As seen Fig. 2(b), it is found that

As seen Fig. 2(b), it is found that
the nanorod growth occurs in two steps on Si substrate.
In the first step, a base nanorod of 350–400
nm diameter grow up to a height of 400 nm; then, the
diameter decreases to 150–200 nm for a length of 800
nm in the top portion.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เป็นเห็น Fig. 2(b) มันอยู่ที่การเติบโตของ nanorod เกิดขึ้นในสองขั้นตอนบนพื้นผิวศรีในขั้นแรก nanorod ฐานของ 350 – 400นาโนเมตรเส้นผ่าศูนย์กลางโตขึ้นความสูงของ 400 nm นั้นเส้นผ่าศูนย์กลางลดไป 150-200 nm สำหรับความยาว 800nm ในส่วนด้านบน

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เท่าที่เห็นรูป 2 (ข)
ก็จะพบว่าการเจริญเติบโตnanorod เกิดขึ้นในขั้นตอนที่สองบนพื้นผิวศรี.
ในขั้นตอนแรก nanorod ฐานของ 350-400
เส้นผ่าศูนย์กลางนาโนเมตรเติบโตขึ้นกับความสูง 400 นาโนเมตร; แล้วเส้นผ่าศูนย์กลางลดลง 150-200 นาโนเมตรสำหรับความยาวของ 800 นาโนเมตรในส่วนด้านบน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เห็นรูปที่ 2 ( ข ) พบว่า nanorod
การเจริญเติบโตเกิดขึ้นในสองขั้นตอนในจังหวัด ( .
ในขั้นตอนแรก ฐาน nanorod 350 – 400
nm ขนาดเส้นผ่าศูนย์กลางโตความสูง 400 nm ; งั้น
เส้นผ่าศูนย์กลางลดลง 150 – 200 nm สำหรับความยาวของ 800
nm ในส่วนด้านบน