A thermoelectric thin-film device c

A thermoelectric thin-film device consisting of n-type Bi2Te3 and p-type Sb2Te3 thin-film legs was prepared on a glass substrate by using
co-evaporation and annealing process. The Seebeck coefficient and the power factor of the co-evaporated Bi2Te3 film were ¹30μV/K and
0.7 © 10¹4W/K2·m, respectively, and became substantially improved to ¹160μV/K and 16 © 10¹4W/K2·m by annealing at 400°C for 20 min.
While the Seebeck coefficient of the co-evaporated Sb2Te3 thin film was 72μV/K, it increased significantly to 165142μV/
K by annealing at
200400°
C for 20 min. A maximum power factor of 25 © 10¹4W/K2·m was achieved for the co-evaporated Sb2Te3 film by annealing at 400°C
for 20 min. A thermopile sensor consisting of 10 pairs of n-type Bi2Te3 and p-type Sb2Te3 thin-film legs exhibited a sensitivity of 2.7mV/K.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

อุปกรณ์แบบฟิล์มแบบเทอร์โมอิเล็กทริกส์ประกอบด้วย Bi2Te3 ชนิด n และชนิด p Sb2Te3 ฟิล์มบางขาเตรียมไว้บนพื้นผิวแก้วแบบโดยระเหยร่วมและกระบวนการอบเหนียว สัมประสิทธิ์ Seebeck และปัจจัยอำนาจของฟิล์ม Bi2Te3 evaporated ร่วมได้ ¹30μV/K และ0.7 © 10¹4W/K2·m ตาม ลำดับ และเป็นการปรับปรุงมาก ¹160μV/K และ 16 © 10¹4W/K2·m โดยการอบเหนียวที่ 400° C สำหรับ 20 นาทีขณะที่ค่าสัมประสิทธิ์ Seebeck evaporated ร่วม Sb2Te3 ฟิล์มบาง ๆ อยู่ 72μV/K มันเพิ่มขึ้นอย่างมีนัยสำคัญ 165142μV /K โดยการอบเหนียวที่องศา 200400C สำหรับ 20 นาที ตัวคูณพลังงานสูงสุด 25 © 10¹4W/K2·m สำเร็จสำหรับฟิล์ม Sb2Te3 evaporated ร่วม โดยการอบเหนียวที่ 400 ° Cสำหรับ 20 นาที Thermopile เซนเซอร์ประกอบด้วย 10 คู่ของ Bi2Te3 ชนิด n และชนิด p Sb2Te3 ฟิล์มบางขาจัดแสดงความไวของ 2.7mV / คุณ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

อุปกรณ์ฟิล์มบางเทอร์โมประกอบด้วยชนิดเอ็น Bi2Te3 และชนิดพี Sb2Te3 ขาฟิล์มบางได้ถูกจัดทำบนพื้นผิวแก้วโดยใช้
ร่วมการระเหยและการอบอ่อน ค่าสัมประสิทธิ์ซีเบคและปัจจัยอำนาจของผู้ร่วมระเหยฟิล์ม Bi2Te3 เป็น¹30μV / K และ
0.7 ©10¹4W / K2 · m ตามลำดับและกลายเป็นดีขึ้นอย่างมีนัยสำคัญที่จะ¹160μV / K และ 16 ©10¹4W / K2 · m โดยการอบที่ 400 ° C เป็นเวลา 20 นาที.
ในขณะที่ค่าสัมประสิทธิ์ของ Seebeck ร่วมระเหย Sb2Te3 ฟิล์มบางเป็น72μV / K ก็เพิ่มขึ้นอย่างมีนัยสำคัญที่จะ165142μV /
K โดยการหลอมที่
200400 °
C เป็นเวลา 20 นาที ปัจจัยอำนาจสูงสุด 25 ©10¹4W / K2 · m ก็ประสบความสำเร็จในการร่วมระเหยฟิล์ม Sb2Te3 โดยการอบที่อุณหภูมิ 400 องศาเซลเซียส
เป็นเวลา 20 นาที เซ็นเซอร์ thermopile ประกอบด้วย 10 คู่ชนิดเอ็น Bi2Te3 และชนิดพี Sb2Te3 ขาฟิล์มบางแสดงความไวของ 2.7mV / K

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ฟิล์มบางเป็นเทอร์โมอุปกรณ์ประกอบด้วย bi2te3 ทั่วไปพีและ sb2te3 ขาเตรียมฟิล์มบางบนแผ่นแก้วด้วย
Co การระเหยและกรรมวิธีการอบ . ที่ วัดค่าสัมประสิทธิ์และพลังปัจจัยร่วมระ bi2te3 ฟิล์มเป็นมาตรฐาน 30 μ v / K
0.7 © 10 มาตรฐาน 4W / K2 ด้วยเมตร ตามลำดับและกลายเป็นอย่างมากการปรับปรุงมาตรฐาน 160 μ V / K และ 16 © 10 มาตรฐาน 4W / K2 M ตามด้วยอบอ่อนที่อุณหภูมิ 400 องศา C เป็นเวลา 20 นาที
ในขณะที่วัดสัมประสิทธิ์ Co ระเหย sb2te3 ฟิล์มคือ 72 μ v / k , เพิ่มขึ้นอย่างมาก 165142 μ v /

200400 annealing ที่ K โดย /
c 20 นาที พลังงานสูงสุดปัจจัย 25 © 10 มาตรฐาน 4W / K2 ด้วย M คือความสําหรับ Co ระเหยฟิล์ม sb2te3 อบอ่อนที่อุณหภูมิ 400 องศา C โดย
20 นาทีเซ็นเซอร์เทอร์โมไพล์ ประกอบด้วย bi2te3 และทั่วไปของพี sb2te3 ฟิล์มขา 10 คู่มีความไว 2.7mv/k .