Optimization of intrinsic hydrogena

Optimization of intrinsic hydrogenated amorphous silicon deposited
by very high-frequency plasma-enhanced chemical vapor deposition using
the relationship between Urbach energy and silane depletion fraction for
solar cell application

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เพิ่มประสิทธิภาพของ intrinsic hydrogenated ซิลิคอนไปฝากโดยเพิ่มพลาสม่าไอเคมีมากสูงความถี่สะสมความสัมพันธ์ระหว่าง Urbach silane และพลังงานจนหมดเศษสำหรับใช้พลังงานแสงอาทิตย์

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

การเพิ่มประสิทธิภาพของซิลิกอนอสัณฐานที่แท้จริงเติมไฮโดรเจนฝาก
โดยมากความถี่สูงทางเคมีพลาสม่าเพิ่มการสะสมไอโดยใช้
ความสัมพันธ์ระหว่างพลังงาน Urbach และส่วนพร่องไซเลนสำหรับ
การประยุกต์ใช้เซลล์แสงอาทิตย์

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การเพิ่มประสิทธิภาพของตัวแอลซิลิคอนอสัณฐานโดยเพิ่มความถี่สูงมาก ( ฝาก

( chemical vapor deposition โดยใช้ความสัมพันธ์ระหว่างพลังงานและการเออร์บักเลนเศษส่วน
การประยุกต์ใช้เซลล์แสงอาทิตย์