Defect generation in amorphous-indi

Defect generation in amorphous-indium-gallium-zinc-oxide thin-film transistors by positive bias stress at elevated temperature.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

สร้างความบกพร่องใน transistors แบบฟิล์มไปอินเดียมแกลเลียม--ออกไซด์โดยบวกความเครียดตั้งที่อุณหภูมิสูง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

รุ่นข้อบกพร่องในสัณฐาน-อินเดียมแกลเลียม-สังกะสีออกไซด์ทรานซิสเตอร์แบบฟิล์มบางอคติจากความเครียดในเชิงบวกที่อุณหภูมิสูง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ข้อบกพร่องการผลิตในสัณฐานอินเดียมแกลเลียมสังกะสีออกไซด์แบบฟิล์มบางทรานซิสเตอร์ โดยความเครียดเรินต์เกนที่อุณหภูมิสูง