3. Results and discussionTo investi

3. Results and discussion
To investigate the tunable GNPs-based plasmonic coupling effect, we designed two kinds of DNA strands: the anchoring strand (aDNA), is conjugated to the GaAs substrate with a thiol group at its 5′ terminus; the other strand, recognition DNA (rDNA), is also covalently modified with a thiol group at the 5′ terminus and complementary to the aDNA. The aDNA was first attached onto GaAs surface via GaAs-S chemical reaction, resulted in the aDNA-GaAs surface. Fig. 2A showed that in the case of 20 mer aDNA used, the PL emission from GaAs at ∼875 nm was enhanced by 3-
Next, we incubated aDNA-GaAs with the thiolated rDNA. After hybridization, the double-stranded scaffolds (aDNA/rDNA) were formed on the GaAs substrate, resulting in the structure of dsDNA on GaAs surface. Recently, Parak et al. [8] and Murphy et al. [18] reported that the more the DNA molecules were modified to the solid surface, the less were the probability of bending. Moreover, the PL intensity increase until the rDNA and aDNA ratio is 10:1, and then kept almost the same. Therefore, to minimize the bending of the dsDNA and complete the hybridization, we used a 1:10 ratio of the anchoring-to-recognition sequence. As shown in Fig. 2A, after hybridization with rDNA, 5-fold enhancements compared to untreated GaAs were obtained on the GaAs with modification of aDNA (20 mer) and subsequently hybridization with rDNA (20 mer). The enhanced PL emission could be attributed to the structural transformation of flexible single-stranded structure to rigid rod-like duplex, resulting in a different electronic passivation of the GaAs surface.

Since the rDNA is modified with thiolated group at the 5′ end, the resulted dsDNA-GaAs surface has multiple binding sites for interaction with GNPs, thereby leading to high density GNPs assembly on GaAs substrate. By keeping the GNPs with radius of 5 ± 0.5 nm and concentration of 50 nM, but altering the ionic strength of the gold colloid, the GNPs would bind with the thiolated rDNA on dsDNA-GaAs surface. The as-resulted GaAs-dsDNA-GNPs substrates were then analyzed using steady-state PL spectroscopy. The results are averaged over 10–15 measurements on different areas for each spectra. It was found that when the thiolated dsDNA-GaAs incubated with GNPs, another ∼7-fold increase in PL intensity of GaAs was obtained (Fig. 2A). In contrast, only little PL signal change was observed when the untreated GaAs or nonthiolated dsDNA-GaAs (with nonthiolated rDNA) incubated with GNPs. Scanning electron microscopy (SEM) was used to directly characterize the GNPs attachment on GaAs surface. As shown in Fig. 2B, a typical GNPs-GaAs hybrid structure was obtained by incubating thiolated dsDNA-GaAs with GNPs. The GNPs were evenly distributed over the whole GaAs surface with a diameter of ∼5 nm. Whereas, untreated or nonthiolated dsDNA-GaAs resulted in a clean surface without any GNPs. Therefore, the functionalized DNA duplex scaffolds are responsible for GNPs attachment on GaAs substrate.

