Sensor chips including two ISFETs c

Sensor chips including two ISFETs cf. Fig. 1 , were glued on a ceramic support made of fused alumina measur ing 28 mm =6 mm thickness 1.0 mm . The sensor contact pads were electrically bonded by ultrasonic wiring to aluminum conducting paths which were photolithographically patterned on the ceramic support. After wiring, the contact pads and wires were encapsulated with epoxy resin. Details about the construction and operation of the ISFETs can be found in Ref.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ชิเซนเซอร์รวมทั้งสอง ISFETs cf.รูปที่ 1 ถูกติดกาวบนการสนับสนุนเซรามิกที่ทำจากอลูมินาหลอม ing ระบายตัวอย่างนั้น 28 มม. = 6 มม.หนา 1.0 mm แผ่นติดต่อเซ็นเซอร์ถูกไฟฟ้ายึดติด โดยสายอัลตราโซนิกเพื่อดำเนินการเส้นทางที่ถูก photolithographically มีลายของเซรามิคอลูมิเนียม หลังจากเดินสาย แผ่นติดต่อและสายถูกนึ้ ด้วยอีพ็อกซี่เรซิน รายละเอียดเกี่ยวกับการก่อสร้างและการดำเนินงานของ ISFETs สามารถพบได้ใน Ref

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ชิปเซ็นเซอร์รวมทั้งสอง ISFETs cf เลย มะเดื่อ. 1 ได้รับการติดกาวในการสนับสนุนเซรามิกที่ทำจากอลูมิเนียมผสม measur ไอเอ็นจี 28 มม = 6 มมหนา 1.0 มม แผ่นเซนเซอร์แบบสัมผัสถูกผูกมัดด้วยระบบไฟฟ้าโดยการเดินสายไฟล้ำเส้นทางอลูมิเนียมที่มีการดำเนินการที่มีลวดลาย photolithographically การสนับสนุนเซรามิก หลังจากเดินสายไฟ, แผ่นติดต่อและสายไฟถูกห่อหุ้มด้วยอีพอกซีเรซิน รายละเอียดเกี่ยวกับการก่อสร้างและการดำเนินงานของ ISFETs ที่สามารถพบได้ในการอ้างอิง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ชิปเซ็นเซอร์รวมทั้งสอง isfets CF รูปที่ 1 ถูกติดกาวบนเซรามิคทำจากอลูมินาผสมไอเอ็นจีสนับสนุนมาตรการ 28 มม. = 6 มม. ความหนา 1.0 มม. เซ็นเซอร์ติดต่อ pads ถูกผูกมัดโดยเดินสายไฟฟ้าด้วยอลูมิเนียมดำเนินการเส้นทางที่ photolithographically ลวดลายที่สนับสนุนเซรามิค หลังจากเดินสาย , ติดต่อ pads และสายไฟที่ห่อหุ้มด้วยอีพอกซีเรซิน รายละเอียดเกี่ยวกับการก่อสร้างและการดำเนินการของ isfets สามารถพบได้ในอังกฤษ