It was suggested that these⇑Corresp

It was suggested that these
⇑
Corresponding author. Tel.: [phone]; fax: [phone].
E-mail address: [e-mail] (Ł. Gelczuk).
http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2014.02.008
0038-1101/ 2014 Elsevier Ltd. All rights reserved.
Solid-State Electronics 94 (2014) 56–60
Contents lists available at ScienceDirect
Solid-State Electronics
journal homepage: www.elsevier.com/locate/sse
 2014 Elsevier Ltd. All rights reserved.
non-ideal characteristics result from localized lower barrier
height areas within a large area diode with higher barrier height
background. These areas are related to discrete structural or
surface defects and imperfections of SiC material

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เขาแนะนำที่นี่⇑ผู้ที่เกี่ยวข้อง โทร: 48 713203926 โทรสาร: 713283504 48ที่อยู่อีเมล์: [e-mail] (Ł. Gelczuk)http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2014.02.0080038-1101 / 2014 Elsevier จำกัด สงวนลิขสิทธิ์ทั้งหมดโซลิดสเตตอิเล็กทรอนิกส์ 94 (2014) 56-60เนื้อหารายการ ScienceDirectอิเล็กทรอนิกส์โซลิดสเตตหน้าแรกของสมุดรายวัน: www.elsevier.com/locate/sse2014 Elsevier จำกัด สงวนลิขสิทธิ์ทั้งหมดลักษณะไม่เหมาะเป็นผลมาจากอุปสรรคด้านล่างเป็นภาษาท้องถิ่นความสูงของพื้นที่ภายในพื้นที่ขนาดใหญ่ไดโอดกับความสูงของสิ่งกีดขวางสูงพื้นหลัง พื้นที่เหล่านี้เกี่ยวข้องกับโครงสร้างไม่ต่อเนื่อง หรือผิวและความไม่สมบูรณ์ของวัสดุ SiC

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

มันก็บอกว่าสิ่งเหล่านี้⇑ผู้รับผิดชอบ Tel .: [phone]; แฟ็กซ์: 48 713283504. อีเมล์: [e-mail] (ล. Gelczuk). http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2014.02.008 0038-1101 /? 2014 เอลส์ จำกัด สงวนลิขสิทธิ์. Solid-State อิเล็กทรอนิกส์ 94 (2014) 56-60 รายการเนื้อหาที่มีอยู่ใน ScienceDirect Solid-State อิเล็กทรอนิกส์วารสารหน้าแรก: www.elsevier.com/locate/sse? 2014 เอลส์ จำกัด สงวนลิขสิทธิ์. ลักษณะที่ไม่เหมาะเป็นผลมาจากภาษาท้องถิ่นอุปสรรคที่ต่ำกว่าพื้นที่สูงภายในไดโอดพื้นที่ขนาดใหญ่ที่มีความสูงกั้นสูงกว่าพื้นหลัง พื้นที่เหล่านี้มีความสัมพันธ์กับโครงสร้างที่ไม่ต่อเนื่องหรือข้อบกพร่องและความไม่สมบูรณ์ของพื้นผิวของวัสดุดังนี้

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

พบว่า⇑เหล่านี้

ที่สอดคล้องกันของผู้เขียน โทร : 48 713203926 ; โทรสาร : 48 713283504 .
e - mail address : [e-mail] ( Ł . gelczuk ) .
http : / / DX ดอย . org / 10.1016 / j.sse . 2014.02.008
0038-1101 /  2014 ทั่วโลก จำกัด .
Solid State Electronics 94 ( 2014 ) 56 - 60

เนื้อหารายการ ในงานบริการวารสารอิเล็กทรอนิกส์สถานะของแข็ง
หน้าแรก : www.elsevier .ดอทคอม / ค้นหา / SSE
 2014 ทั่วโลก จำกัด .
ไม่เหมาะลักษณะผลจากถิ่นล่างกั้น
ความสูงพื้นที่ภายในไดโอดพื้นที่ขนาดใหญ่ที่มีพื้นหลังความสูง
อุปสรรคที่สูงขึ้น พื้นที่เหล่านี้จะเกี่ยวข้องกับโครงสร้างไม่ต่อเนื่องหรือข้อบกพร่องและความไม่สมบูรณ์ของวัสดุพื้นผิว
SIC