Surface sol-gel process conducted u

Surface sol-gel process conducted under mild experimental conditions was further used to deposit a conformal ultrathin layer of Al2O3 on F-T photoanodes, with the aim to modulate interfacial electron transfer dynamics and thereby improve the performance of DSCs combined with enhanced electron extraction of F-T film, A power conversion efficiency of 5.24% is obtained, improving by 12.4% of the solar cell based on bare F-T electrodes.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

กระบวนการโซลเจลผิวที่ดำเนินการภายใต้เงื่อนไขทดลองอ่อนเพิ่มเติมใช้ฝาก conformal ultrathin ชั้นของ Al2O3 บน photoanodes F-T มีจุดมุ่งหมาย การ modulate dynamics โอนอิเล็กตรอน interfacial จึงช่วยเพิ่มประสิทธิภาพของ DSCs รวมกับอิเล็กตรอนเพิ่มแยกฟิล์ม F-T ประสิทธิภาพการแปลงพลังงาน 5.24% ได้ รับ ปรับปรุง 12.4% ของเซลล์แสงอาทิตย์ตามหุงต F-T เปลือย

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

กระบวนการโซลเจลพื้นผิวดำเนินการภายใต้เงื่อนไขการทดลองอ่อนถูกนำมาใช้ต่อไปฝากเป็นชั้นบางเฉียบมาตราส่วนของ Al2O3 ใน photoanodes FT โดยมีจุดประสงค์เพื่อปรับการเปลี่ยนแปลงการถ่ายโอนอิเล็กตรอน interfacial และจึงปรับปรุงประสิทธิภาพของ DSCs รวมกับการสกัดอิเล็กตรอนที่เพิ่มขึ้นของภาพยนตร์ FT ที่ ที่มีประสิทธิภาพการแปลงพลังงานของ 5.24% จะได้รับการปรับปรุงโดย 12.4% ของเซลล์แสงอาทิตย์ขึ้นอยู่กับขั้วไฟฟ้า FT เปลือย

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ผิวด้วยกระบวนการดำเนินการภายใต้เงื่อนไขการทดลองอ่อนยังเคยฝากชั้น ultrathin มาตราส่วนของ Al2O3 ใน f-t photoanodes ที่มีจุดมุ่งหมายเพื่อการถ่ายโอนอิเล็กตรอนระหว่างพลวัต และเพื่อปรับปรุงประสิทธิภาพของ dscs ร่วมกับการเพิ่มอิเล็กตรอนการสกัด f-t ภาพยนตร์ , การแปลงพลังงานประสิทธิภาพ 5.24 % ที่ได้รับการปรับปรุงโดย 124 % ของเซลล์แสงอาทิตย์ที่ใช้ใน f-t เปลือยขั้วไฟฟ้า