DATA SHEET FOR JFET2N4391 JFET2N43

DATA SHEET FOR JFET2N4391 JFET
2N4391
SILICON SMALL SIGNAL N-CHANNEL JFET
FEATURES
High Speed Switching
Low On Resistance
Designed for High Reliability and Space Applications
Gate-Source Reverse Current (IGSS) = 200 nA
Channel Resistance (RDS(on)) = 30 
Drain Source On Resistance (RDS(on))
Gate–Source Cutoff Voltage (VGS(off)) = 10 V

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ข้อมูลแผ่นงานสำหรับ JFET 2N4391 JFET2N4391 JFET N ช่องสัญญาณขนาดเล็กซิลิกอนลักษณะการทำงาน ความเร็วสูงสลับ ต่ำในการต้านทาน ความน่าเชื่อถือสูงและใช้งานพื้นที่ ประตูแหล่งกลับปัจจุบัน (IGSS) =นา 200 ช่องความต้านทาน (RDS(on)) = 30  ท่อระบายน้ำแหล่งบนความต้านทาน (RDS(on)) แรงดันไฟฟ้าตัดยอดประตู – แหล่ง (VGS(off)) = 10 V

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เอกสารข้อมูลสำหรับ JFET? 2N4391 JFET
2N4391
ซิลิคอนสัญญาณขนาดเล็ก N-CHANNEL JFET
คุณสมบัติ
ความเร็วสูงการสลับ
ต่ำในการต่อต้าน
การออกแบบสำหรับความน่าเชื่อถือสูงและการประยุกต์ใช้พื้นที่
กลับเกตและแหล่งปัจจุบัน (IGSS) = 200 nA
ช่องต้านทาน (RDS (บน)) = 30 
ท่อระบายน้ำในแหล่งที่มาของความต้านทาน (RDS (บน))
เกตและแหล่งลัดแรงดัน (VGS (ปิด)) = 10 V

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

แผ่นข้อมูลสำหรับ jfet  2n4391 jfet

2n4391 ซิลิคอนเล็กสัญญาณนแชนแนล jfet


มีความเร็วสูงสลับต่ำต้านทาน
ออกแบบมาเพื่อความน่าเชื่อถือสูงและพื้นที่การใช้งาน
ประตูที่มาย้อนกลับปัจจุบัน ( igss ) = 200 na ต้านทาน
ช่องทาง ( RDS ( บน ) = 30 
ระบายต่อความต้านทาน RDS ( ( แหล่ง ) )
ประตู–แหล่งตัดแรงดัน ( วีจีเ ( ปิด ) ) = 10
V