Amorphous silicon thin films were f

Amorphous silicon thin films were first deposited by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD). The amorphous silicon layers deposited from silane by PECVD could be doped by adding to the plasma discharge either phosphine to form n-type layers, or diborane to form p-type layers. The conductivity of these thin amorphous silicon layers could be increased by several orders of magnitude. Amorphous silicon solar cells at first found only niche applications, especially as the power source for electronic calculators. For 15 years or so, they have been increasingly used for electricity generation: they seem particularly well-suited for wide applications in building-integrated photovoltaics. One of their main advantages is that they are available in the form of monolithically integrated large-area modules. In amorphous silicon thin films, both the bond angles and the bond lengths vary in a random fashion: There is a whole distribution of values. If the amorphous silicon layer has just a low “amount of disorder,” then the distributions for bond angles and bond lengths will be very narrow.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ฟิล์มบางซิลิคอนไปที่ฝากไว้เป็นครั้งแรก โดยสะสมเพิ่มพลาสม่าไอสารเคมี (PECVD) อาจจะเจือชั้นซิลิคอนไปฝาก silane โดย PECVD โดยการเพิ่มการปล่อยพลา phosphine แบบชั้นประเภท n หรือ diborane ไปยังฟอร์มชนิด p ชั้น นำของชั้นซิลิโคนไปบางเหล่านี้อาจจะเพิ่มขึ้นหลายอันดับของขนาด เซลล์แสงอาทิตย์ซิลิคอนสัณฐานที่พบเฉพาะโปรแกรมประยุกต์เฉพาะ โดยเฉพาะอย่างยิ่งเป็นแหล่งจ่ายไฟสำหรับเครื่องคิดเลขอิเล็กทรอนิกส์ครั้งแรก 15 ปีหรือดังนั้น พวกเขามากขึ้นใช้สำหรับไฟฟ้า: เหมือนอย่างดีเหมาะอย่างยิ่งสำหรับโปรแกรมประยุกต์ที่กว้างในแผงเซลล์แสงแบบบูรณาการ ข้อดีของพวกเขาอย่างใดอย่างหนึ่งคือว่า พวกเขาจะมีรูปแบบของโมดูลขนาดใหญ่พื้นที่รวม monolithically ในฟิล์มบางซิลิคอนสัณฐาน มุมพันธะและความยาวพันธะแตกต่างกันในสุ่ม: มีการกระจายของค่าทั้งหมด ถ้าชั้นไปซิลิคอนมีต่ำเพียง "ยอดของโรค แล้วการกระจายสำหรับมุมพันธะ และความยาวพันธะจะแคบมาก

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ฟิล์มบางอะมอร์ฟัซิลิคอนมีเงินเป็นครั้งแรกโดยพลาสม่าเพิ่มไอสารเคมีการสะสม (PECVD) ชั้นซิลิคอนอสัณฐานฝากจากไซเลนโดย PECVD อาจจะเจือด้วยการเพิ่มการปล่อยพลาสม่าทั้งฟอสฟีนในรูปแบบชั้น N-ประเภทหรือ diborane ในรูปแบบชั้น P-ประเภท การนำของชั้นซิลิคอนอสัณฐานบางเหล่านี้อาจจะเพิ่มขึ้นโดยคำสั่งหลายขนาด Amorphous Silicon เซลล์แสงอาทิตย์เป็นครั้งแรกที่พบเฉพาะการใช้งานเฉพาะโดยเฉพาะอย่างยิ่งเป็นแหล่งพลังงานสำหรับเครื่องคิดเลขอิเล็กทรอนิกส์ เป็นเวลา 15 ปีหรือเพื่อให้พวกเขาได้ถูกนำมาใช้มากขึ้นในการผลิตไฟฟ้า: โดยเฉพาะอย่างยิ่งพวกเขาดูเหมือนดีเหมาะสำหรับการใช้งานทั้งในระบบไฟฟ้าพลังงานแสงอาทิตย์อาคารแบบบูรณาการ หนึ่งในข้อดีหลักของพวกเขาคือการที่พวกเขามีอยู่ในรูปแบบของการบูรณาการ monolithically โมดูลพื้นที่ที่มีขนาดใหญ่ ในฟิล์มบางซิลิคอนอสัณฐานทั้งมุมพันธบัตรและตราสารหนี้ยาวแตกต่างกันไปในแบบสุ่ม: มีการจัดจำหน่ายทั้งค่าคือ ถ้าชั้นซิลิคอนอสัณฐานมีเพียง "จำนวนของความผิดปกติ" ประหยัดจากนั้นกระจายสำหรับมุมพันธบัตรและความยาวของพันธบัตรจะแคบมาก