where Io and Vo are the output curr

where Io and Vo are the output current and output voltage of
the PV module, respectively, Ig is the generated current under
a given insolation, Isat is the reverse saturation current, q is the
charge of an electron, K is the Boltzmann’s constant, A is the
ideality factor, Tmod is the temperature (K) of the PV module,
Np is the number of cells in parallel, and Irsh is the current due
to intrinsic shunt resistance of the PV module.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

Io และ Vo ขาและแรงดันไฟฟ้าของโมดูล PV ตามลำดับ Ig เป็นกระแสสร้างภายใต้การกำหนด insolation, Isat ความอิ่มตัวย้อนกลับปัจจุบัน q เป็นการประจุของอิเล็กตรอน K เป็นค่าคงของตัวโบลทซ์มานน์ เป็นการปัจจัย ideality, Tmod คือ อุณหภูมิ (K) ของโมดูล PVNp จำนวนของเซลล์แบบขนาน และ Irsh เป็นครบกำหนดปัจจุบันการต่อต้านแบ่งลักษณะของโมดูล PV

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ที่ไอโอและ Vo เป็นกระแสและแรงดันการส่งออกของ
เซลล์แสงอาทิตย์ตามลำดับ Ig เป็นที่สร้างขึ้นในปัจจุบันภายใต้
ไข้แดดรับ ISAT เป็นอิ่มตัวปัจจุบันกลับ Q เป็น
ค่าใช้จ่ายของอิเล็กตรอน K เป็นค่าคงตัวของ Boltzmann, A เป็น
ปัจจัย ideality, TMOD คืออุณหภูมิ (K) ของเซลล์แสงอาทิตย์ที่
Np คือจำนวนของเซลล์ในแบบคู่ขนานและ Irsh ปัจจุบันเนื่องจาก
ความต้านทาน shunt ที่แท้จริงของโมดูลเซลล์แสงอาทิตย์

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

และมีการแสดงผลที่ IO หวอ กระแสและแรงดัน output ของPV โมดูล ตามลำดับ คือ สร้างขึ้น ปัจจุบันสังกัด อิกให้ insolation isat , เป็นกระแสย้อนกลับอิ่มตัว Q คือประจุของอิเล็กตรอน , k เป็นค่าคงที่ของโบลทซ์มานน์ , คือปัจจัยคือ ideality แบบ tmod , อุณหภูมิ ( k ) ของ PV โมดูลNP คือจำนวนเซลล์แบบขนาน และ irsh เป็นปัจจุบันเนื่องจากเพื่อภายในหลอดเลือดความต้านทานของแผง