between the top and bottom electrod

between the top and bottom electrodes was very high (>109).The results indicate that Al2O3 thin film is a suitable insulating material for the AlN sensors requiring a step edge configuration.This was further confirmed by the stress analysis results.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ระหว่างบนและล่าง หุงตได้สูงมาก (> 109) ผลระบุว่า ฟิล์มบางของ Al2O3 วัสดุฉนวนที่เหมาะสมสำหรับเซ็นเซอร์ AlN ที่ต้องการกำหนดค่าขอบขั้นตอน ต่อไปนี้ถูกยืนยัน โดยผลการวิเคราะห์ความเครียด

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ระหว่างขั้วไฟฟ้าบนและด้านล่างสูงมาก (> 109?). ผลการศึกษาพบว่าฟิล์มบาง Al2O3 เป็นวัสดุฉนวนที่เหมาะสมสำหรับการเซ็นเซอร์ ALN ต้องขอบขั้นตอน configuration.This ได้รับการยืนยันต่อไปโดยผลการวิเคราะห์ความเครียด

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ระหว่างขั้วไฟฟ้าบนและล่างอยู่สูงมาก ( > 109  ) ผลการศึกษาพบว่าฟิล์มบางเป็น Al2O3 เหมาะสมวัสดุฉนวนสำหรับ ALN เซ็นเซอร์ต้องก้าวขอบการตั้งค่า นี้ได้รับการยืนยันต่อไปโดยเน้นการวิเคราะห์ผลลัพธ์