By selecting a transistor with a hi

By selecting a transistor with a high collector voltage requirement, we can increase its
output impedance over a transistor that operates at lower values of collector voltage.


It is possible to increase the bandwidth by using a higher order of output matching
network. For example, instead of an L network, a double-L network can be used to
convert first to an intermediate impedance, and then to the final value.

Note that this equation provides only the load resistance, when usually in the datasheets the
manufacturer provides values of shunt output capacitance vs frequency for the RF power
transistor.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

โดยการเลือกทรานซิสเตอร์กับความต้องการแรงดันสูงเก็บ เราสามารถเพิ่มความ ผลผลิตความต้านทานผ่านทรานซิสเตอร์ที่ทำงานที่ต่ำกว่าค่าของแรงดันไฟฟ้าของตัวเก็บรวบรวม จำเป็นต้องเพิ่มแบนด์วิธโดยการสูงขึ้นของการจับคู่ผล เครือข่าย ตัวอย่าง แทนเครือข่าย L, L สองเครือข่ายสามารถใช้เพื่อ แปลงแรก กับความต้านทานระดับกลาง และค่าสุดท้ายสังเกตว่า สมการนี้มีเฉพาะที่โหลดความต้านทาน โดยปกติในแผ่นจะ ผู้ผลิตให้ค่าของทางเชื่อมโพรงความเทียบกับความถี่สำหรับการใช้พลังงาน RF ทรานซิสเตอร์

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

โดยการสะสมแรงดันทรานซิสเตอร์ที่มีความต้องการสูง เราสามารถเพิ่มผลผลิตของอิมพีแดนซ์
กว่าทรานซิสเตอร์ที่สามารถลดแรงดันไฟฟ้าที่ค่าของการสะสม


มันเป็นไปได้เพื่อเพิ่มแบนด์วิดธ์ที่สูงเพื่อส่งออกโดยใช้การจับคู่
เครือข่าย ตัวอย่างเช่นแทนของเครือข่าย l , double-l เครือข่ายสามารถใช้
แปลงแรกเป็นแบบกลางแล้วค่าสุดท้าย

สังเกตว่าสมการนี้มีเพียงโหลดความต้านทาน เวลามักจะอยู่ในแผ่นข้อมูลที่ผู้ผลิตให้ทำการผลิต
ค่าความถี่ capacitance vs สำหรับพลังงาน RF
ทรานซิสเตอร์