The SiO2 oxidation layer is removed

The SiO2 oxidation layer is removed through the open area made by the removal of photoresist using hydrofluoric acid.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ชั้น SiO2 ออกซิเดชันจะถูกเอาออกผ่านพื้นที่เปิดทำจากการเอา photoresist ใช้กรดไฮโดรฟลูออริก

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ชั้นออกซิเดชั่ SiO2 จะถูกลบออกผ่านพื้นที่เปิดที่ทำโดยการกำจัดของสารไวแสงโดยใช้กรดไฮโดรฟลูออริก

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

โดย SiO2 ออกซิเดชันชั้นออกผ่านพื้นที่เปิดโดยการกำจัดของระบบการใช้กรดไฮโดรฟลูออริก