In practice, operational chip tempe

In practice, operational chip temperature and thermal
swing of power modules varies with thermal design and
operation mode [7]. Consequently, achieving accurate online
thermal stress measurement and monitoring is
paramount to improve reliability in MW high power
conversion systems. Most on-line chip temperature
measurement methods focus on the IGBT rather than P-i-N
diodes. Conventional IGBT chip temperature measurement
methods can be divided into the optical method, the physical
contact method, and the TSEP method. The TSEP method is
the only way to implement fast measurement on packaged
IGBT modules within a 100µs [8]. From the insightful
overview of the TSEP extraction methods, it will be
concluded that most TSEP methods cannot directly be
employed to evaluate high power P-i-N diodes. The
electrical parameters of diode reverse recovery are strongly
correlated with diode chip temperature. This study aims to
explore the interaction between P-i-N diode chip temperature
and reverse recovery current. Then the maximum recovery
current rate di/dt is chosen as a TSEP to extract the
temperature of the high power P-i-N diode chips

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ในการฝึก ชิงานอุณหภูมิ และความร้อนสวิงของโมดูลพลังงานแตกต่างกันไปความร้อนการออกแบบ และโหมดการทำงาน [7] ดังนั้น บรรลุต้องออนไลน์ประเมินความเครียดความร้อนและการตรวจสอบพาราเม้าท์เพื่อปรับปรุงความน่าเชื่อถือในอำนาจสูง MWแปลงระบบ สุดง่ายดายชิอุณหภูมิวิธีการประเมินเน้นการ IGBT มากกว่า P-i-Nไดโอดได้ วัดอุณหภูมิชิพ IGBT แบบเดิมวิธีสามารถแบ่งตามวิธีการออปติคอล จริงวิธีการติดต่อ และวิธี TSEP วิธี TSEPวิธีเดียวที่จะใช้วัดอย่างรวดเร็วบนบรรจุโมดู IGBT ภายใน 100µs การ [8] จากที่ลึกซึ้งภาพรวมของวิธีสกัด TSEP มันจะเป็นสรุปว่า วิธี TSEP ส่วนใหญ่ไม่ตรงได้พนักงานประเมินพลังงานสูง P-i-N ไดโอดได้ ที่ไฟฟ้าของไดโอดกลับกู้คืนเป็นอย่างยิ่งcorrelated กับอุณหภูมิชิไดโอด การศึกษานี้มีวัตถุประสงค์เพื่อสำรวจการโต้ตอบระหว่าง P-i-N ไดโอดชิอุณหภูมิและกลับกู้คืนปัจจุบัน การกู้คืนสูงสุดแล้วปัจจุบันอัตรา di/dt ที่เป็น TSEP ที่แยกการอุณหภูมิสูงพลังงาน P-i-N ไดโอดชิป

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ในทางปฏิบัติอุณหภูมิชิปการดำเนินงานและความร้อนแกว่งของโมดูลพลังงานแตกต่างกันไปด้วยการออกแบบการระบายความร้อนและโหมดการทำงาน[7] ดังนั้นการบรรลุออนไลน์ที่ถูกต้องวัดความร้อนความเครียดและการตรวจสอบเป็นสิ่งสำคัญยิ่งที่จะปรับปรุงความน่าเชื่อถืออยู่ในอำนาจสูงเมกะวัตต์ระบบการแปลง ส่วนใหญ่ชิปบนเส้นอุณหภูมิวิธีการวัดมุ่งเน้น IGBT มากกว่าขาไดโอด ชิป IGBT ธรรมดาวัดอุณหภูมิวิธีการสามารถแบ่งออกเป็นวิธีการที่แสงทางกายภาพวิธีการติดต่อและวิธีการTSEP วิธี TSEP เป็นวิธีเดียวที่จะดำเนินการอย่างรวดเร็วในการวัดที่บรรจุโมดูล IGBT ภายใน100μs a [8] จากลึกซึ้งภาพรวมของ TSEP วิธีการสกัดก็จะได้ข้อสรุปว่าวิธีการTSEP ส่วนใหญ่ไม่สามารถนำมาใช้ในการประเมินไดโอดPIN พลังงานสูง ค่าไฟฟ้าของการกู้คืนไดโอดกลับเป็นอย่างยิ่งที่มีความสัมพันธ์กับอุณหภูมิชิปไดโอด การศึกษาครั้งนี้มีวัตถุประสงค์เพื่อสำรวจปฏิสัมพันธ์ระหว่างอุณหภูมิชิปไดโอดขาและการกู้คืนกลับปัจจุบัน แล้วกู้คืนสูงสุดอัตราปัจจุบัน di / dt ได้รับการแต่งตั้งเป็น TSEP เพื่อแยกอุณหภูมิของพลังงานที่สูงPIN ชิปไดโอด

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ในการปฏิบัติงานและความร้อนของชิปอุณหภูมิแกว่งพลังงานโมดูลที่แตกต่างกันไป

งานออกแบบการระบายความร้อนและโหมด [ 7 ] ดังนั้น ขบวนการที่ถูกต้องออนไลน์
ความร้อนความเครียด การวัดและติดตามตรวจสอบคือ
มหาปรับปรุงความเชื่อถือได้ในระบบแปลงไฟฟ้าพลังงานสูง

วิธีการวัด
อุณหภูมิชิปออนไลน์ส่วนใหญ่มุ่งเน้นไปที่การสูญเสียมากกว่า p-i-n
ไดโอดวิธีการวัด
อุณหภูมิชิป IGBT ทั่วไปสามารถแบ่งออกเป็นวิธีการแสง วิธีการติดต่อทางกายภาพ
และ tsep วิธี วิธีที่ tsep
วิธีเดียวที่จะใช้ในการวัดรวดเร็วบรรจุ
IGBT โมดูลภายใน 100 µ s [ 8 ] จากภาพรวมของวิธีการสกัด tsep เจะ

สรุปได้ว่า มันจะเป็นวิธี tsep ส่วนใหญ่ไม่สามารถโดยตรงจะ
ใช้เพื่อประเมิน p-i-n ไดโอดไฟสูง
พารามิเตอร์ทางไฟฟ้าของการกู้คืนกลับ ไดโอดขอ
ที่มีความสัมพันธ์กับอุณหภูมิชิปไดโอด การศึกษานี้มีวัตถุประสงค์เพื่อศึกษาปฏิสัมพันธ์ระหว่าง p-i-n

และการกู้คืนในปัจจุบันชิปไดโอดอุณหภูมิย้อนกลับ แล้วปัจจุบันอัตราการกู้คืนสูงสุด
ตี้ / DT จะเลือกเป็น tsep สกัด
อุณหภูมิของชิปพลังงานสูง p-i-n ไดโอด