As we have seen majority carriers (

As we have seen majority carriers (electrons in n-type material holes in p-type) are the main players in a conventional semiconductor diode By initial diffusion across the p-n junction they set up a depletion layer and create a potential barrier Forward-biasing the diode reduces the height of the barrier marking it easier for them to cross the junction and produce substantial current in reverse bias the barrier increases and current flow is severely inhibited Diode action is principally due to the behaviour of majority carriers under the influence of an applied external voltage
With solar cells however it is light-generated minority carriers that take center stage the basic reason may be simply stated a potential barrier that inhibits transfer of majority carriers across a p-n junction positively encourages the transfer of minority carriers Whereas majority carriers
Experience a hill to climb minority carriers see a hill to roll down With luck they are swept down this hill collected at the cell terminals and produce an output current proportional to the intensity of the incident light
Let us consider the three photons in Figure 2.8 that successfully create electron-hole pairs in the crystal lattice Number 4 produces a pair in the p-type region close to the junction Its free electron a minority carrier in p-type material is easily swept across the junction and collected So is the hole produced in the n-type region by number 5 which is swept across the junction in the opposite direction Both these minority carriers should contribute to the light-generated current

Photon 6 also creates an electron-hole pair but well away from the junction and its associated electric field The free electron does not immediately experience a hill to roll down but instead starts wandering randomly through the silicon lattice In the figure it is shown eventually reaching the junction and being swept away to success But the journey is a dangerous one it may instead encounter a hole and be annihilated Although such reco bination is not illustrated in the figure unfortunately it occurs not only in the main body of the cell (bulk recombination) but even more importantly at the edges and metal contacts due to defects and impurities in the crystal
The longer a minority carrier wanders around the greater the distance travelled through the crystal and the more likely it is to be lost by

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เราได้เห็นสายการบินส่วนใหญ่ (อิเล็กตรอนในรูวัสดุชนิด n ชนิด p) เป็นผู้เล่นหลักในไดโอดเป็นสารกึ่งตัวนำทั่วไปโดยเริ่มต้นกระจายทั่วหัวต่อ p-n ตั้งค่าเชิงชั้น และสร้างการป้องกันการส่งต่อให้น้ำหนักกับไดโอดลดความสูงของเครื่องหมายง่ายสำหรับพวกเขาจะข้ามแยก และผลิตพบกระแสย้อนกลับรุนแรงเพิ่มอุปสรรคอุปสรรค และกระแสที่ไหลจะกระทำไดโอดยับยั้งรุนแรง เป็นหลักการ พฤติกรรมของผู้ให้บริการส่วนใหญ่ภายใต้อิทธิพลของแรงภายนอกที่ใช้ กับเซลล์แสงอาทิตย์ แต่ ก็เป็นส่วนน้อยที่สร้างแสงผู้ที่ขึ้นเวทีกลางเหตุผลพื้นฐานอาจเพียงแค่ระบุอุปสรรคที่อาจเกิดขึ้นที่ยับยั้งการโอนสายการบินส่วนใหญ่ข้ามแยก p n บวก กระตุ้นการโอนย้ายของชนกลุ่มน้อยผู้ให้บริการในขณะที่สายการบินส่วนใหญ่ประสบการณ์เขาไต่ส่วนน้อยผู้ดูเขากลิ้งลงกับโชคจะกวาดลงเนินนี้รวบรวมที่ขั้วเซลล์ และผลิตเป็นสัดส่วนปัจจุบันผลลัพธ์กับความเข้มของแสงที่ตกกระทบให้เราพิจารณาโฟตอนสามในรูป 2.8 ที่สำเร็จสร้างหลุมอิเล็กตรอนคู่ในตาข่ายคริสตัลหมายเลข 4 สร้างคู่กันในภูมิภาคชนิด p ใกล้แยกอิเล็กตรอนฟรีของผู้ให้บริการชนกลุ่มน้อยในวัสดุชนิด p จะกวาดได้ข้ามแยก และรวบรวมเพื่อให้เป็นหลุมผลิตในภูมิภาคประเภท n โดยเลข 5 ซึ่งกวาดข้ามแยกในทิศทางตรงกันข้ามทั้งสองผู้ให้บริการชนกลุ่มน้อยเหล่านี้ ควรช่วยให้การสร้างแสงปัจจุบันโฟตอน 6 สร้างมีคู่อิเล็กตรอนหลุม แต่จากแยกและสนามไฟฟ้าเกี่ยวข้อง อิเล็กตรอนฟรีทันทีไม่พบเขากลิ้งลงแทนเริ่มหลงสุ่มผ่านตาข่ายซิลิคอนในรูปที่แสดงถึงการเชื่อมต่อและการกวาดออกไปสู่ความสำเร็จในที่สุด แต่การเดินทางอันตรายแต่อาจพบหลุม และสามารถกำจัดแม้ว่าไม่ได้แสดงเช่น bination reco คิดแต่มันเกิดขึ้นไม่เพียงแต่ ในตัวหลัก ของเซลล์ (recombination จำนวนมาก) แต่ที่สำคัญยิ่ง ที่ขอบและติดต่อโลหะเนื่องจากข้อบกพร่องและสิ่งสกปรกใน อีกต่อไปผู้ให้บริการชนกลุ่มน้อยที่วิ่งรอบยิ่งระยะทางผ่านคริสตัล และยิ่งน่าจะหายไปด้วย

