That is, the decreased mobility at

That is, the decreased mobility at 200C is attributed to increase ofsurface bonding.Therefore,the change of oxygen-vacancy and surface bonding is coincided with the behavior of carrier concentration and mobility. Generally, many researcher have been reported that the deposition of higher substrate temperature improve the crystallinity and the resistivity of film [25,15]. That is, despite of decrease of oxygen vacancy, the carrier concentration increases due to increase in Al content, indicating that the Al content is main parameter in change of the carrier concentration. However, in our case, the crystallinity of AZO film is improved but the resistivity is degraded with increasing the substrate temperature. In order to confirm the root cause of this difference, we analyzed the Al content in AZO thin film, shown in Fig. 5.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

นั่นคือ การเคลื่อนไหวลดลงที่ 200 C มาประกอบกับเพิ่มพันธะ ofsurface ดังนั้น การเปลี่ยนแปลงของออกซิเจนตำแหน่งว่างและพื้นผิวที่ยึดเกาะเป็นสอดคล้องกับพฤติกรรมของความเข้มข้นของผู้ขนส่งและการเคลื่อนไหว โดยทั่วไป นักวิจัยหลายคนได้รับการรายงานว่า การสะสมของอุณหภูมิพื้นผิวสูงกว่าปรับปรุงผลึกที่ความต้านทานของภาพยนตร์ [25,15] นั่นคือ แม้มีการลดลงของออกซิเจนตำแหน่ง ความเข้มข้นของผู้ให้บริการเพิ่มเพิ่มอัลเนื้อหา แสดงว่า เนื้อหาอัลอยู่พารามิเตอร์หลักในการเปลี่ยนแปลงความเข้มข้นของผู้ให้บริการ อย่างไรก็ตาม ในกรณีของเรา ผลึกของ AZO ภาพยนตร์จะดีขึ้น แต่ความต้านทานที่จะสลายตัว ด้วยการเพิ่มอุณหภูมิพื้นผิว เพื่อที่จะ confirm สาเหตุของความแตกต่างนี้ เราวิเคราะห์เนื้อหาอัลในภาพยนตร์บาง AZO แสดงในรูปที่ 5

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

นั่นคือการเคลื่อนไหวลดลงที่ 200 องศาเซลเซียสประกอบกับเพิ่ม ofsurface bonding.Therefore การเปลี่ยนแปลงของออกซิเจนว่างและพันธะพื้นผิวที่ใกล้เคียงกับพฤติกรรมของความเข้มข้นของผู้ให้บริการและการเคลื่อนไหว โดยทั่วไปหลายนักวิจัยที่ได้รับการรายงานว่าการสะสมของอุณหภูมิพื้นผิวสูงกว่าปรับปรุงผลึกและความต้านทานของ Fi LM ม [25,15] นั่นคือแม้จะมีการลดลงของว่างออกซิเจนเพิ่มขึ้นความเข้มข้นของผู้ให้บริการเนื่องจากการเพิ่มขึ้นในเนื้อหาของอัลแสดงให้เห็นว่าเนื้อหาที่อัลเป็นพารามิเตอร์หลักในการเปลี่ยนแปลงของความเข้มข้นของผู้ให้บริการ อย่างไรก็ตามในกรณีของเราเป็นผลึกของ AZO Fi LM จะดีขึ้น แต่ความต้านทานที่มีการสลายตัวด้วยการเพิ่มอุณหภูมิพื้นผิว เพื่อที่จะ con Fi RM สาเหตุของความแตกต่างนี้เราวิเคราะห์เนื้อหาอัลใน AZO LM Fi บางที่แสดงในรูป 5

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

นั่นคือ การเคลื่อนไหวลดลงอยู่ที่ 200 ดอลลาร์ ofsurface เชื่อมเพิ่มขึ้น ดังนั้น การเปลี่ยนแปลงของออกซิเจนและพื้นผิวการว่างเป็นสอดคล้องกับพฤติกรรมของผู้ให้บริการและการเคลื่อนไหว โดยทั่วไปนักวิจัยหลายคนได้รายงานว่า คำให้การของ อุณหภูมิพื้นผิวสูงปรับปรุงความเป็นผลึกและความต้านทานของ LM 25,15 [ จึง ] นั่นคือ แม้จะมีการลดตำแหน่งงานออกซิเจน , ผู้ให้บริการสมาธิที่เพิ่มขึ้นเนื่องจากการเพิ่มขึ้นของ อัล เนื้อหาระบุว่า เนื้อหาอัลเป็นพารามิเตอร์หลักในการเปลี่ยนแปลงของผู้ให้บริการที่ความเข้มข้น แต่ในกรณีของเรา ผลึกของอาร์ทีมิสจึง LM จะดีขึ้น แต่ทำให้มีการสลายตัวด้วยการเพิ่มพื้นผิวอุณหภูมิ เพื่อที่จะต่อต้านจึง RM รากสาเหตุของความแตกต่างนี้ เราจะทำการวิเคราะห์เนื้อหาในเอโซบางอัลจึง LM , แสดงในรูปที่ 5