reported that the maximum responsiv

reported
that the maximum responsivities of the AlN/GaN hetero-
structures photodetector can be achieved at 360 nm, which
is much higher than those of a GaN monolayer photodetector

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

รายงาน ที่ responsivities สูงสุด hetero AlN/ย่าน การ-photodetector โครงสร้างสามารถทำได้ที่ 360 nm ซึ่ง จะสูงกว่าของ photodetector เป็น monolayer ย่าน

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

รายงาน
ว่า responsivities สูงสุดของ ALN / กาน hetero-
โครงสร้าง photodetector สามารถทำได้ที่ 360 นาโนเมตรซึ่ง
จะสูงกว่าผู้ที่มีความเข้มของแสง monolayer กาน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

รายงานว่า responsivities สูงสุดของ ALN / กานอื่น
โครงสร้างโฟโตดีเทกเตอร์ได้ 360 nm ซึ่ง
จะสูงกว่าที่ของกานอย่างโฟโตดีเทกเตอร์