To systematically study the GNPs-enhanced PL enhancement from GaAs with the DNA bridge, we explored series of different complementary DNA molecules ranging from 5 to 30 bases in length (see Fig. 1 for the DNA sequences). Each DNA duplex was attached onto GaAs and then adsorbed the GNPs (step 1 in Fig. 1). The effect of GNPs on the PL properties of GaAs was studied (Fig. 3A). As can be seen, the PL emissions at ∼875 nm became more intense, and the PL emission intensities were dependent on the DNAlength between GNPs and GaAs. The stronger PL emission was observed when the shorter DNA was used relative to longer oligomers. Next, we used the simple model reported by Clegg et al. to evaluatethe separation distance between the GaAs and the GNPs 0005 and 0095. As described by Hagermanet al., the duplex DNA with less than 100 base pairs can be modeled as a rigidrod-like molecule [6]. Thus, the length of duplex DNA is increased in 0.32 nm with the addition of each DNA base pair. Consequently, we can assume that the separation between GaAs and GNPs can be tuned easily by changing the dsDNA length. If taking no account of the size of the GNPs, Au–S distance and GaAs-S distance, the separation between GaAs and GNPs was systematically varied by changing the number of base pairs. Fig. 3B presents the enhanced PL emission at ∼875 nm of the different GaAs substrates as functions of thedifferent length of DNAs between GNPs and GaAs. An approximately 20-fold enhancement in the PL intensity compared to untreated GaAs was measured for 5 bp DNA used, corresponding to a distance of ∼2 nm between the GNPs and the GaAs. While only a lower

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

3. ผล และการอภิปรายการตรวจสอบผลคะแนน GNPs tunable คลัป plasmonic เราออกสองชนิดของเส้นดีเอ็นเอ: เดอะสแตรนด์เกลียว (แอดนา), เป็นผันพื้นผิว GaAs กับกลุ่ม thiol ที่เทอร์มินัส 5 ′ของ ยังมีอื่น ๆ สาระ ดีเอ็นเอการรู้ (rDNA), เป็นแก้ไขกับกลุ่ม thiol ที่ terminus 5 ′ด้วย และประกอบกับการแอดนา แอดนาการแก้ไขแรกติดบน GaAs GaAs-S ปฏิกิริยาเคมี ผลของ GaAs แอดนาผิว surface รูป 2A แสดงให้เห็นว่า ในกรณีของ 20 แมร์แอดนาใช้ ปล่อย PL จาก GaAs ที่ ∼875 nm เพิ่มจาก 3-ถัดไป เราได้รับการกกแอดนา GaAs ด้วย thiolated rDNA หลังจาก hybridization, scaffolds สองครั้งที่ควั่น (แอด นา/rDNA) ได้เกิดขึ้นบนพื้นผิว GaAs