As shown in Fig. 2, the voltage ris

As shown in Fig. 2, the voltage rise situation would take place when the net injection is at the 4th quadrant. The storage device will reduce the net active power injection to a lower level so that the operating point becomes closer to the negative Q axis in the 4th quadrant as shown in Fig. 3(a) and (b).

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ดังแสดงใน Fig. 2 แรงดันไฟฟ้าเพิ่มขึ้นสถานการณ์จะใช้สถานที่เมื่อฉีดสุทธิที่ควอดร้อนท์ 4 อุปกรณ์เก็บข้อมูลจะลดการฉีดพลังงานสุทธิงานระดับล่างเพื่อให้จุดปฏิบัติงานใกล้ชิดกับแกน Q เป็นค่าลบในควอดร้อนท์ 4 ดังแสดงใน (b) และ Fig. 3(a)

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ดังแสดงในรูปที่ 2 สถานการณ์การเพิ่มขึ้นของแรงดันไฟฟ้าที่จะเกิดขึ้นเมื่อมีการฉีดสุทธิอยู่ที่ด้านที่ 4 อุปกรณ์จัดเก็บข้อมูลจะช่วยลดพลังงานที่ใช้งานฉีดสุทธิให้อยู่ในระดับที่ต่ำกว่าเพื่อให้จุดปฏิบัติการจะกลายเป็นใกล้ชิดกับแกน Q ลบในด้านที่ 4 ดังแสดงในรูป 3 (ก) และ (ข)

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ดังแสดงในรูปที่ 2 แรงดันสูงขึ้น เหตุการณ์จะเกิดขึ้นเมื่อฉีดสุทธิอยู่ที่หน่วยที่ 4 อุปกรณ์จัดเก็บจะลดสุทธิฉีดพลังงานระดับล่างเพื่อให้จุดปฏิบัติการกลายเป็นใกล้ชิดกับแกน Q ลบในส่วนที่ 4 ดังแสดงในรูปที่ 3 ( ก ) และ ( ข )