The post-processing involves two st

The post-processing involves two steps: one removes silicon dioxide and the other etches the silicon
substrate. Figure 4(b) shows that the silicon dioxide is removed. Reactive ion etching (RIE) with
CHF3/O2 is used to etch the sacrificial oxide layer, and to expose the silicon substrate. Figure 4(c)
shows that the silicon substrate is removed.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

การประมวลผลหลังเกี่ยวข้องกับขั้นตอนที่สอง: หนึ่งเอาซิลิคอนไดออกไซด์ และอื่น ๆ etches ซิลิคอนแบบ
พื้นผิว 4(b) รูปแสดงว่า เป็นเอาซิลิกอนไดออกไซด์ ไอออนปฏิกิริยากัด (RIE) กับ
CHF3/O2 ใช้กัดชั้นออกไซด์บูชา และ การแสดงพื้นผิวซิลิกอ เลข 4 (c)
แสดงว่า พื้นผิวซิลิกอนที่จะถูกเอาออก

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

หลังการประมวลผลที่เกี่ยวข้องกับสองขั้นตอนหนึ่งเอาซิลิกอนไดออกไซด์และอื่น ๆ etches ซิลิคอน
ตั้งต้น รูปที่ 4 (ข) แสดงให้เห็นว่าซิลิกอนไดออกไซด์จะถูกลบออก การแกะสลักปฏิกิริยาไอออน (แม่พิมพ์) ที่มี
CHF3/O2 จะใช้ในการกัดชั้นออกไซด์เสียสละและเผยให้เห็นพื้นผิวซิลิกอน รูปที่ 4 (ค)
แสดงให้เห็นว่าพื้นผิวซิลิกอนจะถูกลบออก

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ผลิตที่เกี่ยวข้องกับสองขั้นตอน : หนึ่งเอาซิลิคอนไดออกไซด์และอื่น ๆ เคทูดสามารถถูกกัดซิลิคอน
พื้นผิว รูป 4 ( b ) แสดงให้เห็นว่า ซิลิคอนไดออกไซด์ คือออก ปฏิกิริยาไอออนแกะสลัก ( ริเอะ ) ด้วย
chf3 / O2 ใช้กัดชั้นออกไซด์ที่เสียสละ และประจานซิลิคอน . รูปที่ 4 ( C )
แสดงว่าซิลิคอนจะถูกเอาออก