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ที่เราได้เห็นผู้ให้บริการส่วนใหญ่ (อิเล็กตรอนใน N-ประเภทหลุมวัสดุที่ใช้ใน P-พิมพ์) เป็นผู้เล่นหลักในไดโอดสารกึ่งตัวนำแบบเดิมโดยการแพร่เริ่มต้นข้ามทางแยก PN ที่พวกเขาตั้งค่าชั้นพร่องและสร้างอุปสรรคที่อาจเกิดขึ้นไปข้างหน้าผลิตให้ ไดโอดลดความสูงของกำแพงเครื่องหมายมันง่ายขึ้นสำหรับพวกเขาที่จะข้ามทางแยกและผลิตในปัจจุบันอย่างมากในอคติกลับเพิ่มขึ้นอุปสรรคและการไหลของกระแสรุนแรงกระทำ Diode ยับยั้งเป็นหลักเนื่องจากพฤติกรรมของผู้ให้บริการส่วนใหญ่อยู่ภายใต้อิทธิพลของที่ใช้ภายนอก แรงดันไฟฟ้า
ด้วยเซลล์แสงอาทิตย์ แต่มันเป็นแสงที่สร้างขึ้นโดยผู้ให้บริการชนกลุ่มน้อยที่ใช้เวทีกลางเหตุผลพื้นฐานอาจจะระบุเพียงอุปสรรคที่อาจเกิดขึ้นที่ยับยั้งการถ่ายโอนของผู้ให้บริการส่วนใหญ่ข้ามทางแยก PN บวกกระตุ้นให้เกิดการถ่ายโอนของผู้ให้บริการชนกลุ่มน้อยในขณะที่ผู้ให้บริการส่วนใหญ่
ประสบการณ์ฮิลล์ไป ปีนขึ้นไปให้บริการชนกลุ่มน้อยที่เห็นเนินเขาที่จะแผ่ลงมาพร้อมกับโชคที่พวกเขาจะกวาดลงเนินเขานี้เก็บที่ขั้วเซลล์และผลิตเอาท์พุทปัจจุบันสัดส่วนกับความเข้มของแสงเหตุการณ์ที่เกิดขึ้น
ขอให้เราพิจารณาสามโฟตอนในรูปที่ 2.8 ที่ประสบความสำเร็จในการสร้างอิเล็กตรอนหลุม คู่ในจำนวนผลึกตาข่าย 4 ผลิตคู่ในภูมิภาค P-ชนิดใกล้กับทางแยกอิเล็กตรอนอิสระของผู้ให้บริการที่เป็นชนกลุ่มน้อยในวัสดุชนิดพีจะกวาดได้อย่างง่ายดายผ่านทางแยกและรวบรวมไว้เพื่อให้เป็นหลุมผลิตในภูมิภาค n-ชนิด จากจำนวน 5 ซึ่งเป็นที่กวาดไปทั่วทางแยกในทิศทางตรงกันข้ามทั้งสองนี้ผู้ให้บริการชนกลุ่มน้อยควรมีส่วนร่วมในการแสงกระแสPhoton 6 ยังสร้างคู่อิเล็กตรอนหลุม แต่ห่างจากทางแยกและสนามไฟฟ้าที่เกี่ยวข้องอิเล็กตรอนฟรีไม่ได้ ทันทีที่ได้สัมผัสกับเนินเขาที่จะแผ่ลง แต่แทนที่จะเริ่มหลงสุ่มผ่านตาข่ายซิลิกอนในภาพที่ปรากฏในที่สุดก็ถึงทางแยกและถูกพัดพาไปสู่ความสำเร็จ แต่การเดินทางที่เป็นอันตรายอีกอย่างหนึ่งมันแทนอาจพบหลุมและจะวินาศแม้ว่าดังกล่าว Reco bination ไม่ได้แสดงในรูปที่โชคร้ายที่มันเกิดขึ้นไม่เพียง แต่ในตัวหลักของเซลล์ (รวมตัวกันอีกกลุ่ม) แต่ถึงแม้จะมีความสำคัญมากที่ขอบและสัมผัสโลหะเนื่องจากความบกพร่องและสิ่งสกปรกในคริสตัลอีกต่อไปผู้ให้บริการชนกลุ่มน้อยเดินไปรอบ ๆ มากขึ้นระยะทางที่เดินทางผ่านคริสตัลและมีโอกาสมากขึ้นที่จะต้องสูญเสียไปโดย

