Cubic ZnMgO films were grown by pla

Cubic ZnMgO films were grown by plasma-enhanced molecular beam epitaxy on MgO substrates. Interdigitatal metal–semiconductor–metal contacts were fabricated with Ni/Mg/Au to investigate the effect of growth temperature and source flux ratio on UV sensor properties. Device spectral responsivity was found to decrease with increasing Mg content, while UV–visible rejection ratio correspondingly increased. Peak responsivities ranged from 236 nm to 260 nm, spanning from 10 mA/W in the single crystal, high Mg case to ∼500 A/W for phase segregated films. UV–visible rejection ratios increased with increasing Mg content to three orders of magnitude. Solar blind detectors were realized with single-crystal ZnMgO, while effective visible blind detectors were made with phase-segregated ZnMgO films.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ฟิล์ม ZnMgO ลูกบาศก์ที่ปลูก โดย epitaxy เพิ่มพลาลำโมเลกุลบนพื้นผิว MgO ติดต่อ Interdigitatal โลหะ – สารกึ่งตัวนำโลหะถูกประดิษฐ์ ด้วย Ni มิลลิกรัม/Au/การ ตรวจสอบผลของอัตราการเจริญเติบโตอุณหภูมิและแหล่งฟลักซ์ในคุณสมบัติ UV เซนเซอร์ อุปกรณ์ responsivity สเปกตรัมพบว่าเนื้อหา Mg เพิ่มขึ้น ลดลงในขณะที่อัตราการปฏิเสธ UV – มองเห็นได้เพิ่มขึ้นตามลำดับ Responsivities สูงสุดจนถึง 236 nm ถึง 260 nm ทอดจาก 10 mA/W ในผลึกเดี่ยว Mg สูงกรณี ∼500 A/W สำหรับระยะแยกภาพยนตร์ การปฏิเสธ UV – มองเห็นอัตราส่วนเพิ่มขึ้น ด้วยการเพิ่มเนื้อหาที่มก.จะสามอันดับของขนาด เครื่องตรวจจับพลังงานแสงอาทิตย์ที่ตาบอดได้ตระหนักกับเดี่ยวคริสตัล ZnMgO ขณะทำตาบอดมองเห็นประสิทธิภาพเครื่องตรวจจับ ด้วยระยะแยกฟิล์ม ZnMgO

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ภาพยนตร์ ZnMgO ลูกบาศก์ปลูกโดยพลาสม่าเพิ่มผลิต molecular beam epitaxy กับพื้นผิว MgO สัมผัสโลหะสารกึ่งตัวนำโลหะ Interdigitatal ถูกประดิษฐ์กับ Ni / MG / Au เพื่อศึกษาผลของอุณหภูมิการเจริญเติบโตและแหล่งที่มาอัตราส่วนฟลักซ์เกี่ยวกับคุณสมบัติเซ็นเซอร์รังสียูวี อุปกรณ์ responsivity สเปกตรัมพบว่าลดลงเมื่อเพิ่มปริมาณมิลลิกรัมในขณะที่อัตราส่วนการปฏิเสธ UV-มองเห็นเพิ่มขึ้นตามลําดับ responsivities จุดสูงสุดตั้งแต่ 236 นาโนเมตรถึง 260 นาโนเมตรทอดจาก 10 mA / W ในผลึกเดี่ยวกรณี Mg สูงเพื่อ ~500 A / W สำหรับภาพยนตร์แยกเฟส UV-มองเห็นอัตราส่วนการปฏิเสธเพิ่มขึ้นด้วยการเพิ่มเนื้อหา Mg สามคำสั่งของขนาด เครื่องตรวจจับคนตาบอดพลังงานแสงอาทิตย์ได้รับรู้ด้วยคริสตัลเดียว ZnMgO ในขณะที่เครื่องตรวจจับคนตาบอดมองเห็นได้ที่มีประสิทธิภาพที่ทำกับเฟสแยกภาพยนตร์ ZnMgO

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ภาพยนตร์ znmgo ลบ . เติบโตโดยเพิ่มบีมเอพิแทกซีในพลาสมา ( MgO ) . รายชื่อ interdigitatal โลหะและสารกึ่งตัวนำและโลหะประดิษฐ์กับผม / มก. / au เพื่อ ศึกษาผลของอุณหภูมิและอัตราส่วนของฟลักซ์ในคุณสมบัติเซ็นเซอร์ UV responsivity อุปกรณ์ตรวจพบลดลงเมื่อปริมาณแมกนีเซียม ขณะที่ UV –มองเห็นได้ปฏิเสธต่อรอบเพิ่มขึ้น responsivities สูงสุดระหว่าง 236 นาโนเมตร 260 nm ครอบคลุมจาก 10 มา / w ในผลึกเดี่ยวสูง กรณี∼ 500 มิลลิกรัม / W สำหรับเฟสแยกฟิล์ม ยูวีได้ปฏิเสธและอัตราส่วนเพิ่มขึ้นปริมาณแมกนีเซียมคำสั่งของขนาด 3 เครื่องตรวจจับตาบอดแสงอาทิตย์รู้ ด้วย single-crystal znmgo ในขณะที่มีประสิทธิภาพตรวจจับมองเห็นบอดให้กับเฟส znmgo แยกฟิล์ม