Deep Level Transient Spectroscopy (

Deep Level Transient Spectroscopy (DLTS) was
developed in 1974 by D.V. Lang [1] to investigate
energetically "deep" charge trapping levels in
semiconductor space charge structures, which
may be either pn junctions or Schottky barriers. It
utilizes the fact that the rf capacitance of the sample
(usually measured at 1 MHz under reverse
bias) depends on the charge state of deep levels
in the space charge region (SCR). In total depletion
approximation, the rf capacitance of a sample
having a homogeneous doping concentration is:

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ได้ลึกระดับชั่วคราวสเปกโทรสโก (DLTS)พัฒนาขึ้นในปี 1974 โดย D.V. Lang [1] การตรวจสอบชาร์จพลัง "ลึก" trapping ระดับในค่าธรรมเนียมพื้นที่ของสารกึ่งตัวนำโครงสร้าง ซึ่งอาจมีทางแยกหมายเลขสินค้าหรืออุปสรรค Schottky มันใช้ความจริงที่ความจุ rf ของตัวอย่าง(โดยปกติจะวัดที่ 1 MHz ภายใต้ย้อนกลับขึ้นอยู่ค่าสถานะของระดับลึกกับอคติ)ค่าธรรมเนียมพื้นที่ภูมิภาค (SCR) ในการสูญเสียทั้งหมดประมาณ ความจุ rf ของตัวอย่างมีความเข้มข้นยาสลบเหมือนเป็น:

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ลึกระดับ Transient สเปก (DLTS) ได้รับการ
พัฒนาขึ้นในปี 1974 โดย DV lang [1] การตรวจสอบ
เกลียว "ลึก" ระดับค่าใช้จ่ายในการวางกับดัก
โครงสร้างพื้นที่รับผิดชอบเซมิคอนดักเตอร์ซึ่ง
อาจเป็นได้ทั้งทางแยก PN หรืออุปสรรคกี มัน
ใช้ความจริงที่ว่าความจุ RF ของกลุ่มตัวอย่าง
(มักจะวัดที่ 1 MHz ภายใต้กลับ
อคติ) ขึ้นอยู่กับค่าใช้จ่ายของรัฐในระดับลึก
ในภูมิภาคพื้นที่รับผิดชอบ (SCR) ในการสูญเสียรวม
ประมาณความจุ RF ของกลุ่มตัวอย่าง
ที่มีความเข้มข้นของยาสลบเป็นเนื้อเดียวกันคือ