Another technique to introduce dopa

Another technique to introduce dopants into a semiconductor wafer is
through ion implantation. This technique is actually a direct alternative to
the thermal predeposition described previously, and can be followed by a
drive-in diffusion step.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เทคนิคที่จะแนะนำ dopants เป็นเวเฟอร์เซมิคอนดักเตอร์อื่น
ผ่านไอออน เทคนิคนี้เป็นจริงเป็นทางเลือกที่ตรงกับ
predeposition ความร้อนที่อธิบายไว้ก่อนหน้านี้และสามารถตามด้วย
ขั้นตอนที่ไดรฟ์ในการกระจาย

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เทคนิคอื่นจะแนะนำ dopants เข้ากับสารกึ่งตัวนำแผ่นเวเฟอร์เป็น
ผ่านไอออนฤทธิ์ เทคนิคนี้เป็นจริงเป็นทางเลือกโดยตรงเพื่อ
predeposition ความร้อนกล่าวถึงก่อนหน้านี้ และสามารถตามการ
แพร่ไดรฟ์ในขั้นตอนการ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เทคนิคอื่นเพื่อแนะนำ dopants เข้าไปในแผ่นเซมิคอนดักเตอร์ที่มี
ผ่านปลูกไอออน โดยการใช้เทคนิคนี้จริงๆแล้วทางเลือกโดยตรงกับ predeposition
ซึ่งจะช่วยระบายความร้อนที่อธิบายไว้ก่อนหน้านี้และสามารถตามด้วยขั้นตอนที่
ซึ่งจะช่วยขับรถในที่แพร่