Al2O3/SiO2 films have been deposite

Al2O3/SiO2 films have been deposited as UV antyreflection coatings on 4H-SiC by electron-beam evaporation and characterized by reflection spectrum, scanning electron microscopy (SEM) and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS).

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ภาพยนตร์ Al2O3/SiO2 ได้รับฝากไว้เป็น UV เคลือบ antyreflection บนฉบับที่ 4H โดยลำแสงอิเล็กตรอนระเหย และลักษณะการสะท้อนสเปกตรัม การสแกนกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอน (SEM) และ X-ray photoelectron สเปกโทรสโก (XPS)

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ภาพยนตร์ Al2O3 / SiO2 ได้รับการฝากเคลือบ UV antyreflection บน 4H-SiC โดยการระเหยลำแสงอิเล็กตรอนและโดดเด่นด้วยคลื่นความถี่สะท้อนกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอน (SEM) และเอ็กซ์เรย์โฟโตอิเล็กตรอนสเปกโทรสโก (XPS)

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ฟิล์ม SiO2 Al2O3 / ได้รับเงินเป็น antyreflection UV เคลือบบน h SIC โดยการระเหยอิเล็กตรอนและลักษณะสเปกตรัมสะท้อน , กล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องกราด ( SEM ) และเครื่อง X-ray photoelectron spectroscopy ( XPS )