J. JFET TransistorSymbol Names: NJF

J. JFET Transistor
Symbol Names: NJF, PJF

Syntax: Jxxx D G S [area] [off] [IC=Vds, Vgs] [temp=T]

Examples:

J1 0 in out MyJFETmodel
.model MyJFETmodel NJF(Lambda=.001)

J2 0 in out MyPJFETmodel
.model MyPJFETmodel PJF(Lambda=.001)

A JFET transistor requires a .model card to specify its characteristics. Note that the model card keywords NJF and PJF specify the polarity of the transistor. The area factor determines the number of equivalent parallel devices of a specified model.

The JFET model is derived from the FET model of Shichman and Hodges extended to include Gate junction recombination current and impact ionization. The DC characteristics are defined by the parameters VTO and BETA, which determine the variation of drain current with gate voltage; LAMBDA, which determines the output conductance; and Is, the saturation current of the two gate junctions. Two ohmic resistances, Rd and Rs, are included. Charge storage is modeled by nonlinear depletion layer capacitances for both gate junctions; which vary as the -1/2 power of junction voltage and are defined by the parameters Cgs, Cgd, and PB. A fitting parameter B has been added. See A. E. Parker and D. J. Skellern, An Improved FET Model for Computer Simulators, IEEE Trans CAD, vol. 9, no. 5, pp. 551-553, May 1990.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

J. ทรานซิสเตอร์ JFETสัญลักษณ์ชื่อ: NJF, PJFไวยากรณ์: Jxxx D G S [พื้นที่] [ปิด] [IC = Vds, Vgs] [ชั่ว = T]ตัวอย่าง:J1 0 ออก MyJFETmodel.model MyJFETmodel NJF(Lambda=.001)J2 0 ออก MyPJFETmodel.model MyPJFETmodel PJF(Lambda=.001)ทรานซิสเตอร์ JFET ต้องบัตร.model เพื่อระบุลักษณะของ หมายเหตุที่ สำคัญบัตรรุ่น NJF และ PJF ระบุขั้วของตัวทรานซิสเตอร์ ตัวตั้งกำหนดจำนวนของอุปกรณ์พร้อมเทียบเท่ารุ่นระบุแบบ JFET มาแบบ FET ของ Shichman และ Hodges ขยายรวมประตูเชื่อม recombination ปัจจุบัน และผลกระทบ ionization กำหนด โดยพารามิเตอร์ทำ VTO และเบต้า ซึ่งกำหนดรูปแบบของท่อระบายน้ำด้วยแรงดันประตู ลักษณะ DC แลมบ์ดา ซึ่งต้านทานผลผลิต กำหนด และเป็น อิ่มปัจจุบันของ junctions สองประตู สองแบบโอห์มมิคทาน อาร์เอส และถนนได้ จัดเก็บค่าธรรมเนียมเป็นจำลอง โดย capacitances ชั้นจนหมดไม่เชิงเส้นสำหรับทั้งประตู junctions ซึ่งแตกต่างกันไปเป็น -1/2 กำลังไฟของแรงดันไฟฟ้าเชื่อมต่อ และกำหนด โดยพารามิเตอร์ Cgs, Cgd และ PB เพิ่มพารามิเตอร์เหมาะสม B แล้ว ดู A. E. คเกอร์ และ D. J. Skellern รุ่น FET การปรับปรุงสำหรับคอมพิวเตอร์ใน ขณะ IEEE ทรานส์ CAD ปีที่ 9 หมายเลข 5 นำ 551-553, 1990 พฤษภาคม

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เจเจเฟทรานซิสเตอร์
สัญลักษณ์ชื่อ: NJF, PJF ไวยากรณ์: Jxxx DGS

