Extrinsic (n- and p-type) semicondu

Extrinsic (n- and p-type) semiconductors
The semiconducting properties of Si and Ge can be enhanced
by doping these elements with atoms of a group 13 or group
15 element. Doping involves the introduction of only a
minutely small proportion of dopant atoms, less than 1 in
106, and extremely pure Si or Ge must first be produced.
The reduction of SiO2 in an electric furnace gives Si, and
the Czochralski process (see Box 5.3) is used to draw
single crystals of Si from the melt. We describe how dopants
are introduced into semiconductors in Section 27.6.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

สารกึ่งตัวนำที่ละเลย (n และ p-ประเภท)สามารถเพิ่มคุณสมบัติโลหะของ Ge และ Siโดยองค์ประกอบเหล่านี้ มีอะตอมกลุ่ม 13 หรือกลุ่มยาสลบ15 องค์ประกอบ ยาสลบแนะนำเฉพาะที่เกี่ยวข้องกับการสัดส่วนเล็กพิถีพิถัน dopant อะตอม น้อยกว่า 1 ใน106 และบริสุทธิ์มากศรีหรือ Ge ต้องแรกผลิตการลดของ SiO2 มีเตาไฟฟ้าให้ Si และกระบวนการ Czochralski (ดูกล่อง 5.3) ใช้ในการวาดผลึกเดี่ยวของศรีจากการละลาย เราอธิบายวิธี dopantsจะนำเข้าสู่อุปกรณ์กึ่งตัวนำในส่วน 27.6

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ภายนอก (n- และ P-พิมพ์) อุปกรณ์กึ่งตัวนำ
คุณสมบัติกึ่งตัวนำศรีจีอีและสามารถเพิ่มได้
โดยยาสลบองค์ประกอบเหล่านี้กับอะตอมของกลุ่ม 13 หรือกลุ่ม
องค์ประกอบ 15 ยาสลบเกี่ยวข้องกับการแนะนำของเพียงให้
สัดส่วนที่น้อยพิถีพิถันของอะตอมเจือปนน้อยกว่า 1 ใน
106, และบริสุทธิ์มากศรีหรือจีอีจะต้องมีการผลิต.
การลดลงของ SiO2 ในเตาไฟฟ้าให้สีและ
กระบวนการ Czochralski (ดูกล่อง 5.3 ) จะถูกใช้ในการวาด
ผลึกเดี่ยวของศรีจากละลาย เราจะอธิบายวิธีการที่สารเจือ
จะนำเข้าสู่เซมิคอนดักเตอร์ในมาตรา 27.6

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ภายนอก ( N - พี ) สารกึ่งตัวนำคุณสมบัติกึ่งตัวนำของจังหวัดและ GE สามารถปรับปรุงโดยการเติมธาตุเหล่านี้กับอะตอมของกลุ่มหรือกลุ่ม15 องค์ประกอบ การเกี่ยวข้องกับการเพียงละเอียดขนาดเล็ก สัดส่วนของอะตอมโคบอลต์ น้อยกว่า 1 ใน106 , และ ศรีแสนบริสุทธิ์หรือ GE ครั้งแรกจะต้องผลิตการลดลงของซิลิกอนไดออกไซด์ในเตาหลอมไฟฟ้า ให้จังหวัด และกระบวนการ czochralski ( เห็นกล่อง 5.3 ) จะใช้ในการวาดผลึกเดี่ยวของจังหวัดจากละลาย เราอธิบายวิธีการในจะเข้าไปในระบบในส่วนของกลุ่ม .