Wet etching is a material removal p

Wet etching is a material removal process that uses liquid chemicals or etchants to remove
materials from a wafer. The specific patters are defined by masks on the wafer. Materials that are
not protected by the masks are etched away by liquid chemicals. These masks are deposited and
patterned on the wafers in a prior fabrication step using lithography.
[2]
A wet etching process involves multiple chemical reactions that consume the original reactants
and produce new reactants. The wet etch process can be described by three basic steps. (1)
Diffusion of the liquid etchant to the structure that is to be removed. (2) The reaction between the
liquid etchant and the material being etched away. A reduction-oxidation (redox) reaction
usually occurs. This reaction entails the oxidation of the material then dissolving the oxidized
material. (3) Diffusion of the byproducts in the reaction from the reacted surface

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

แกะสลักเปียกคือ กระบวนการกำจัดวัสดุที่ใช้สารเคมีเหลวหรือ etchants เพื่อลบออกวัสดุจากเวเฟอร์ เรื่องเฉพาะกำหนด โดยหน้ากากบนเวเฟอร์ วัสดุที่มีไม่มีป้องกันโดยฝังหน้ากาก โดยสารเคมีเหลวไป ฝากหน้ากากเหล่านี้ และมีลายบนเวเฟอร์ในขั้นตอนก่อนการผลิตโดยใช้ภาพพิมพ์หิน[2]เปียกที่แกะสลักกระบวนการเกี่ยวข้องกับปฏิกิริยาเคมีหลายที่กินสารตั้งต้นฉบับและผลิตสารตั้งต้นใหม่ กระบวนการกัดเปียกสามารถอธิบาย โดย 3 ขั้นตอน (1)การกระจายของ etchant ของเหลวกับโครงสร้างที่จะถูกเอาออก (2) ปฏิกิริยาระหว่างการetchant ของเหลวและวัสดุที่ถูกฝังไป ปฏิกิริยาลดออกซิเดชัน (รีด็อกซ์)มักจะเกิดขึ้น ปฏิกิริยานี้ entails ออกซิเดชันของวัสดุแล้ว ยุบตัวออกซิไดซ์วัสดุที่ (3) การกระจายของผลพลอยได้ในการเกิดปฏิกิริยากับผิว reacted

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

แกะสลักเปียกเป็นขั้นตอนการกำจัดวัสดุที่ใช้สารเคมีที่เป็นของเหลวหรือ etchants เพื่อเอา
วัสดุจากเวเฟอร์ patters เฉพาะจะถูกกำหนดโดยมาสก์บนแผ่นเวเฟอร์ วัสดุที่
ไม่ได้รับการคุ้มครองโดยมาสก์จะถูกฝังอยู่ห่างจากสารเคมีที่เป็นของเหลว หน้ากากเหล่านี้จะถูกนำไปฝากไว้และ
ลวดลายบนเวเฟอร์ในขั้นตอนการผลิตก่อนที่จะใช้พิมพ์หิน.
[2]
กระบวนการแกะสลักเปียกเกี่ยวข้องกับการเกิดปฏิกิริยาทางเคมีหลายตัวที่ใช้สารตั้งต้นเดิม
และผลิตสารตั้งต้นใหม่ กระบวนการจำหลักเปียกสามารถอธิบายได้ด้วยสามขั้นตอนพื้นฐาน (1)
การแพร่กระจายของ etchant ของเหลวโครงสร้างที่จะถูกลบออก (2) การเกิดปฏิกิริยาระหว่าง
etchant ของเหลวและวัสดุที่ถูกฝังอยู่ห่างออกไป ลดการเกิดออกซิเดชัน (อกซ์) ปฏิกิริยา
มักจะเกิดขึ้น ปฏิกิริยานี้ entails ออกซิเดชันของวัสดุที่แล้วละลายออกซิไดซ์ที่
วัสดุ (3) การแพร่กระจายของผลพลอยได้ในการเกิดปฏิกิริยาจากพื้นผิวที่มีปฏิกิริยาตอบสนอง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ทำให้เปียกแกะสลักเป็นวัสดุกำจัดกระบวนการที่ใช้สารเคมีที่เป็นของเหลวหรือ etchants ลบวัสดุจากเวเฟอร์ ระบุ patters จะกำหนดโดยหน้ากากบนเวเฟอร์ วัสดุที่เป็นไม่ได้รับการคุ้มครองโดยหน้ากากมีรอยห่างจากสารเคมีเหลว รูปแบบเหล่านี้จะฝากและลวดลายบนเวเฟอร์ในขั้นตอนก่อนการใช้หิน .[ 2 ]กระบวนการที่เกี่ยวข้องกับการเปียกหลายปฏิกิริยาทางเคมี ที่ใช้สารตั้งต้นเดิมและผลิตสารตั้งต้นใหม่ เปียกกระบวนการกัดกร่อน สามารถอธิบายได้ด้วยสามขั้นตอนพื้นฐาน ( 1 )การแพร่กระจายของ etchant เหลวกับโครงสร้างที่จะถูกลบออก ( 2 ) ปฏิกิริยาระหว่างetchant เหลวและวัสดุที่ถูกฝังไป ( 1 ) ปฏิกิริยาออกซิเดชันลดมักจะเกิดขึ้น ปฏิกิริยานี้ entails ออกซิเดชันของวัสดุแล้วการละลายออกซิไดซ์วัสดุ ( 3 ) การแพร่กระจายของสารในปฏิกิริยาจากปฏิกิริยาที่ผิว