The in homogeneity of epitaxial gra

The in homogeneity of epitaxial graphene
generated by steps and terraces of SiC substrates is also discussed. The simulation results quantify
possible statistical errors in Hall mobility measurements, Dirac point estimation and non-uniformity of
scaled devices over wafers.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

Homogeneity ในของ epitaxial grapheneสร้างขึ้นตามขั้นตอนและเทอเรสของ SiC พื้นผิวยังกล่าวถึงการ กำหนดปริมาณของผลการทดลองเป็นไปได้ทางสถิติข้อผิดพลาดในฮอลล์เห็นวัด ดิแรกชี้ประเมินและไม่ใช่รื่นรมย์ปรับอุปกรณ์มากกว่ารับ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ในความเป็นเนื้อเดียวกันของ graphene epitaxial
สร้างโดยขั้นตอนและระเบียงของพื้นผิว SiC ยังมีการกล่าวถึง ผลการจำลองปริมาณข้อผิดพลาดทางสถิติที่เป็นไปได้ในการวัดการเคลื่อนไหวของฮอลล์ประมาณจุด Dirac และไม่สม่ำเสมอของอุปกรณ์ปรับมากกว่าเวเฟอร์

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ในค่า
epitaxial กราฟีนที่สร้างขึ้นโดยขั้นตอนและระเบียงของ SIC ) ยังกล่าวถึง ผลการจำลองแบบจะหาข้อผิดพลาดที่เป็นไปได้ในการวัดสถิติ
( Hall , Dirac และจุดการประกอบ
ปรับอุปกรณ์เวเฟอร์