5.3.2.2 VaristorsVaristors are non-

5.3.2.2 Varistors
Varistors are non-linear semiconductor devices whose resistance decreases as the magnitude
of the voltage increases. Modern varistors are fabricated from metal oxides,
with zinc oxide the primary ingredient. A typical V–I curve of a metal oxide varistor
is shown in Figure 5.10. Under normal voltages there is a small leakage current of less
than 0.1 mA and the varistor behaves like a simple high value resistor Rleak. During
overvoltage the current through the varistor increases and the voltage is clamped at
a level close to the normal voltage. This is the operating region of the varistor
(Figure 5.10) and the voltage–current relationship in this region is given by
I ¼ kVa (5:1)
In equation (5.1) a is a coefficient with values between 25 and 60. The parameter k in
(5.1) has a value extremely small (,102100), therefore I is expressed in terms of
logarithms as in equation (5.2):

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

5.3.2.2 วาริสเตอร์วาริสเตอร์เป็นอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำที่ไม่ใช่เชิงเส้นที่มีความต้านทานลดเป็นขนาดแรงดันที่เพิ่มขึ้น วาริสเตอร์ที่ทันสมัยจะประดิษฐ์จากโลหะออกไซด์กับสังกะสีออกไซด์เป็นส่วนผสมหลัก V ทั่วไป – ผมเส้นโค้งของวาริสเตอร์โลหะออกไซด์จะแสดงในรูปที่ 5.10 ภายใต้แรงดันปกติ ไม่มีรั่วซึมเล็กน้อยปัจจุบันกว่า 0.1 mA และวาริสเตอร์ทำหน้าที่เหมือนตัวต้านทานค่าสูงง่าย Rleak ในระหว่างการแรงดันเกินกระแสผ่านวาริสเตอร์เพิ่มขึ้น และแรงดันไฟฟ้าจับยึดที่ระดับใกล้เคียงกับแรงดันไฟฟ้า เป็นพื้นที่การทำงานของวาริสเตอร์(รูปที่ 5.10) และความสัมพันธ์แรงดัน – ปัจจุบันในภูมิภาคนี้โดยผม¼ kVa (5:1)ในสมการ (5.1) มีค่าสัมประสิทธิ์ มีค่าระหว่าง 25-60 K พารามิเตอร์ใน(5.1) มีค่าน้อยมาก ( 102100), ดังนั้น ฉันจะแสดงในแง่ของลอการิทึมในสมการ (5.2):

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

5.3.2.2 วาริสเตอร์
วาริสเตอร์เป็นอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ที่ไม่ใช่เชิงเส้นที่มีความต้านทานลดลงตามขนาด
ของการเพิ่มแรงดันไฟฟ้า วาริสเตอร์ที่ทันสมัยประดิษฐ์จากโลหะออกไซด์
ด้วยสังกะสีออกไซด์ส่วนผสมหลัก ทั่วไป V-I โค้งของวาริสเตอร์โลหะออกไซด์
แสดงในรูปที่ 5.10 ภายใต้แรงดันไฟฟ้าปกติมีการรั่วไหลของกระแสเล็ก ๆ น้อย
กว่า 0.1 มิลลิแอมป์และวาริสเตอร์จะทำงานเช่นมีมูลค่าสูงต้านทาน Rleak ง่าย ในช่วง
Overvoltage ปัจจุบันผ่านวาริสเตอร์เพิ่มขึ้นและแรงดันไฟฟ้าที่มีการจับยึดที่
ระดับใกล้เคียงกับแรงดันไฟฟ้าปกติ นี้เป็นพื้นที่ปฏิบัติการของวาริสเตอร์
(รูปที่ 5.10) และความสัมพันธ์ของแรงดันไฟฟ้าในปัจจุบันในภูมิภาคนี้จะได้รับจาก
ฉัน¼ KVA (5: 1)
ในสมการ (5.1) เป็นค่าสัมประสิทธิ์ที่มีค่าระหว่าง 25 และ 60 พารามิเตอร์ k in
(5.1) มีค่าขนาดเล็กมาก (102,100) ดังนั้นฉันจะแสดงในแง่ของ
ลอการิทึมเช่นเดียวกับในสมการ (5.2):

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

5.3.2.2 Varistors半导体器件的非线性Varistors是其作为一个magnitude decreases阻力电压提高。现代的金属氧化物，是从varistors制造一氧化氮与锌的主要成分。A I V曲线typical——一个金属varistor一氧化氮在Figure 5.10是shown。在正常的电压是一个小的非leakage currentvaristor 0.1毫安和比电阻高像一个简单的behaves Rleak During value。在当前overvoltage通过提高电压和varistor是固定在a .输入电压到正常水平，这是varistor操作区的Figure 5.10（current）和电压关系——因为在这个区域是由kVa 5:1¼（I）在方程系数a（5.1 values）是一个与参数之间60 25和K）在。（一）有extremely 5.1 value），因此，102100 SMALL（I）的方式，是在分在logarithms为As（5.2）：