Anisotropic KOH EtchingKOH is one t

Anisotropic KOH Etching
KOH is one the most commonly used silicon etch chemistry for micromachining silicon wafers.
1. Anisotropic KOH Etching Rates vs. Orientation
The KOH etch rate is strongly effected by the crystallographic orientation of the silicon (anisotropic). Table 1 relates silicon orientation-dependent etch rates (μm min-1) of KOH to crystal orientation with an etching temperature of 70°C. Table 1 is taken directly from [1]. In parentheses are normalized values relative to (110).

The (110) plane is the fastest etching primary surface. The ideal (110) surface has a more corrugated atomic structure than the (100) and (111) primary surfaces. The (111) plane is an extremely slow etching plane that is tightly packed, has a single dangling-bond per atom, and is overall atomically flat. As shown above, the strongly stepped and vicinal surfaces to the primary planes are typically fast etching surfaces.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เกาะ anisotropic กัดเป็นเกาะหนึ่งที่มักใช้ซิลิคอนกัดเคมีสำหรับรับซิลิคอน micromachining1. anisotropic เกาะแกะสลักราคาเทียบกับแนวเกาะกัดอัตราเป็นอย่างยิ่งผลกระทบแนว crystallographic ซิลิคอน (anisotropic) ตารางที่ 1 เกี่ยวข้องกับซิลิกอขึ้นอยู่กับการวางแนวกัดราคาพิเศษ (μm min-1) ของเกาะวางคริสตัลด้วยการกัดอุณหภูมิ 70 องศาเซลเซียส ตารางที่ 1 จะนำมาโดยตรงจาก [1] ในวงเล็บเป็นค่ามาตรฐานเทียบ (110)ระนาบ (110) เป็นพื้นผิวหลักกัดเร็วที่สุด ผิวเหมาะ (110) มีโครงสร้างอะตอมขึ้นลูกฟูก (100) และ (111) พื้นผิวหลักการ ระนาบ (111) เป็นเครื่องบินกัดช้ามากที่จะแน่น มีเดียวทางที่ห้อยอยู่พันธบัตรต่ออะตอม และคำ atomically แบน ดังที่แสดงข้างบน พื้นบันได และ vicinal ขอการบินหลักได้รวดเร็วมักจะแกะสลักพื้นผิว

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

anisotropic
เกาะกัดเกาะเป็นหนึ่งใช้กันมากที่สุดซิลิคอนเคมีจำหลักสำหรับไมโครซิลิกอนเวเฟอร์.
1 anisotropic
เกาะกัดราคาเทียบกับปฐมนิเทศเกาะกัดอัตราผลกระทบอย่างมากจากการวางแนวcrystallographic ของซิลิกอน (anisotropic) ตารางที่ 1 เกี่ยวข้องกับซิลิกอนกัดอัตราการวางแนวทางขึ้นอยู่กับ (ไมครอนนาที-1) ของเกาะเพื่อวางคริสตัลที่มีการแกะสลักอุณหภูมิ 70 ° C ตารางที่ 1 จะนำมาโดยตรงจาก [1] ในวงเล็บเป็นค่าเมื่อเทียบกับปกติ (110). (ที่ 110) เครื่องบินเป็นวิธีที่เร็วแกะสลักพื้นผิวหลัก เหมาะ (110) พื้นผิวมีโครงสร้างอะตอมลูกฟูกมากกว่า (100) และ (111) พื้นผิวหลัก (ที่ 111) เครื่องบินเป็นเครื่องบินแกะสลักช้ามากที่แน่นมีห้อยพันธบัตรต่ออะตอมเดียวและโดยรวมแบนอะตอม ดังที่แสดงไว้ข้างต้นอย่างยิ่งก้าวและพื้นผิวที่จะ vicinal เครื่องบินหลักโดยทั่วไปจะมีการแกะสลักพื้นผิวได้อย่างรวดเร็ว

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

อุบเกาะกัด
เกาะเป็นหนึ่งที่ใช้บ่อยที่สุดสำหรับการกัดซิลิคอนเวเฟอร์ซิลิคอนเคมี micromachining .
1 อุบเกาะกัดอัตราและปฐมนิเทศ
เกาะกัดอัตราขอผลโดยการปฐมนิเทศทางของซิลิคอน ( อุบ )ตารางที่ 1 เกี่ยวข้องกับซิลิคอน ขึ้นอยู่กับทิศทางอัตราการกัด ( μ M min-1 ) ของเกาะสำรวจคริสตัลกับกัดที่อุณหภูมิ 70 องศา โต๊ะ 1 ถ่ายโดยตรงจาก [ 1 ] ในวงเล็บ เป็นปกติค่าสัมพัทธ์ ( 110 ) .

( 110 ) เครื่องบินที่เร็วที่สุดคือการกัดผิว อุดมคติ ( 110 ) พื้นผิวที่มีลูกฟูกเพิ่มเติมโครงสร้างอะตอมมากกว่า ( 100 ) และ ( 111 ) พื้นผิวหลัก( 111 ) เครื่องบินเป็นเครื่องบินที่ช้ามาก กัดแน่น มีพันธะเดี่ยวห้อยต่ออะตอม และโดยรวม atomically แบน ดังที่แสดงข้างต้น ขอก้าวและพื้นผิวที่ใกล้เคียงกันกับเครื่องบินหลักเป็นปกติอย่างรวดเร็ว แกะสลักพื้นผิว