Dielectric chemical mechanical poli

Dielectric chemical mechanical polishing (CMP) was implemented in semiconductor fabrication as a simple alternative planarization process for the interlevel dielectrics surface instead of the reactive ion etching process of the 1980s. Since then, there have been a growing number of applications of the dielectric CMP process in advanced semiconductor fabrication because of multiple “new” integration schemes (such as replacement metal gate (RMG), or self-aligned contact), which require advanced planarization technology. It is important to understand its history, material removal mechanism, defect formation, and present and future applications to comprehend why dielectric CMP has to be used, how the material is removed, and how the defect is created. By understanding what has been studied on the current dielectric CMP process, future applications of dielectric CMP can be further improved for better process performance and, therefore, for better device performance and yield

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เป็นฉนวนสารเคมีขัดกล (CMP) ถูกนำมาใช้ในการผลิตสารกึ่งตัวนำเป็นกระบวนการ planarization ทางเลือกที่ง่ายสำหรับ surface interlevel dielectrics แทนไอออนปฏิกิริยาที่กระบวนการของทศวรรษ 1980 การแกะสลัก หลังจากนั้น มีจำนวนที่เพิ่มขึ้นของการใช้งานของกระบวนการ CMP เป็นฉนวนในขั้นสูงเพื่อช่วยเนื่องจากหลาย "" รวมชุดรูปแบบใหม่ (เช่นประตูโลหะแทน (RMG), หรือติดต่อด้วยตนเองวาง), ซึ่งต้องใช้เทคโนโลยีขั้นสูง planarization จะต้องเข้าใจประวัติของ กลไกการกำจัดวัสดุ ก่อข้อบกพร่อง และใช้งานในปัจจุบัน และอนาคตจะเข้าใจทำไม CMP เป็นฉนวนที่มีการใช้ วิธีเอาวัสดุ และวิธีสร้างข้อบกพร่อง โดยทำความเข้าใจสิ่งที่ได้รับการศึกษาในกระบวนการปัจจุบันของ CMP ฉนวน ใช้งานในอนาคตของ CMP เป็นฉนวนสามารถเพิ่มเติมปรับปรุงเพื่อ เพิ่มประสิทธิภาพกระบวนการ และ ดังนั้น สำหรับอุปกรณ์ประสิทธิภาพและผลผลิต

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

อิเล็กทริกเคมีขัดกล (CMP) ถูกนำมาใช้ในการผลิตเซมิคอนดักเตอร์เป็นกระบวนการที่ง่าย planarization ทางเลือกสำหรับพื้นผิว interlevel dielectrics แทนของกระบวนการไอออนแกะสลักปฏิกิริยา 1980 ตั้งแต่นั้นมามีการตัวเลขการเติบโตของการใช้งานของกระบวนการ CMP อิเล็กทริกในการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ขั้นสูงเพราะหลาย "ใหม่" รูปแบบบูรณาการ (เช่นประตูโลหะเปลี่ยน (RMG) หรือติดต่อด้วยตนเองที่สอดคล้อง) ซึ่งต้องใช้เทคโนโลยีขั้นสูง planarization . มันเป็นสิ่งสำคัญที่จะเข้าใจประวัติศาสตร์ของกลไกการกำจัดวัสดุก่อข้อบกพร่องและการใช้งานในปัจจุบันและในอนาคตที่จะเข้าใจว่าทำไมอิเล็กทริกซีเอ็มพีจะต้องมีการใช้วิธีการที่วัสดุจะถูกลบออกและวิธีการที่มีความบกพร่องที่ถูกสร้างขึ้น โดยการทำความเข้าใจสิ่งที่ได้รับการศึกษาเกี่ยวกับกระบวนการ CMP อิเล็กทริกในปัจจุบันการใช้งานในอนาคตของอิเล็กทริก CMP สามารถปรับปรุงเพิ่มเติมเพื่อให้ได้ประสิทธิภาพที่ดีขึ้นและกระบวนการดังนั้นสำหรับประสิทธิภาพของอุปกรณ์ที่ดีขึ้นและอัตราผลตอบแทน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เคมีขัดเครื่องกลอิเล็กทริก ( CMP ) ถูกนำมาใช้ในการผลิตสารกึ่งตัวนำเป็นทางเลือก planarization ง่ายกระบวนการสำหรับ interlevel ชนิดผิวแทนของปฏิกิริยาไอออนกระบวนการกัดของ 1980 ตั้งแต่นั้นมา มีตัวเลขการเติบโตของการใช้งานของกระบวนการในการผลิตสารกึ่งตัวนำฉนวนประสิทธิภาพขั้นสูงเพราะหลาย " ใหม่ " แบบบูรณาการ ( เช่น เป็นประตูโลหะแทน ( RMG ) หรือ self-aligned ติดต่อ ) ซึ่งต้องใช้เทคโนโลยี planarization ขั้นสูง มันเป็นสิ่งสำคัญที่จะเข้าใจประวัติศาสตร์ของวัสดุที่กำจัดกลไก การสร้างข้อบกพร่อง และ ปัจจุบัน และอนาคต เพื่อเข้าใจถึงประสิทธิภาพการใช้งานฉนวนจึงต้องใช้ วิธี วัสดุจะถูกลบออกและวิธีการของเสียที่สร้างขึ้น ความเข้าใจในสิ่งที่ได้เรียนในปัจจุบันกระบวนการ CMP dielectric การใช้งานในอนาคตของไดอิเล็กทริก CMP สามารถปรับปรุงเพิ่มเติมเพื่อประสิทธิภาพกระบวนการที่ดีกว่า และดีกว่าอุปกรณ์ประสิทธิภาพและผลผลิต