All of the metal films were sputter

All of the metal films were sputter deposited onto thermally oxidized silicon substrates. The deposition parameters for each film, listed in order of decreasing t50 are listed in Table I. No intentional substrate heating was used in any deposition process

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ทั้งหมดของฟิล์มโลหะ sputter ฝากลงบนซิลิคอนแพตกแต่งพื้นผิวได้ แสดงในตารางพารามิเตอร์สะสมสำหรับแต่ละฟิล์ม แสดงลำดับลด t50 ผม ไม่มีตกพื้นผิวความร้อนใช้ในกระบวนการสะสมใด ๆ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ทั้งหมดของภาพยนตร์โลหะมีเงินพ่นลงบนพื้นผิวออกซิไดซ์ความร้อนซิลิกอน พารามิเตอร์การสะสมสำหรับภาพยนตร์แต่ละเรื่องที่ระบุไว้ในคำสั่งของการลด T50 มีการระบุไว้ในตารางที่ I. ไม่มีความร้อนพื้นผิวเจตนาที่ใช้ในกระบวนการสะสมใด ๆ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ทั้งหมดโลหะฟิล์มละล่ำละลักฝากลงจากซิลิคอน ซึ่งท สะสมพารามิเตอร์สำหรับภาพยนตร์แต่ละ ระบุอยู่ในคำสั่งของการลด t50 อยู่ในโต๊ะผมไม่มีเจตนาตั้งต้นคือใช้ความร้อนในกระบวนการสะสมใด ๆ