The surface conifined interaction b

The surface conifined interaction between TPT and dsDNA at the surface of SWCNT-PGEs was then investigated by using electrochemical impedance spectroscopy (EIS), which was a useful techique especially for the surface charactrization. The complex impedance is presented as the sum of the real and imginary components. The value of the charge transfer resistance Rct depens on the dielectric and insulating features at the electrode/electrolyte interface. A simple equivalent circuit model also used to fit the impedance data. In the nYQUIST PLOT OF IMPEDANCE SPECTRA, THE semicircle section at higher frequencies characterize the electron transfer limited process and the linear section seen at lower frequencies may be attributed to the diffusion.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

โต้ conifined ผิวระหว่าง TPT และ dsDNA ที่พื้นผิวของ SWCNT PGEs ถูกตรวจสอบ โดยใช้ความต้านทานไฟฟ้าก (EIS), ซึ่งถูก techique เป็นประโยชน์โดยเฉพาะอย่างยิ่งสำหรับ charactrization พื้นผิวแล้ว ความต้านทานซับซ้อนแสดงเป็นผลรวมของส่วนประกอบจริงและ imginary ค่าของความต้านทานการโอนย้ายค่าธรรมเนียม Rct depens บนคุณสมบัติเป็นฉนวน และฉนวนที่อินเทอร์เฟสไฟฟ้า/อิเล็กโทร แบบจำลองวงจรง่ายเทียบเท่าที่ยัง ใช้ให้พอดีกับข้อมูลความต้านทาน ใน nYQUIST พล็อตของความต้านทานแรมสเป็คตรา ส่วน semicircle ที่ความถี่สูงในลักษณะของการจำกัดการถ่ายโอนอิเล็กตรอน และส่วนเส้นตรงความถี่ต่ำอาจเกิดจากการแพร่

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ปฏิสัมพันธ์ระหว่างพื้นผิว conifined TPT และ dsDNA ที่พื้นผิวของ SWCNT-PGEs ถูกตรวจสอบแล้วโดยใช้สเปกโทรสโกความต้านทานไฟฟ้าเคมี (EIS) ซึ่งเป็น techique ประโยชน์อย่างยิ่งสำหรับผิว charactrization ความต้านทานที่ซับซ้อนจะถูกนำเสนอเป็นผลรวมขององค์ประกอบที่แท้จริงและ imginary มูลค่าของการถ่ายโอนค่าใช้จ่ายต้านทาน Rct depens เกี่ยวกับคุณสมบัติเป็นฉนวนและฉนวนที่ขั้วไฟฟ้า / อิเลคอินเตอร์เฟซ รูปแบบวงจรสมมูลง่ายนอกจากนี้ยังใช้เพื่อให้เหมาะสมกับข้อมูลความต้านทาน ใน PLOT Nyquist สมรรถภาพ SPECTRA, ส่วนครึ่งวงกลมที่ความถี่สูงลักษณะการถ่ายโอนอิเล็กตรอนกระบวนการ จำกัด และส่วนเชิงเส้นเห็นที่ความถี่ต่ำอาจจะนำมาประกอบกับการแพร่กระจาย

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

พื้นผิว conifined ปฏิสัมพันธ์ระหว่างบริษัทฯ และ dsdna ที่พื้นผิวของ swcnt pges ได้ศึกษาโดยใช้เทคนิคอิมพีแดนซ์สเปกโทรสโกปีเชิงเคมีไฟฟ้า ( EIS ) ซึ่งเป็นเทคนิคที่มีประโยชน์โดยเฉพาะอย่างยิ่งสำหรับผิว charactrization . อิมพีแดนซ์ที่ซับซ้อนจะแสดงผลรวมขององค์ประกอบจริงและ imginary .ค่าความต้านทานของการถ่ายเทประจุไฟฟ้า Razorflame ขึ้นอยู่กับคุณสมบัติเป็นฉนวนและฉนวนที่ขั้วไฟฟ้า / อิเลคติดต่อ แบบจำลองวงจรสมมูลง่ายๆยังใช้ให้พอดีกับข้อมูลค่า . ในแปลงอิมพีแดนซ์ของไนควิสต์ , สเปกตรัมลักษณะครึ่งวงกลม ส่วนที่ความถี่สูงกว่าลักษณะการถ่ายโอนอิเล็กตรอน จำกัด กระบวนการ และเชิงเส้น ส่วนที่เห็นในความถี่ต่ำอาจจะเกิดจากการแพร่กระจาย .