ส่งผลให้โครงสร้างของ dsDNA บน GaAs เมื่อเร็ว ๆ นี้ Parak et al. [8] และเมอร์ฟี่ et al. [18] รายงานว่า ยิ่งโมเลกุลดีเอ็นเอถูกปรับเปลี่ยนพื้นผิวไม้ น้อยก็น่าจะดัด นอกจากนี้ PL ความเข้มเพิ่มขึ้นจนถึงอัตรา rDNA และแอดนาเป็น 10:1 และถูกเก็บไว้เกือบจะเหมือนกัน ดังนั้น การลดการดัดงอการ dsDNA และทำการ hybridization เราใช้ 1:10 อัตราส่วนของลำดับการพื้น ๆ ดังแสดงในรูปที่ 2A หลัง hybridization กับ rDNA ได้รับเมื่อเทียบกับ GaAs ที่ไม่ผ่านการปรับปรุง 5-fold บน GaAs ด้วยปรับเปลี่ยนแอดนา (20 mer) และต่อมา hybridization กับ rDNA (20 mer) การปล่อย PL เพิ่มขึ้นสามารถนำมาประกอบกับการเปลี่ยนแปลงโครงสร้างของโครงสร้างเดียวที่ควั่นยืดหยุ่นแข็งคันเหมือนดูเพล็กซ์ ในทู่อิเล็กทรอนิกส์ที่แตกต่างกันของพื้นผิว GaAsตั้งแต่ rDNA มีแก้ไขกับกลุ่ม thiolated ปลาย 5 ′ ส่งผลให้ dsDNA-GaAs มีหลายผูกไซต์สำหรับการโต้ตอบกับ GNPs จึงนำไปสู่ความหนาแน่นสูงประกอบ GNPs บน GaAs พื้นผิว โดยการรักษา GNPs รัศมี 5 ± 0.5 nm และความเข้มข้น 50 nM แต่การเปลี่ยนแปลงความแรงของไอออนของคอลลอยด์ทอง GNPs จะผูกกับ rDNA thiolated บน dsDNA GaAs surface พื้นผิวผลเป็น GaAs-dsDNA-GNPs มีแล้ววิเคราะห์โดยใช้สเปกโทรสโก PL เสถียร ผลลัพธ์คือเฉลี่ยมากกว่า 10 – 15 การวัดสเปกตรัมแต่ละพื้นที่แตกต่างกัน จะพบว่า เมื่อรับการ thiolated dsDNA-GaAs กกกับ GNPs, ∼7 พับเพิ่มขึ้นอีกใน PL เข้มของ GaAs ได้รับ (รูป 2A) ตรงกันข้าม เฉพาะ PL สัญญาณเปลี่ยนไปเล็กน้อยพบว่า เมื่อบำบัด GaAs หรือ nonthiolated dsDNA-GaAs (กับ nonthiolated rDNA) รับการกกกับ GNPs สแกนกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอน (SEM) ใช้การอธิบายลักษณะสิ่งที่แนบ GNPs บน GaAs surface โดยตรง ดังแสดงในรูป 2B โครงสร้างไฮบริ GNPs GaAs ทั่วไปได้รับ โดย incubating thiolated dsDNA GaAs ด้วย GNPs GNPs ได้กระจายพื้น GaAs ทั้งอาหาร ∼5 nm ขณะ ไม่ถูกรักษา หรือ nonthiolated dsDNA-GaAs ส่งผลให้พื้นผิวสะอาดโดยไม่ GNPs ใด ๆ ดังนั้น scaffolds เพล็กซ์ดีเอ็นเอที่ functionalized รับผิดชอบสำหรับสิ่งที่แนบ GNPs บน GaAs พื้นผิวเพื่อศึกษาอย่างเป็นระบบเพิ่มประสิทธิภาพขั้นสูง GNPs PL จาก GaAs ด้วยสะพานดีเอ็นเอ แบ่งชุดแตกต่าง DNA โมเลกุลเสริมตั้งแต่ 5 ถึง 30 ฐานยาว (ดูรูปที่ 1 สำหรับดีเอ็นเอลำดับ) ดูเพล็กซ์ดีเอ็นเอแต่ละแนบลงบน GaAs แล้ว ซับ GNPs (ขั้นตอนที่ 1 ในรูปที่ 1) ผลของการ GNPs คุณสมบัติ PL ของ GaAs ถูกศึกษา (มะเดื่อ 3A) สามารถมองเห็น ปล่อย PL ที่ ∼875 nm เป็นรุนแรงมากขึ้น และการปลดปล่อยก๊าซมลพิษ PL พึ่ง DNAlength ระหว่าง GNPs และ GaAs นี้ การปล่อย PL แข็งพบว่า เมื่อดีเอ็นเอที่สั้นลงใช้สัมพันธ์กับ oligomers อีกต่อไป ถัดไป เราสามารถใช้รูปแบบง่ายที่รายงานโดย Clegg ร้อยเอ็ด evaluatethe ระยะห่างระหว่าง GaAs GNPs 0005 และ 0095 ตามที่อธิบายไว้ โดย Hagermanet al. ดีเอ็นเอสองกับฐานไม่เกิน 100 คู่สามารถถูกจำลองเป็นโมเลกุลเช่น rigidrod [6] ดังนั้น ความยาวของดีเอ็นเอดูเพล็กซ์ขึ้นใน 0.32 นาโนเมตรของแต่ละคู่ฐานของดีเอ็นเอ ดังนั้น เราสามารถสรุปได้ว่า การแยกระหว่าง GaAs และ GNPs สามารถจะปรับได้อย่างง่ายดาย โดยการเปลี่ยนความยาว dsDNA ถ้าไม่คำนึงถึงขนาดของ GNPs, Au – S ระยะทางและระยะทาง GaAs S แยกระหว่าง GaAs และ GNPs คือระบบแตกต่างกัน โดยการเปลี่ยนหมายเลขของคู่เบส รูป 3B แสดงการปล่อย PL เพิ่มที่ ∼875 nm ของ GaAs พื้นผิวแตกต่างกันเป็นหน้าที่ของ thedifferent ยาวของดีเอ็นเอระหว่าง GNPs และ GaAs เพิ่มประสิทธิภาพประมาณยี่สิบเท่าในความเข้ม PL เทียบกับ GaAs บำบัดแก้ไขวัด 5 bp ดีเอ็นเอใช้ ที่สอดคล้องกับระยะ ∼2 nm ระหว่าง GNPs กับ GaAs ขณะล่างเท่านั้น

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

3. ผลการทดลองและการอภิปราย
เพื่อตรวจสอบผลการมีเพศสัมพันธ์ plasmonic พริ้ง GNPs ตามที่เราออกแบบสองชนิดของดีเอ็นเอที่: ทอดสมอ Strand (ADNA) จะผันไปยังพื้นผิว GaAs กับกลุ่ม thiol ที่ 5 'ปลายทาง; สาระอื่น ๆ ที่ได้รับการยอมรับดีเอ็นเอ (rDNA) ยังมีการปรับเปลี่ยนโควาเลนต์กับกลุ่ม thiol ที่ 5 'ปลายทางและประกอบกับ ADNA ADNA ติดครั้งแรกบนพื้นผิว GaAs ผ่านปฏิกิริยา GaAs-S เคมีส่งผลให้พื้นผิว ADNA-GaAs มะเดื่อ. 2A แสดงให้เห็นว่าในกรณีของ 20 Mer ADNA ที่ใช้การปล่อย PL จาก GaAs ที่ ~875 นาโนเมตรได้รับการปรับปรุงโดย 3-
ต่อไปเราบ่ม ADNA-GaAs กับ thiolated rDNA หลังจากผสมพันธุ์ double-stranded โครง (ADNA / rDNA) ได้เกิดขึ้นบนพื้นผิว GaAs ผลในโครงสร้างของ dsDNA บนพื้นผิว GaAs เมื่อเร็ว ๆ นี้ Parak et al, [8] และเมอร์ฟี่, et al [18] รายงานว่ายิ่งโมเลกุลดีเอ็นเอถูกปรับเปลี่ยนไปยังพื้นผิวที่เป็นของแข็งที่น้อยกว่าก็น่าจะเป็นของการดัด นอกจากนี้ยังเพิ่มความเข้ม PL จน rDNA และ ADNA อัตราส่วน 10: 1 แล้วเก็บไว้เกือบจะเหมือนกัน ดังนั้นเพื่อลดความโค้งงอของ dsDNA และเสร็จสิ้นการผสมพันธุ์เราใช้อัตราส่วน 1:10 ลำดับทอดสมอต่อการรับรู้ ดังแสดงในรูป 2A หลังจากผสมพันธุ์กับ rDNA ปรับปรุง 5 เท่าเมื่อเทียบกับ GaAs ได้รับการรักษาที่ได้รับใน GaAs ที่มีการปรับเปลี่ยนของ ADNA (20 Mer) และต่อมาผสมพันธุ์กับ rDNA (20 Mer) การปล่อย PL ที่เพิ่มขึ้นสามารถนำมาประกอบกับการเปลี่ยนแปลงโครงสร้างของโครงสร้างเดียวควั่นความยืดหยุ่นในการเข้มงวดเพล็กซ์ก้านเหมือนที่เกิดในทู่อิเล็กทรอนิกส์ที่แตกต่างกันของพื้นผิว GaAs.

