A 100 nm thick low stress silicon n

A 100 nm thick low stress silicon nitride is deposited on both sides of the wafer with low pressure chemical vapor deposition (LOPCVD). On the opposite side to the etched trenches, the silicon nitride layer is patterned to generate square openings for subsequent silicon etching.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เป็น 100 nm ความเครียดต่ำหนา silicon nitride มีการฝากเงินทั้งสองด้านของแผ่นเวเฟอร์ด้วยสะสมไอสารเคมีความดันต่ำ (LOPCVD) ฝั่งตรงข้ามกับ trenches ลัก silicon nitride ชั้นเป็นลวดลายเพื่อสร้างช่องตารางสำหรับกัดซิลิคอนต่อมา

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

100 นาโนเมตรความเครียดต่ำหนาซิลิคอนไนไตรด์ที่สะสมอยู่ทั้งสองด้านของแผ่นเวเฟอร์ที่มีความดันต่ำไอสารเคมีสะสม (ที่ LOPCVD) ในด้านตรงข้ามกับร่องสลักชั้นซิลิคอนไนไตรด์เป็นลวดลายในการสร้างช่องตารางสำหรับการแกะสลักซิลิกอนที่ตามมา

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

100 nm หนาต่ำความเครียดซิลิคอนไนไตรด์จะฝากบนทั้งสองด้านของแผ่นเวเฟอร์ด้วยแรงดันต่ำ ( chemical vapor deposition ( lopcvd ) ในด้านตรงข้ามกับรอยร่องลึก , ซิลิคอนไนไตรด์เป็นชั้นลวดลาย เพื่อสร้างช่องสี่เหลี่ยมสำหรับการกัดซิลิคอนที่ตามมา