ZnO nanostructures have attracted g

ZnO nanostructures have attracted great attention due to their unique optical, electrical and piezoelectric properties [1]. Especially, ZnO has a wide direct band gap of 3.37 eV and a large exciton binding energy of 60 meV, which are very useful for applications in UV optoelectronics with good stability [2]. There are various methods to synthesis ZnO nanostructures, such as vapor phase methods [3] and hydrothermal process [4]. Through these methods, a variety of one-dimensional (1D) ZnO nanostructures have been fabricated, including nanorods [5], nanobelts [1], nanotubes [6], and nanowires [7]. It has been well established that for the growth of 1D ZnO nanostructures, addition of impurities often induces dramatic changes in their electrical and optical properties [8], [9], [10] and [11], which are very crucial for their applications. In addition, the luminescence of ZnO films with impurities and defects typically consists of a near band edge emission and a deep level visible emission. Before achieving the fabrication of highly efficient optoelectronic devices, one needs to improve the crystallinity and reduce defects for the grown nanostructured materials.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ZnO nanostructures ได้ดึงดูดความสนใจมากเนื่องจากของแสง ไฟฟ้า และ piezoelectric คุณสมบัติ [1] โดยเฉพาะอย่างยิ่ง ZnO มีวงกว้างตรงช่องว่างของ 3.37 eV และพลังงานการผูก exciton ใหญ่ 60 meV ซึ่งมีประโยชน์มากสำหรับการใช้งานในใยแก้วนำแสง UV มีเสถียรภาพดี [2] มีวิธีการต่าง ๆ เพื่อสังเคราะห์ ZnO nanostructures เช่นไอ [3] วิธีการขั้นตอนและกระบวนการ hydrothermal [4] โดยใช้วิธีการเหล่านี้ one-dimensional (1d) ZnO nanostructures ที่หลากหลายมีการหลังสร้าง nanorods [5], nanobelts [1], [6] nanotubes, nanowires [7] และ มันดีก่อตั้งขึ้นที่เจริญ 1D ZnO nanostructures เพิ่มสิ่งสกปรกมักจะก่อให้เกิดการเปลี่ยนแปลงอย่างมากในแสง และไฟฟ้าคุณสมบัติ [8], [9], [10] [11], และที่มีความสำคัญมากสำหรับโปรแกรมประยุกต์ของตน แห่ง luminescence ของฟิล์ม ZnO มีข้อบกพร่องและสิ่งสกปรกโดยทั่วไปประกอบด้วยเล็ดรอดขอบวงที่ใกล้และมลพิษสามารถมองเห็นได้ที่ระดับลึก ก่อนที่จะบรรลุเป้าหมายการผลิตของอุปกรณ์มีประสิทธิภาพสูง optoelectronic หนึ่งต้องปรับปรุง crystallinity การ และลดข้อบกพร่องในวัสดุปลูก nanostructured

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

โครงสร้างนาโนซิงค์ออกไซด์ได้ดึงดูดความสนใจมากเนื่องจากพวกเขาที่ไม่ซ้ำกันแสงคุณสมบัติทางไฟฟ้​​าและ piezoelectric [1] โดยเฉพาะอย่างยิ่ง ZnO มีช่องว่างตรงวงกว้างของ 3.37 eV และ exciton ขนาดใหญ่พลังงานยึดเหนี่ยว 60 meV ซึ่งมีประโยชน์มากสำหรับการใช้งานในใยแก้วนำแสงยูวีที่มีเสถียรภาพที่ดี [2] มีวิธีการต่างๆในการสังเคราะห์โครงสร้างนาโนซิงค์ออกไซด์เช่นวิธีการขั้นตอนการไอ [3] และขั้นตอนการ hydrothermal [4] ผ่านวิธีการเหล่านี้ความหลากหลายของหนึ่งมิติ (1) โครงสร้างนาโนซิงค์ออกไซด์ได้รับการประดิษฐ์รวมทั้งแท่งนาโน [5], nanobelts [1], ท่อนาโน [6] และ nanowires [7] มันได้รับการยอมรับเป็นอย่างดีว่าการเจริญเติบโตของ 1D ZnO โครงสร้างนาโนที่นอกเหนือจากสิ่งสกปรกมักจะก่อให้เกิดการเปลี่ยนแปลงอย่างมากในคุณสมบัติของไฟฟ้​​าและแสงของพวกเขา [8] [9] [10] และ [11] ซึ่งเป็นสิ่งสำคัญมากสำหรับการใช้งานของพวกเขา . นอกจากนี้การเรืองแสงของฟิล์มซิงค์ออกไซด์ที่มีสิ่งสกปรกและข้อบกพร่องมักจะประกอบด้วยขอบวงใกล้ปล่อยก๊าซเรือนกระจกและระดับลึกปล่อยก๊าซเรือนกระจกที่มองเห็นได้ ก่อนที่จะบรรลุการผลิตของอุปกรณ์ optoelectronic มีประสิทธิภาพสูงซึ่งเป็นหนึ่งในความต้องการที่จะปรับปรุงเป็นผลึกและลดข้อบกพร่องสำหรับปลูกวัสดุอิเล็กทรอนิคส์

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ซิงค์ออกไซด์นาโนได้ดึงดูดความสนใจที่ดีเนื่องจากเอกลักษณ์ แสง ไฟฟ้าและสมบัติเพียโซอิเล็กทริก [ 1 ] โดยเฉพาะอย่างยิ่ง , ZnO มีแถบกว้างตรงช่องว่างของ 3.37 EV และขนาดใหญ่ exciton พลังงานยึดเหนี่ยวของ 60 MeV ซึ่งจะมีประโยชน์มากสำหรับการใช้งานใน UV ออปโตอิเล็กทรอนิกส์ที่มีเสถียรภาพดี [ 2 ] มีวิธีการต่างๆเพื่อสังเคราะห์นาโนซิงค์ออกไซด์ ,เช่น ไอเฟสวิธีการ [ 3 ] และกระบวนการไฮโดรเทอร์มอล [ 4 ] ผ่านวิธีการเหล่านี้ หลากหลายมิติ ( 1D ) ซิงค์ออกไซด์นาโนได้รับการประดิษฐ์ รวมทั้ง nanorods [ 5 ] , nanobelts [ 1 ] , [ 6 ] และนาโน , นาโน [ 7 ] มันมีได้รับการก่อตั้งขึ้นเพื่อการเจริญเติบโตของ 1D นาโนซิงค์ออกไซด์ ,นอกจากนี้สิ่งสกปรกมักจะก่อให้เกิดการเปลี่ยนแปลงอย่างมากในทางไฟฟ้าและสมบัติทางแสง [ 8 ] , [ 9 ] [ 10 ] และ [ 11 ] ซึ่งสำคัญมากสำหรับการใช้งานของพวกเขา นอกจากนี้ การเปล่งแสงของฟิล์ม ZnO กับสิ่งสกปรกและข้อบกพร่องโดยทั่วไปประกอบด้วยการปล่อยขอบวงใกล้ และระดับลึกที่มองเห็นค่าก่อนที่จะบรรลุการสร้างที่มีประสิทธิภาพสูงอุปกรณ์ optoelectronic , ต้องการเพิ่มความเป็นผลึกและลดของเสียเพื่อปลูก nanostructured วัสดุ