ตั้งแต่ rDNA มีการแก้ไขกับกลุ่ม thiolated ที่ปลาย 5 'ที่ ส่งผลให้ผิว dsDNA-GaAs มีเว็บไซต์ที่มีผลผูกพันหลายปฏิสัมพันธ์กับ GNPs จึงนำไปสู่ความหนาแน่นสูง GNPs ชุมนุมบนพื้นผิว GaAs โดยการรักษา GNPs ที่มีรัศมี 5 ± 0.5 นาโนเมตรและความเข้มข้นของ 50 นาโนเมตร แต่การเปลี่ยนแปลงความแรงของอิออนของคอลลอยด์ทอง GNPs จะผูกกับ thiolated rDNA บนพื้นผิว dsDNA-GaAs AS-ส่งผลให้พื้นผิว GaAs-dsDNA-GNPs ถูกแล้ววิเคราะห์โดยใช้มั่นคงของรัฐ PL สเปกโทรสโก ผลที่จะได้เฉลี่ยเกิน 10-15 วัดในพื้นที่ที่แตกต่างกันสำหรับแต่ละสเปกตรัม นอกจากนี้ยังพบว่าเมื่อ thiolated dsDNA-GaAs บ่มกับ GNPs อื่นเพิ่มขึ้น ~7 เท่าในความเข้มของ PL GaAs ได้ (รูป. 2A) ในทางตรงกันข้ามการเปลี่ยนแปลงเพียงเล็กน้อยสัญญาณ PL พบว่าเมื่อได้รับการรักษาหรือ GaAs nonthiolated dsDNA-GaAs (กับ nonthiolated rDNA) บ่มกับ GNPs กล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอน (SEM) ได้ถูกใช้ในลักษณะของสิ่งที่แนบมาโดยตรง GNPs บนพื้นผิว GaAs ดังแสดงในรูป 2B, ทั่วไปโครงสร้างไฮบริด GNPs-GaAs ได้มาจากการบ่ม thiolated dsDNA-GaAs กับ GNPs GNPs มีการกระจายอย่างสม่ำเสมอตลอดพื้นผิว GaAs ทั้งที่มีขนาดเส้นผ่าศูนย์กลาง ~5 นาโนเมตร ในขณะที่ได้รับการรักษาหรือ nonthiolated dsDNA-GaAs ส่งผลให้พื้นผิวที่สะอาดโดยไม่ต้อง GNPs ใด ๆ ดังนั้นฟังก์ชันดีเอ็นเอโครงเพล็กซ์มีความรับผิดชอบใน GNPs สิ่งที่แนบมาใน GaAs ตั้งต้น.

ระบบการศึกษาการเพิ่มประสิทธิภาพของ PL GNPs เพิ่มจาก GaAs กับสะพานดีเอ็นเอที่เราสำรวจชุดที่แตกต่างกันโมเลกุลดีเอ็นเอเสริมตั้งแต่ 5-30 ฐานยาว (ดู รูปที่ 1. สำหรับลำดับดีเอ็นเอ) แต่ละเพล็กซ์ดีเอ็นเอที่ติดอยู่บน GaAs แล้วดูดซับ GNPs (ขั้นที่ 1 ในรูปที่ 1). ผลของการ GNPs บน PL คุณสมบัติของ GaAs การศึกษา (รูป. 3A) ที่สามารถมองเห็น, การปล่อย PL ที่ ~875 นาโนเมตรกลายเป็นความรุนแรงมากขึ้นและ PL เข้มการปล่อยก๊าซขึ้นอยู่กับ DNAlength ระหว่าง GNPs และ GaAs แข็งแรงการปล่อย PL ก็สังเกตเห็นเมื่อสั้นดีเอ็นเอถูกนำมาใช้เมื่อเทียบกับ oligomers อีกต่อไป ต่อไปเราจะใช้รูปแบบที่เรียบง่ายรายงานโดย Clegg, et al เพื่อ evaluatethe ระยะห่างระหว่าง GaAs และ GNPs 0005 และ 0095. ตามที่อธิบาย Hagermanet al., ดีเอ็นเอเพล็กซ์ที่มีน้อยกว่า 100 คู่เบสสามารถจำลองเป็นโมเลกุล rigidrod เหมือน [6] ดังนั้นความยาวของดีเอ็นเอเพล็กซ์จะเพิ่มขึ้นใน 0.32 นาโนเมตรมีการเพิ่มของแต่ละคู่ฐานดีเอ็นเอ ดังนั้นเราจึงสามารถสรุปได้ว่าการแยกระหว่าง GaAs และ GNPs สามารถปรับได้อย่างง่ายดายโดยการเปลี่ยนความยาว dsDNA หากคำนึงถึงขนาดของ GNPs ที่ไม่มี au-S ระยะทางและ GaAs-S ระยะทางแยกระหว่าง GaAs และ GNPs ก็แตกต่างกันอย่างเป็นระบบโดยการเปลี่ยนจำนวนคู่ฐาน มะเดื่อ. 3B นำเสนอการปล่อย PL เพิ่มที่ ~875 นาโนเมตรของพื้นผิวที่แตกต่างกัน GaAs เป็นฟังก์ชั่นของความยาวของดีเอ็นเอระหว่าง GNPs และ GaAs thedifferent การเพิ่มประสิทธิภาพประมาณ 20 เท่าในความเข้ม PL เมื่อเทียบกับการได้รับการรักษา GaAs วัด 5 ดีเอ็นเอ BP ใช้สอดคล้องกับระยะทางของ ~2 นาโนเมตรระหว่าง GNPs และ GaAs ที่ ขณะที่มีเพียงที่ต่ำกว่า

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

3 . ผลและการอภิปรายเพื่อศึกษาวงจร gnps ผล coupling Plasmonic ตาม เราออกแบบสองชนิดของเส้นดีเอ็นเอ : โลกสาระ ( แอ็ดน่า ) , และไปในพื้นผิวที่มีขนาดของกลุ่มที่ 5 ได้รับปลายทาง ; กลุ่มสาระอื่น ๆ การยอมรับดีเอ็นเอ ( rDNA ) ยัง covalently แก้ไขที่มีขนาดกลุ่มที่ 5 ได้รับเทอร์มินัส และประกอบกับแอ็ดน่า . แอดนา เป็นครั้งแรกที่แนบลงบนผิว gaas-s GaAs ผ่านปฏิกิริยาทางเคมีที่พบในแอดนา ในพื้นผิว รูปที่ 2A พบว่าในกรณีของ 20 แมร์แอดนา ใช้ PL สารมลพิษจาก GaAs ที่∼ 875 nm เพิ่มขึ้น โดย 3ต่อไป เราจะทำการนี้ด้วย thiolated แอดนา ด้วย . หลังจาก hybridization , คู่ติดนั่งร้าน ( แอ็ดน่า / rDNA ) ขึ้นบน GaAs substrate เป็นผลในโครงสร้างของแกลเลียมอาร์เซไนด์ dsdna บนพื้นผิว เมื่อเร็ว ๆนี้ , มากเกินไป et al . [ 8 ] และ Murphy et al . [ 18 ] รายงานว่า ยิ่งดีเอ็นเอโมเลกุลดัดแปลงกับพื้นผิวแข็ง น้อยกว่า คือ ความน่าจะเป็นของการดัด นอกจากนี้ คุณความเข้มเพิ่มขึ้นจนด้วยอัตราส่วน 10 : 1 และแอดนา แล้วยังเกือบจะเหมือนกัน ดังนั้นเพื่อลดการโค้งงอของ dsdna และสมบูรณ์ ( เราใช้อัตราส่วน 1 : 10 ของโลกตามลำดับตัวอักษร ดังแสดงในรูปที่ 2A , หลังจากทำ rDNA กับผู้อื่นและได้รับการปรับปรุงนี้บน GaAs ด้วยการแอ็ดน่า ( 20 แมร์ ) และต่อมาทำ rDNA ( 20 เมอร์ ) คุณสามารถปรับปรุงการบันทึกการเปลี่ยนแปลงของโครงสร้างยืดหยุ่นเดียวควั่นโครงสร้างเหล็กแข็งเหมือนเพล็กซ์ ส่งผลให้รุ้งของ GaAs อิเล็กทรอนิกส์ที่แตกต่างกัน พื้นผิวเพราะด้วยการดัดแปลงกับ thiolated กลุ่มที่ 5 ได้รับสิ้นสุด เป็นผล dsdna ในพื้นผิวได้หลายเว็บไซต์การปฏิสัมพันธ์กับ gnps จึงนำไปสู่การประกอบ gnps ความหนาแน่นสูงในในพื้นผิว โดยการรักษา gnps กับรัศมี 5 ± 0.5 นาโนเมตรความเข้มข้น 50 nm แต่เปลี่ยนความแรงไอออนของทองคอลลอยด์ , gnps จะผูกกับ thiolated dsdna GaAs