shows the variation of resistivity,

shows the variation of resistivity, carrier concentration
and mobility as function of rf power. As the rf power
increases from 100 to 250 W, the resistivity of the films deposited
decreases from 4
×
10−3 to 1
×
10−3  cm, with a corresponding
increase in both the concentration and mobility of carriers.
These data are in line with data revealed by Fig. 11 and corresponding
to AZO sintering targets that reveal higher mobilities
and lower carrier concentrations than the deposited films in good
agreement with the results obtained by Wu et al.12 and Huang
et al.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

แสดงการเปลี่ยนแปลงของความต้านทานไฟฟ้า ความเข้มข้นของผู้ให้บริการและการเคลื่อนไหวเป็นฟังก์ชันของพลังงาน rf เป็นพลังงาน rfเพิ่มจาก 100 250 W ความต้านทานของฟิล์มฝากลดลงจาก 4×10−3 1×10−3 ซม. การเพิ่มความเข้มข้นและความคล่องตัวของสายการบินข้อมูลเหล่านี้จะสอดคล้องกับข้อมูลที่เปิดเผย โดย 11 รูปและสอดคล้องการเผาเป้าหมายที่สูงกว่า mobilities AZOและลดความเข้มข้นของผู้ให้บริการกว่าฟิล์มฝากในดีข้อตกลง มีผลได้ โดย Wu et al.12 และหวงet al

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

แสดงให้เห็นถึงการเปลี่ยนแปลงของความต้านทานความเข้มข้นของผู้ให้บริการ
และการเคลื่อนไหวเป็นฟังก์ชั่นของการใช้พลังงาน RF ในฐานะที่เป็น RF พลังงาน
เพิ่มขึ้น 100-250 W ต้านทานของภาพยนตร์ที่ฝาก
ลดลงจาก 4
×
10-3 ถึง 1
×
10-3? ซม. มีที่สอดคล้องกัน
เพิ่มขึ้นทั้งในความเข้มข้นและการเคลื่อนไหวของผู้ให้บริการ.
ข้อมูลเหล่านี้สอดคล้องกับข้อมูลที่เปิดเผยโดยรูป 11 และสอดคล้องกัน
เพื่อ AZO เป้าหมายการเผาที่เปิดเผยเคลื่อนที่สูงขึ้น
และความเข้มข้นต่ำกว่าผู้ให้บริการภาพยนตร์ที่ดีไปฝากไว้ใน
ข้อตกลงกับผลที่ได้รับจาก Wu et al.12 และ Huang
et al,

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

แสดงการเปลี่ยนแปลงของค่าความต้านทานของบริษัทขนส่งและการเคลื่อนไหวเป็นฟังก์ชันของ RF Power เป็นพลังงาน RFเพิ่มขึ้นจาก 100 ถึง 250 W ที่ความต้านทานของฟิล์มที่ฝากลดลงจาก 4×10 − 3 ต่อ 1×10 − 3 ซม. ด้วยเหมือนกันเพิ่มทั้งสมาธิและการเคลื่อนไหวของผู้ให้บริการ .ข้อมูลเหล่านี้สอดคล้องกับข้อมูล โดยรูปที่ 11 และกับการเปิดเผย mobilities สูงกว่าเป้าหมายที่ :และลดความเข้มข้นมากกว่าผู้ให้บริการฝากภาพยนตร์ดีข้อตกลงกับผลลัพธ์ที่ได้ โดย Wu และ al.12 และหวงet al .