We report here the characteristics

We report here the characteristics of photoelectrochemical (PEC) etching of epitaxial InGaN
semiconductor thin films using a narrowband laser with a linewidth less than
1 nm. In the initial
stages of PEC etching, when the thin film is flat, characteristic voltammogram shapes are observed. Atlow
photo-excitation rates, voltammograms are S-shaped, indicating the onset of a voltage-independent ratelimiting
process associated with electron-hole-pair creation and/or annihilation. At high photoexcitation
rates, voltammograms are superlinear in shape, indicating, for the voltage ranges studied here,
a voltage-dependent rate-limiting process associated with surface electrochemical oxidation. As PEC
etching proceeds, the thin film becomes rough at the nanoscale, and ultimately the self-limiting etch
kinetics lead to an ensemble of nanoparticles. This change in InGaN film volume and morphology leads to
a characteristic dependence of PEC etch rate on time: an incubation time, followed by a rise, then a peak,
then a slow decay.
ã

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เรานี่รายงานลักษณะของ photoelectrochemical (PEC) กัดของ epitaxial InGaNฟิล์มบางของสารกึ่งตัวนำใช้ narrowband เป็นเลเซอร์กับมี linewidth น้อยกว่า 1 นาโนเมตร ในการเริ่มต้นขั้นตอนของ PEC กัด เมื่อฟิล์มบางแบน มีสังเกตรูปร่างลักษณะ voltammogram Atlowราคาถูกภาพในการกระตุ้น voltammograms มี S-รูป ระบุของ ratelimiting แรงดันอิสระกระบวนการที่เกี่ยวข้องกับอิเล็กตรอนหลุมคู่สร้างหรือทำลายล้าง ที่สูง photoexcitationราคาพิเศษ voltammograms เป็น superlinear ในรูปร่าง การแสดง ในช่วงแรงดันที่ศึกษาที่นี่ขึ้นอยู่กับแรงดันไฟฟ้าอัตราจำกัดกระบวนการเกี่ยวข้องกับการเกิดออกซิเดชันทางเคมีไฟฟ้าที่พื้นผิว เป็น PECดำเนินการแกะสลัก ฟิล์มบางจะหยาบที่ nanoscale และ etch จำกัดตนเองจลนพลศาสตร์ทำให้เพลิดเพลินเก็บกัก เปลี่ยนระดับเสียงฟิล์ม InGaN และสัณฐานวิทยานำไปสู่การอาศัยลักษณะของ PEC กัดอัตราเวลา: เวลาบ่ม ตาม ด้วยการเพิ่มขึ้น แล้วสูงสุดแล้วช้าผุใช้

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เรารายงานที่นี่ลักษณะของ photoelectrochemical (PEC) แกะสลักของ epitaxial InGaN
เซมิคอนดักเตอร์ฟิล์มบาง narrowband ใช้เลเซอร์ที่มี linewidth น้อยกว่า 1 นาโนเมตร ในการเริ่มต้นขั้นตอนของการแกะสลัก PEC เมื่อฟิล์มบางแบนรูปร่างลักษณะ voltammogram จะสังเกตเห็น
Atlow
อัตราภาพกระตุ้น voltammograms มี S-รูปแสดงให้เห็นการโจมตีของ ratelimiting
แรงดันอิสระกระบวนการที่เกี่ยวข้องกับการสร้างอิเล็กตรอนหลุมคู่และ/ หรือการทำลายล้าง ที่ photoexcitation
สูงอัตราvoltammograms มี superlinear
ในรูปแสดงให้เห็นสำหรับช่วงแรงดันไฟฟ้าได้ศึกษาที่นี่แรงดันไฟฟ้าขึ้นอยู่กับขั้นตอนการจำกัด อัตราการที่เกี่ยวข้องกับการเกิดออกซิเดชันพื้นผิวทางเคมีไฟฟ้า ในฐานะที่เป็น PEC
เงินแกะสลักที่จะกลายเป็นฟิล์มบางนาโนที่หยาบกร้านและในที่สุด จำกัด
ตัวเองจำหลักจลนศาสตร์นำไปสู่ชุดของอนุภาคนาโน การเปลี่ยนแปลงในปริมาณภาพยนตร์ InGaN
และสัณฐานวิทยานี้นำไปสู่การพึ่งพาอาศัยลักษณะของPEC กัดอัตราในเวลา: เวลาบ่มตามด้วยการเพิ่มขึ้นแล้วยอด. แล้วสลายตัวช้าใ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เรารายงานมา ลักษณะของ photoelectrochemical ( PEC ) ภาพ epitaxial ingan
เซมิคอนดักเตอร์เลเซอร์ฟิล์มบางโดยใช้แคบด้วยโฟโตลูมิเนสเซนต์น้อยกว่า
1 นาโนเมตร ในขั้นเริ่มต้นของ PEC
ฮิง เมื่อฟิล์มบาง ๆแบน ลักษณะรูปร่าง voltammogram ตามลำดับ อัตราการกระตุ้นภาพต่ำ voltammograms รูป
,ระบุว่า การโจมตีของแรงดันไฟฟ้าโดยกระบวนการที่เกี่ยวข้องกับอิเล็กตรอนอิสระ
หลุมคู่การสร้างและ / หรือการทำลายล้าง ในอัตรา photoexcitation
สูง voltammograms เป็น superlinear ในรูปร่าง ระบุ สำหรับแรงดันไฟฟ้าช่วงเรียนที่นี่
แรงดันไฟฟ้าขึ้นอยู่กับกระบวนการที่เกี่ยวข้องกับอัตราการออกซิเดชันทางเคมีพื้นผิว เป็น PEC
แกะสลักเนินฟิล์มบางเป็นหยาบที่ nanoscale และในที่สุดตนเอง จํากัด กัด
จลนศาสตร์นำไปสู่ชุดของอนุภาค การเปลี่ยนแปลงนี้ใน ingan ภาพยนตร์ปริมาณและลักษณะนำไปสู่
อย่างชัดเจนลักษณะ PEC กัดอัตราเวลา : ระยะเวลาตามขึ้นมา แล้วสูงสุด
แล้ว

ผุช้า ฮัล