Catalyst annealing and CNT growth w

Catalyst annealing and CNT growth were performed ina vertical cylinder atmospheric-pressure chamber built by theauthors. Flows of He (5 slm), C2H2(100 sccm), and H2(100 sccm)were maintained using electronic mass flow controllers (MFCs).After purging the tube with He for 10 min, the chamber was rampedup to 780◦C over 15 min (ramping rate: 50◦C/min), after whichgrowth of CNTs was carried out at 780◦C by adding acetylene gasto the flow for 5 min.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ทำการอบเหนียว catalyst และเจริญเติบโตของบริษัทอิทรงกระบอกแนวตั้งความดันบรรยากาศห้องสร้าง โดย theauthors ขั้นตอนของเขา (5 slm), C2H2(100 sccm) และ H2(100 sccm) ถูกรักษาโดยใช้ตัวควบคุมการไหลโดยรวมอิเล็กทรอนิกส์ (เดอร์) หลังจากล้างหลอดกับเขา 10 นาที หอการค้าถูก rampedup ไป 780◦C กว่า 15 นาที (ประกาศอัตรา: 50◦C/min), หลัง จาก whichgrowth ของ CNTs ได้ดำเนินการใน 780◦C โดยเพิ่ม gasto กับอะเซทิลีนไหลสำหรับ 5 นาที

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ตัวเร่งปฏิกิริยาการหลอมและการเจริญเติบโต CNT ได้ดำเนินการสูบ INA แนวตั้งห้องบรรยากาศความดันที่สร้างขึ้นโดย theauthors กระแสของเขา (5 SLM) C2H2 (100 SCCM) และ H2 (100 SCCM) ได้รับการดูแลโดยใช้ตัวควบคุมการไหลของมวลอิเล็กทรอนิกส์ (MFCs) หลังจากกวาดล้างหลอดกับเขาเป็นเวลา 10 นาทีห้องเป็น rampedup เพื่อ780◦Cมากกว่า 15 นาที (อัตราการกระโจน: 50◦C / นาที) หลังจาก whichgrowth ของ CNTs ได้ดำเนินการที่780◦Cโดยการเพิ่ม Gasto อะเซทิลีนไหลเป็นเวลา 5 นาที

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ตัวเร่งปฏิกิริยาการหลอมและการเติบโตทั้งจำนวนในแนวตั้งถังความดันบรรยากาศห้องที่สร้างขึ้นโดย theauthors . ไหลของเขา ( 5 SLM ) c2h2 ( 100 sccm ) และ H2 ( 100 sccm ) ยังคงใช้ตัวควบคุมการไหลของมวลอิเล็กทรอนิกส์ ( MFCs ) หลังจากล้างท่อกับเขาเป็นเวลา 10 นาที ห้อง rampedup 780 ◦ C มากกว่า 15 นาที ( เพิ่มคะแนน : 50 ◦องศาเซลเซียส / นาที )หลังจาก whichgrowth ของ cnts ถูกดำเนินการที่ 780 ◦ C โดยการเพิ่ม gasto อะเซทิลีนไหลเป็นเวลา 5 นาที