[พื้นที่] [ปิด] [IC = Vds, Vgs] [อุณหภูมิ = T] ตัวอย่าง: J1 0 ในการออก MyJFETmodel .model MyJFETmodel NJF (แลมบ์ดา = 0.001) J2 0 ในการออก MyPJFETmodel .model MyPJFETmodel PJF (แลมบ์ดา = 0.001) ทรานซิสเตอร์ JFET ต้องมีการ์ด .model เพื่อระบุลักษณะของ โปรดทราบว่าบัตรรูปแบบคำหลัก NJF และ PJF ระบุขั้วของทรานซิสเตอร์ ปัจจัยพื้นที่กำหนดจำนวนของอุปกรณ์ขนานเทียบเท่าของรูปแบบที่ระบุ. JFET แบบมาจากรูปแบบ FET ของ Shichman และฮอดจ์ขยายเพื่อรวมตัวกันอีกครั้งทางแยกประตูในปัจจุบันและผลกระทบไอออนไนซ์ ลักษณะ DC ถูกกำหนดโดยพารามิเตอร์ VTO และเบต้าที่กำหนดรูปแบบของท่อระบายน้ำในปัจจุบันที่มีแรงดันไฟฟ้าที่ประตู; แลมซึ่งกำหนดเป็นสื่อกระแสไฟฟ้าเอาท์พุท; และมีความอิ่มตัวในปัจจุบันของทั้งสองแยกประตู สองความต้านทานโอห์มมิก, ถและ Rs จะถูกรวม การจัดเก็บค่าใช้จ่ายเป็นแบบจำลองโดยประจุชั้นพร่องไม่เชิงเส้นสำหรับทางแยกประตูทั้งสอง ซึ่งแตกต่างกันไปเป็นพลังงาน -1/2 ของแรงดันไฟฟ้าทางแยกและถูกกำหนดโดยพารามิเตอร์ Cgs, Cgd และ PB พารามิเตอร์ที่เหมาะสม B ได้รับการเพิ่ม ดู AE ปาร์คเกอร์และดีเจ Skellern, FET การปรับปรุงรูปแบบการจำลองคอมพิวเตอร์, IEEE ทรานส์ CAD ฉบับ 9 ไม่ 5, pp. 551-553, พฤษภาคม 1990

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ชื่อ เจ jfet ทรานซิสเตอร์สัญลักษณ์ : njf
,
pjf ไวยากรณ์ : jxxx D G S < รุ่น > [ พื้นที่ ] [ ปิด ] [ IC = VDS วีจีเ temp = t , ] [ ตัวอย่าง ]

:

0 J1 ใน myjfetmodel
. รูปแบบ myjfetmodel njf ( lambda = . 001 ) j2

0 ที่ออกในรูปแบบ mypjfetmodel

mypjfetmodel pjf ( lambda = . 001 )

jfet ทรานซิสเตอร์ต้อง รูปแบบบัตรเพื่อระบุลักษณะของทราบว่าคำหลักและรูปแบบบัตร njf pjf ระบุขั้วของทรานซิสเตอร์ ปัจจัยพื้นที่เป็นตัวเลขที่เทียบเท่าขนานอุปกรณ์แบบระบุ .

jfet แบบจำลองได้มาจากตัวอ่อนของ shichman ฮอดเจส รูปแบบและขยายเพื่อรวมการวางประตู Junction ในปัจจุบันและผลกระทบ . DC ลักษณะถูกกำหนดโดยพารามิเตอร์ vto และเบต้าซึ่งกำหนดรูปแบบของปัจจุบันกับประตูระบายแรงดัน แลมด้า ซึ่งกำหนดออกความนำ และมีความอิ่มตัวปัจจุบันของ 2 ประตูแยก สองค่าต้านทาน , RD และ RS , รวม ค่ากระเป๋าแบบไม่เชิงเส้นการทำลายชั้นบรรยากาศ capacitances โดยทั้งสองประตูทางแยก ;ที่แตกต่างกัน เป็น - 1 / 2 พลังของชุมทางแรงดันไฟฟ้าและถูกกำหนดโดยพารามิเตอร์ที่ CGS CGD , และตะกั่ว พารามิเตอร์ที่เหมาะสม B มีการเพิ่ม เห็น เอ อี ปาร์คเกอร์ และ ดี. เจ. skellern , การปรับปรุงเฟตแบบจำลองคอมพิวเตอร์ , IEEE ทรานส์ CAD , ฉบับที่ 9 , ฉบับที่ 5 , pp . 551-553 อาจ
1990