b) Wear Leveling Techniques to Impr

b) Wear Leveling Techniques to Improve Lifetime for NVMs: Write endurance is another severe challenge in PCRAM memory design. The state-of-the-art process technology has demonstrated that the write endurance for PCRAM is around 1010 .

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ข) การสวมใส่เทคนิคการปรับระดับในการปรับปรุงอายุการใช้งานเพื่อ nvms: เขียนความอดทนเป็นอีกหนึ่งความท้าทายอย่างรุนแรงในการออกแบบหน่วยความจำ PCRAM รัฐของเทคโนโลยีที่ทันสมัย​​กระบวนการได้แสดงให้เห็นว่ามีความอดทนในการเขียน PCRAM ประมาณ 1010

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ขสวม Leveling เทคนิคการปรับปรุงชีวิตสำหรับ NVMs: เขียนความอดทนเป็นความท้าทายที่รุนแรงอื่นในการออกแบบหน่วยความจำของ PCRAM เทคโนโลยีสมัยของกระบวนการแสดงว่าความอดทนเขียนสำหรับ PCRAM ประมาณ 1010

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

B )การสึกหรอการยกระดับเทคนิคในการปรับปรุงตลอดอายุการใช้งานสำหรับ nvms เขียนความทรหดอดทนเป็นความท้าทายอย่างรุนแรงอีกครั้งในการออกแบบ pcram หน่วยความจำ เทคโนโลยีการประมวลผลในแบบที่ทันสมัยที่มีแสดงให้เห็นว่าเขียนความทรหดอดทนสำหรับ pcram อยู่ที่ประมาณ 1010