The schematic geometry for Hall mea

The schematic geometry for Hall measurements in ambipolar
materials such as graphene is presented in Fig. 1. A longitudinal
(x-directed) electric current density Jx is imposed in the rectangular
sample, and a normal (z-directed) magnetic field Bz is applied.
Electrons and holes are deflected in the y-direction as shown in
the diagram, until a y-directed electric field Ey is built up to counter
their net lateral flow.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เรขาคณิตมันสำหรับการประเมินหอใน ambipolarมีการนำเสนอวัสดุเช่น graphene ใน Fig. 1 เป็นระยะยาว(กำกับ x) ไฟฟ้ากระแสความหนาแน่น Jx ถูกกำหนดในแบบสี่เหลี่ยมมีใช้ตัวอย่าง และปกติ (z-กำกับ) สนามแม่เหล็กฟิลด์ Bzอิเล็กตรอนและหลุม deflected y-ทิศทางดังแสดงในไดอะแกรม จนกว่าตรง y ไฟฟ้าเขต Ey สร้างโต้กระแสด้านข้างของสุทธิ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เรขาคณิตวงจรสำหรับการตรวจวัดในห้องโถง ambipolar
วัสดุเช่นกราฟีนจะนำเสนอในรูป 1. ยาว
(x กำกับ) ความหนาแน่นกระแสไฟฟ้า Jx
จะเรียกเก็บในรูปสี่เหลี่ยมผืนผ้าตัวอย่างและปกติ(Z-กำกับ) สนามแม่เหล็ก Bz ถูกนำไปใช้.
อิเล็กตรอนและหลุมที่มีการเบี่ยงเบนใน y
ที่ทิศทางดังแสดงในแผนภาพจนกว่าจะมีการ y ที่กำกับ Ey
สนามไฟฟ้าจะสร้างขึ้นเพื่อตอบโต้การไหลข้างสุทธิ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เรขาคณิตแผนผังสำหรับการวัด ฮอลล์ ใน ambipolar
วัสดุ เช่น กราฟีน ที่แสดงในรูปที่ 1 ยาว
( x-directed ) jx ความหนาแน่นกระแสไฟฟ้า ที่กําหนดในตัวอย่างสี่เหลี่ยม
และปกติ ( z-directed ) สนามแม่เหล็ก BZ ใช้
อิเล็กตรอนและหลุมเบี่ยงเบนใน y-direction ดังแสดงในแผนภาพ
จน y-directed สนามไฟฟ้า EY ถูกสร้างขึ้นเพื่อตอบโต้
การไหลด้านข้างของสุทธิ