ชนิดบนพื้นผิว ที่ส่งผลใน dsdna วิเคราะห์ข้อมูลโดยใช้ gnps พื้นผิวคงที่ PL สเปกโทรสโกปี ผลเฉลี่ยมากกว่า 10 – 15 วัดในพื้นที่ที่แตกต่างกันสำหรับแต่ละช่วง . พบว่าเมื่อ thiolated dsdna แกลเลียมอาร์เซไนด์แยก gnps อีก∼ 7-fold เพิ่มความเข้มในสิ่งที่ได้รับ ( รูปที่ 2A ) ในทางตรงกันข้าม มีเพียงเล็กน้อย พบว่าสัญญาณที่จะเปลี่ยนเมื่อแกลเลียมอาร์เซไนด์ดิบ หรือ nonthiolated dsdna GaAs ( nonthiolated rDNA ) แยก gnps . กล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องกราด ( SEM ) มาใช้โดยตรง ลักษณะของสิ่งที่แนบ gnps บน GaAs พื้นผิว ดังแสดงในรูปที่ 2B เป็นลูกผสม gnps ในโครงสร้างได้ โดยการแช่ thiolated dsdna GaAs ด้วย gnps . การ gnps กำลังกระจายตัวทั่วทั้งพื้นผิวแกลเลียมอาร์เซไนด์ที่มีเส้นผ่าศูนย์กลาง∼ 5 นาโนเมตร ส่วนดิบ หรือ nonthiolated dsdna นี้มีผลในการทำความสะอาดผิว โดยไม่ gnps . ดังนั้น ที่มี DNA เพล็กซ์นั่งร้านรับผิดชอบสิ่งที่แนบ gnps บน GaAs substrate .ระบบการศึกษา gnps ที่จะเพิ่มเสริมจาก GaAs ด้วยสะพานดีเอ็นเอ เราสำรวจชุดประกอบดีเอ็นเอของโมเลกุลแตกต่างกันตั้งแต่ 5 ถึง 30 ฐานยาว ( ดูรูปที่ 1 สำหรับลำดับดีเอ็นเอ ) แต่ละสองคือดีเอ็นเอแนบลงบนแกลเลียมอาร์เซไนด์แล้ว 30 gnps ( ขั้นตอนที่ 1 ในรูปที่ 1 ) ผลของ gnps ในที่จะศึกษาคุณสมบัติของแกลเลียมอาร์เซไนด์ ( รูปที่ 3 ) ทั้งนี้ พีปล่อยที่∼ 875 nm กลายเป็นที่รุนแรงมากขึ้น และการมีที่จะเข้มขึ้นอยู่กับ dnalength ระหว่าง gnps และ GaAs . ที่แข็งแกร่ง การที่จะพบเมื่อใช้ดีเอ็นเอสั้นเมื่อเทียบกับหน่วยอีกต่อไป ต่อไปเราใช้อย่างง่ายๆที่รายงานโดย Clegg et al . เบสแยกระยะห่างระหว่างนี้และ gnps 0005 และ 0095 . ตามที่อธิบายไว้โดย hagermanet al . , เพล็กซ์ดีเอ็นเอที่มีน้อยกว่า 100 คู่ ฐานเป็นแบบ rigidrod เหมือนโมเลกุล [ 6 ] ดังนั้นความยาวของเพล็กซ์ดีเอ็นเอเพิ่มขึ้น 0.32 nm ด้วยการนำดีเอ็นเอแต่ละคู่เบส ดังนั้นเราสามารถสรุปได้ว่า การแยกระหว่างใน gnps และสามารถปรับได้ง่ายโดยการเปลี่ยน dsdna ความยาว ถ้าถ่ายไม่มีบัญชีของขนาดของ gnps , AU ) ด้วยระยะทางและ gaas-s ระยะห่าง ระยะห่างระหว่าง gnps ได้อย่างเป็นระบบ และในหลากหลายโดยการเปลี่ยนจำนวนของคู่เบส รูปที่ 3B เป็นการเพิ่มมลพิษที่คุณ∼ 875 nm ของพื้นผิวที่แตกต่างกันนี้เป็นฟังก์ชั่นของความยาวต่างๆของแถบ ระหว่าง gnps และ GaAs . ประมาณ 20 เท่า เมื่อเทียบกับที่จะเสริมในความดิบ ณวัด 5 BP ดีเอ็นเอที่ใช้สอดคล้องกับระยะทาง∼ 2 nm ระหว่าง gnps และ GaAs . ขณะที่มีเพียงกว่า