชภายในมีลักษณะคล้ายกับบรรดาของประตูตรงกัน