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ตามที่เราได้เห็นสายการบินส่วนใหญ่ ( อิเล็กตรอนในวัสดุทั่วไปรูพี ) เป็นผู้เล่นหลักในสารกึ่งตัวนำไดโอดธรรมดา โดยเริ่มต้นการแพร่กระจายข้ามรอยต่อพีเอ็นที่เป็นสารกึ่งตัวนำที่พวกเขาตั้งค่าการทำลายชั้นบรรยากาศและสร้างอุปสรรคที่อาจเกิดขึ้น ส่งต่อ biasing ไดโอดลดความสูงของสิ่งกีดขวาง เครื่องหมาย มันง่ายสำหรับพวกเขาที่จะข้ามทางแยกและผลิตกระแส อย่างมากในไบอัสกลับอุปสรรคเพิ่มขึ้น และกระแสอย่างรุนแรงยับยั้งการกระทำเป็นหลักเนื่องจากการศึกษาพฤติกรรมของผู้ให้บริการส่วนใหญ่ภายใต้อิทธิพลของการใช้แรงดันภายนอกด้วยเซลล์แสงอาทิตย์ แต่เป็นแสงที่เกิดขึ้นชนกลุ่มน้อยผู้ที่ใช้เวทีกลาง เหตุผลพื้นฐานที่อาจจะเพียงแค่ระบุอุปสรรคที่อาจยับยั้งการถ่ายโอนส่วนใหญ่ผู้ให้บริการข้าม p-n ชุมทางบวกกระตุ้นถ่ายโอนของผู้ให้บริการและผู้ให้บริการส่วนใหญ่ ส่วนน้อยประสบการณ์เนินเขาปีนพาหะส่วนน้อยเห็นเนินเขากลิ้งลงกับโชคของพวกเขากวาดลงดอยนี้เก็บที่เซลล์ขั้วและสร้างกระแสที่เป็นสัดส่วนกับความเข้มของแสงที่เกิดขึ้นให้เราพิจารณาสามโฟตอนในรูปที่ 2.8 ที่ประสบความสำเร็จสร้างอิเล็กตรอนหลุมคู่ในแลตทิซผลึกหมายเลข 4 สร้างคู่ในเขตใกล้สี่แยกพีของอิเล็กตรอนเป็นพาหะในวัสดุพีสามารถกวาดข้ามทางแยก และรวบรวมเพื่อคือหลุมผลิตในภูมิภาคโดยทั่วไปหมายเลข 5 ซึ่งกวาด ข้ามทางแยกในทิศทางตรงกันข้ามทั้งสองนี้ชนกลุ่มน้อยผู้ให้บริการควรให้แสงที่เกิดขึ้นในปัจจุบัน6 ยังสร้างโฟตอนอิเล็กตรอนหลุมคู่ แต่ก็ห่างจากทางแยกและเกี่ยวข้องสนามไฟฟ้าอิเลคตรอนอิสระไม่ได้ทันทีประสบการณ์เขาจะม้วนลง แต่เริ่มเดินสุ่มผ่านซิลิคอนขัดแตะในรูปมันแสดงในที่สุดถึงทางแยกและถูกกวาดไปถึงความสำเร็จ แต่การเดินทางก็อันตรายนะอาจแทนพบหลุมและถูกทำลายแม้ว่าเช่นริกโคชุดวัดไม่แสดงในรูปแต่มันเกิดขึ้นไม่เพียง แต่ในร่างกายหลักของเซลล์ขนาดใหญ่ ( recombination ) แต่ที่สำคัญที่ขอบและโลหะติดต่อเพราะข้อบกพร่องและสิ่งสกปรกในผลึกยิ่งเป็นพาหะเดินโต๋เต๋ไปมากขึ้นระยะทางที่เดินทางผ่านคริสตัล และมีแนวโน้มที่จะต้องสูญเสียไปโดย